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主题

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  • 1 篇 ⅱ型跃迁
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机构

  • 1 篇 中国科学院半导体...

作者

  • 1 篇 汪兆平
  • 1 篇 李国华
  • 1 篇 朱作明
  • 1 篇 周伟
  • 1 篇 韩和相
  • 1 篇 陈晔
  • 1 篇 王占国

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=InAlAs/AlGaAs自组织Ⅱ型量子点"
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排序:
生长在(311)A面GaAs衬底上的inalas/algaas量子点的光致发光研究
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红外与毫米波学报 2001年 第1期20卷 53-56页
作者: 陈晔 李国华 朱作明 韩和相 汪兆平 周伟 王占国 中国科学院半导体研究所 超晶格和微结构国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室北京100083
测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的 发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 A... 详细信息
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