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Read Voltage Dependency of Random Telegraph Noise in the Intermediate State of TaOx-based ReRAM
Read Voltage Dependency of Random Telegraph Noise in the Int...
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2025 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2025
作者： Yamauchi, Kenshin Misawa, Naoko Shima, Hisashi Naitoh, Yasuhisa Akinaga, Hiroyuki Matsui, Chihiro Takeuchi, Ken The University of Tokyo Dept. of Electrical Engineering and Information Systems Tokyo Japan Device Technology Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology Ibaraki Japan
This work investigates random telegraph noise (RTN) behavior in the intermediate resistance states of 40nm TaOx-based analog ReRAM. Uniquely in the intermediate resistance states, both the frequency and amplitude of R... 详细信息
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