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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 2 篇 单粒子效应
  • 2 篇 sige bicmos工艺
  • 2 篇 tcad数值模拟
  • 2 篇 ads电路模拟
  • 2 篇 低噪声放大器
  • 2 篇 激光模拟实验

机构

  • 2 篇 西安交通大学
  • 1 篇 西北核技术研究院...
  • 1 篇 西北核技术研究院

作者

  • 2 篇 张凤祁
  • 2 篇 彭治钢
  • 2 篇 贺朝会
  • 2 篇 郭红霞
  • 2 篇 郭亚鑫
  • 2 篇 董志勇
  • 2 篇 李培
  • 1 篇 guo ya-xin
  • 1 篇 he chao-hui
  • 1 篇 dong zhi-yong
  • 1 篇 guo hong-xia
  • 1 篇 peng zhi-gang
  • 1 篇 li pei
  • 1 篇 zhang feng-qi

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=ADS电路模拟"
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排序:
SiGe BiCMOS低噪声放大器激光单粒子效应研究
收藏 引用
物理学报 2024年 第4期73卷 200-208页
作者: 李培 董志勇 郭红霞 张凤祁 郭亚鑫 彭治钢 贺朝会 西安交通大学核科学与技术学院 西安710049 西北核技术研究院 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024
随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高,SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块.SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然... 详细信息
来源: 评论
SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器激光单粒子效应研究
收藏 引用
物理学报 2023年
作者: 李培 董志勇 郭红霞 张凤祁 郭亚鑫 彭治钢 贺朝会 西安交通大学核科学与技术学院 西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室
随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高,SiGe BiCMOS低噪声放大器广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块。SiGe HBT作为SiGeBiCMOSLNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然而... 详细信息
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