检索结果-内蒙古大学图书馆

电子科技 2025年

作者：李嘉骏郝敏如西安石油大学理学院

随着航天事业的快速发展，辐射环境下各种辐射粒子成为制约航天器中电子元器件可靠性的关键问题之一，器件的单粒子效应日益严重。针对应变金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor， mosFET... 详细信息

随着航天事业的快速发展，辐射环境下各种辐射粒子成为制约航天器中电子元器件可靠性的关键问题之一，器件的单粒子效应日益严重。针对应变金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor， mosFET）器件在辐照环境下单粒子效应产生的退化问题，文中采用Sentaurus TCAD软件模拟50 nm应变硅mos器件受重离子撞击的过程，验证漏斗电场的存在以及双极放大效应对漏极瞬态电流的影响，研究应力、不同注入位置和不同偏置等参数对mos器件单粒子辐照特性。结果表明，器件敏感区域在沟道附近漏-体结的空间电荷区中，瞬态电流的峰值随漏极偏置和线性能量传输（Linear Energy Transfer， LET）值的增加而增加，随着衬底掺杂浓度增加而减小。

关键词：应变Si mos器件可靠性辐照单粒子效应电势分布瞬态电流模拟

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mos器件时间关联辐射响应的理论研究

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原子能科学技术 2006年第1期40卷 100-105页

作者：罗尹虹龚建成郭红霞石小峰西北核技术研究所陕西西安710024

利用响应函数对mos器件时间关联辐射响应几个物理过程的实验数据进行拟合计算,包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的长期建立。详细分析了俘获空穴的空间分布差异对退火响应的影响以及温度差异对界面态... 详细信息

利用响应函数对mos器件时间关联辐射响应几个物理过程的实验数据进行拟合计算,包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的长期建立。详细分析了俘获空穴的空间分布差异对退火响应的影响以及温度差异对界面态建立的影响。计算结果和实验测量值符合很好,表明该函数在响应分析中的应用是可行的。

关键词： mos器件时间关联响应函数

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mos器件失配对开关电流滤波器的影响

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西安交通大学学报 1995年第2期29卷 16-23页

作者：孟相如邱关源西安交通大学电气工程学院陕西西安

提出了一种ＭＯＳ器件失配时开关电流镜（ｓｗｉｔｃｈｅｄｃｕｒｒｅｎｔｍｉｒｒｏｒ）的简单模型，对开关电流（ＳＩ）非理想通用积分器进行了时域分析。以及积分器转移函数误差、Ｑ值及灵敏度的计算，并与开关电容（ＳＣ）原型做比... 详细信息

提出了一种ＭＯＳ器件失配时开关电流镜（ｓｗｉｔｃｈｅｄｃｕｒｒｅｎｔｍｉｒｒｏｒ）的简单模型，对开关电流（ＳＩ）非理想通用积分器进行了时域分析。以及积分器转移函数误差、Ｑ值及灵敏度的计算，并与开关电容（ＳＣ）原型做比较。文中还以ＳＩ非理想通用积分器模型为基块，导出了器件失配时双二次滤波电路的直流失调电流和转移函数表达式，为研究器件失配对ＳＩ滤波器的影响提供了一条有效的途径。

关键词：开关电流有源滤波器电路分析 mos器件

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mos器件静电潜在损伤的1/f噪声监测方法

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西安电子科技大学学报 2001年第5期28卷 621-624页

作者：花永鲜庄奕琪杜磊西安电子科技大学微电子所陕西西安710071

通过对mos器件的静电应力试验以及监测试验过程中电参数和 1/f噪声的变化 ,发现 1/f噪声对于由静电应力引起的潜在损伤要比电参数的变化敏感得多 .在同样的静电应力条件下 ,1/f噪声的相对变化量比跨导的相对退化量大 6倍以上 .分析表明 ... 详细信息

