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检索条件"主题词=Design of NOR flash memory cells with high speed programming by utilizing an asymmetric Silicide"
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design of nor flash memory cells with high speed programming by utilizing an asymmetric silicide（TiSi2） Drain
Design of NOR flash memory cells with high speed programming...
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2007 7th International Conference on ASIC Electronic Version(ASICON 2007)
作者： Kyeong-Rok Kim Jung-Woo Lee Sang-Su Park Kae-Dal Kwack Division of Electronics and Computer Engineering Hanyang University17 Haendang-dongSeongdong-guSeoul 133-791Korea
An unique not-OR(nor) flash memory cell using an asymmetric Schottky barrier(SB) was designed to increase programming speed and driving *** asymmetric SB nor flash memory cell was proposed on the basis of the fundamen... 详细信息
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