检索结果-内蒙古大学图书馆

激光与红外 2015年第9期45卷 1064-1067页

作者：王仍焦翠灵张莉萍张可锋陆液杜云辰邵秀华林杏潮李向阳中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

利用气相外延技术在Cd Zn Te衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度Cd Zn Te衬底上的外延结果发现,Cd Zn Te衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对... 详细信息

利用气相外延技术在Cd Zn Te衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度Cd Zn Te衬底上的外延结果发现,Cd Zn Te衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对于同是<111>Cd Zn Te晶向的衬底,(111)Cd面Cd Zn Te衬底上的外延形貌明显优于(111)Te面。对于(111)Cd面Cd Zn Te衬底,当晶向偏离角度不同时,其外延形貌也有差异,晶向偏离角越小表面形貌越好。

关键词： Hg1-xCdxTe晶体 cdznte衬底 (111)Cd面 (111)Te面

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

碲锌镉衬底晶面极性对水平液相外延碲镉汞薄膜的影响

引用

红外与毫米波学报 2023年第1期42卷 1-7页

作者：霍勤张诚焦翠灵王仍毛诚铭陆液乔辉李向阳中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

研究了碲锌镉衬底(111)晶面的不同极性对水平推舟液相外延生长碲镉汞薄膜的影响。实验结果显示,(111)A面碲锌镉衬底水平液相外延生长碲镉汞薄膜材料组分和厚度均与常规(111)B面碲锌镉衬底碲镉汞薄膜材料相当;碲镉汞母液在采用(111)A面、... 详细信息

研究了碲锌镉衬底(111)晶面的不同极性对水平推舟液相外延生长碲镉汞薄膜的影响。实验结果显示,(111)A面碲锌镉衬底水平液相外延生长碲镉汞薄膜材料组分和厚度均与常规(111)B面碲锌镉衬底碲镉汞薄膜材料相当;碲镉汞母液在采用(111)A面、(111)B面衬底进行液相外延生长的碲镉汞薄膜上接触角分别为(50±2)°和(30±2)°,结合微观模型分析确认碲镉汞母液在碲镉汞薄膜(111)A面存在更大的表面张力;观察并讨论了(111)A面碲镉汞与(111)B面碲镉汞薄膜材料表面微观形貌的差别;实验获得的(111)A面碲镉汞薄膜XRD半峰宽为33.1arcsec。首次报道了(111)晶面选择对母液残留的影响,研究结果表明,采用(111)A面碲锌镉衬底进行碲镉汞水平推舟液相外延生长,能够在不降低晶体质量的情况下,大幅减小薄膜表面母液残留。

关键词： Hg1-xCdxTe晶体 cdznte衬底液相外延 (111)A面 (111)B面

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜

引用

激光与红外 2005年第11期35卷 842-844页

作者：徐庆庆陈新强魏彦锋曹妩媚赵守仁杨建荣中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心上海200083

文中对(211)晶向的cdznte衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)... 详细信息

文中对(211)晶向的cdznte衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别.

关键词： cdznte衬底 HgCdTe薄膜材料液相外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

碲锌镉衬底缺陷对液相外延碲镉汞薄膜结构的影响

引用

激光与红外 2005年第9期35卷 663-667页

作者：吴刚唐利斌马庆华赵增林张梅黄晖姬荣斌昆明物理研究所红外材料研发中心

采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对cdznte衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:cdznte衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延... 详细信息

采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对cdznte衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:cdznte衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延伸,造成了薄膜形成亚晶界和更大面积的由位错引起的晶格畸变应力区域,影响了薄膜结构的完整性。

关键词： X射线双晶回摆衍射法貌相术 cdznte衬底 HgCdTe薄膜液相外延 Te沉淀相

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

碲镉汞液相外延薄膜典型缺陷及其起源分析

引用

激光与红外 2009年第3期39卷 280-284页

作者：刘铭周立庆华北光电技术研究所北京100015

通过碲镉汞液相外延薄膜的典型缺陷的研究,结合国内外的研究现状,综述了各种缺陷的特征、起因、消除方法等。通过对HgCdTe液相外延层中常见的缺陷进行归纳和总结,探讨各种缺陷的可能起因,以达到提高液相外延工艺水平的目的。

关键词： HgCdTe 液相外延缺陷 cdznte衬底

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

美国TJT公司生产的高性能短波红外HgCdTe 320x256/30μm焦平面阵列(上)

引用

红外 2018年第11期39卷 44-48页

作者：张小华

Teledyne Judson Technologies(TJT)公司已经成功研制高性能短波红外(Short-wavelength Infrared,SWIR)320x256/30nm的HgCdTe焦平面阵列(Focal Plane Arrays,FPA),目前正在生产这些器件。这些FPA的截止波长一般为2.5μm或2.9pm,可以在很宽的温度范围内工作。探测器主要使用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)HgCdTe材料制造,有时也使用液相外延(Liquid Phase Epitaxy,LPE)材料,两种材料都生长在cdznte衬底上。这些FPA采用ISC 9809 Si读出集成电路(Readout Integrated Circuit,ROIC),可操作性好,暗电流低,量子效率(Quantum Efficiency,QE)高,且均匀性良好,产量高。对FPA从LN_2到室温的性能进行了综合表征,并讨论了测试结果。这些FPA的可操作性一般为99.9%,峰值QE为85%。-70℃时,FPA噪声背景限制在视场(Field-of-View,FOV)100°范围内。当FOV为0°时,实验室相机电子设备受限。像元暗电流在宽温度范围内不高于Rule-07模型的值。在-70℃下噪声等效辖照度(Noise Equivalent Irradiance,NEI)为2～3x10^9W/cm^2,并且FOV更小时可进一步减小。

关键词：焦平面阵列短波红外 HgCdTe材料性能生产 Integrated Infrared cdznte衬底

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜

采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜

引用

首届全国先进焦平面技术研讨会

作者：徐庆庆陈新强魏彦锋曹妩媚赵守仁杨建荣中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心上海200083

关键词： cdznte衬底 HgCdTe薄膜材料液相外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

HgCdTe液相外延薄膜与衬底之间组分过渡层研究

引用

电子世界 2019年第2期 94-94,96页

作者：毛旭峰黄元竞吴军万志远王志斌昆明物理研究所

通过改变薄膜的生长降温速率和生长时间,生长了一系列薄膜,并用SEM-EDS研究了其组分纵向分布。发现生长的HgCdTe液相外延薄膜与cdznte衬底之间的组分过渡层一般都在3μm以下与国外HgCdTe薄膜过渡层的水平一致,且组分过渡层厚度随着生长... 详细信息

通过改变薄膜的生长降温速率和生长时间,生长了一系列薄膜,并用SEM-EDS研究了其组分纵向分布。发现生长的HgCdTe液相外延薄膜与cdznte衬底之间的组分过渡层一般都在3μm以下与国外HgCdTe薄膜过渡层的水平一致,且组分过渡层厚度随着生长降温速率的增大或生长时间的减少而变薄。

关键词： HgCdTe薄膜 cdznte衬底过渡层厚度外延薄膜组分液相 SEM-EDS 生长时间

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：