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Power Switching Device Losses - Simulation and Non-Simulation Methods of Calculations 53

Power Switching Device Losses - Simulation and Non-Simulatio...

引用

53rd International Universities Power Engineering Conference (UPEC)

作者： Mohanram, Sat Darwish, M. Marouchos, C. C. Brunel Univ London Elect & Comp Engn London England Cyprus Univ Technol Elect Engn Limassol Cyprus

ISBN: (纸本)9781538629109

In the design and manufacture of power supplies and converters, commercial factors demand high efficiency figures in the operation and performance of these products. Potential loss areas in the circuits are identified to achieve minimum losses [1] [2]. One of the main component contributing to losses in converters is the switching device. The methods to calculate switching loss [3] are complex and involves several related parameters [4] [5]. Conduction loss, radiation interference [6] and temperature rise, impacts on design efficiency. Depending on the design limitations, a balance between the related parameters is necessary, which can be achieved by optimization processes. The method of linear approximation has useful deductions in the control of turn-on switch loss, choosing switches devices with short switching times, which offers high operating frequencies.

关键词： Hard Switching input-output parameters Losses Switching Devices Simulation and Non-Simulation Methods

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Optimisation and Simulation of RC Time Constants in Snubber Circuits 53

Optimisation and Simulation of RC Time Constants in Snubber ...

引用

53rd International Universities Power Engineering Conference (UPEC)

作者： Mohanram, Sat Darwish, M. Marouchos, C. C. Brunel Univ London Elect & Comp Engn London England Cyprus Univ Technol Elect Engn Limassol Cyprus

ISBN: (纸本)9781538629109

Semiconductor devices are subjected to elevated levels of stresses when used at high voltage high current and temperature applications. This stress is mainly due to hard switching which is proportional to the switching frequency. This paper presents methods used to remove this energy to prevent expensive switch damage due to overheating and high dv/dt oscillations. In confirmation of the research title, the process in the determination of 'RC' in snubber circuits has been proven by OrCAD optimisation and presented.

关键词： Hard Switching input-output parameters Simulation Snubber Circuit (RC) Switching Frequency Losses TC Optimizations

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Optimisation and Simulation of RC Time Constants in Snubber Circuits

Optimisation and Simulation of RC Time Constants in Snubber ...

引用

International Universities Power Engineering Conference

作者： Sat Mohanram M. Darwish CC Marouchos Brunel University London Electronic and Computer Engineering Cyprus University of Technology/Electrical Engineering

ISBN: (纸本)9781538629116

关键词： Hard switching input-output parameters Simulation Snubber circuit (RC) Switching frequency Losses TC optimizations

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