通过对mos器件的静电应力试验以及监测试验过程中电参数和 1/f噪声的变化 ,发现 1/f噪声对于由静电应力引起的潜在损伤要比电参数的变化敏感得多 .在同样的静电应力条件下 ,1/f噪声的相对变化量比跨导的相对退化量大 6倍以上 .分析表明 ,起源于边界陷阱的 1/f噪声对于静电诱发的氧化层电荷和界面陷阱两类缺陷同时敏感 ,而电参数的变化主要取决于其中一类缺陷 .因此 ,1/f噪声的测试可以作为一种经济、有效、完全非破坏性的工具。

关键词：静电 mos器件噪声监测

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mos器件脉冲总剂量效应时间关联响应的模拟计算

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核电子学与探测技术 2008年第4期28卷 835-840,816页

作者：龚建成罗尹虹郭红霞周伯昭西北核技术研究所陕西西安710024 国防科学技术大学航天与材料工程学院湖南长沙410073

本文建立了mos器件脉冲总剂量效应时间关联响应的计算模型,包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的长期建立,详细讨论了俘获空穴空间分布的差异对退火响应的影响以及温度差异对界面态建立的影响。计算结... 详细信息

本文建立了mos器件脉冲总剂量效应时间关联响应的计算模型,包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的长期建立,详细讨论了俘获空穴空间分布的差异对退火响应的影响以及温度差异对界面态建立的影响。计算结果和试验测量值符合较好,表明建立的计算模型是正确的。

关键词： mos器件时间关联脉冲总剂量效应

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辐照偏置影响深亚微米mos器件总剂量效应的理论研究

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原子能科学技术 2013年第5期47卷 842-847页

作者：丁李利郭红霞陈伟范如玉王忠明闫逸华陈雷孙华波清华大学工程物理系北京100084 西北核技术研究所陕西西安710024 北京微电子技术研究所北京100076

由理论公式推导出辐照偏压影响mos器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证。在总剂量效应未达到饱和的情况下,截止态漏电流由辐照偏压和累积剂量的关系式唯一确定。引入等效累积剂量的概念,用于将mos器件实... 详细信息

由理论公式推导出辐照偏压影响mos器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证。在总剂量效应未达到饱和的情况下,截止态漏电流由辐照偏压和累积剂量的关系式唯一确定。引入等效累积剂量的概念,用于将mos器件实际工作中的各类偏置映射为最劣偏置状况,进而利用实测数据求取对应的电学响应。所得单管解析表达式应用到电路仿真中能反映电路在不同偏置情况下的总剂量效应,可用于甄别电路的最劣辐照偏置状态。

关键词：辐照偏置总剂量效应 mos器件解析模型器件仿真

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纳米mos器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

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固体电子学研究与进展 2003年第4期23卷 389-396页

作者：何进张兴黄如北京大学微电子学研究所北京100871

mos器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 mos器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。

关键词： mos器件超浅结离子掺杂纳米技术金属-氧化物-半导体场效应器件

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mos器件1/f噪声的双态系统理论──隧道模型与热激发模型的比较

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Journal of Semiconductors 1993年第9期14卷 545-553页

作者：方志豪朱秋萍黄银彪鄢和平武汉大学武汉430072

本文提出了mos器件1/f噪声的双态系统理论,在此基础上分别推导出mos器件隧道模型和热激发模型的1/f噪声理论表达式,由此得到迄今比较精确完整的1/f噪声的温度因子和偏置因子。理论分析指出,两个模型的温度因子以及两个模型的偏置因子,... 详细信息

本文提出了mos器件1/f噪声的双态系统理论,在此基础上分别推导出mos器件隧道模型和热激发模型的1/f噪声理论表达式,由此得到迄今比较精确完整的1/f噪声的温度因子和偏置因子。理论分析指出,两个模型的温度因子以及两个模型的偏置因子,在强反型时其变化规律均分别相似,仅在弱反型时变化规律才有明显的差别。理论与实验比较后表明,热激发模型能够解释现有的许多实验结果,尤其包括隧道模型所不能解释的弱反型1/f噪声实验现象,因而热激发模型有可能是更精确的一种模型。

关键词： mos器件热激发 1/f噪声隧道模型

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mos器件的质子总剂量效应

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Journal of Semiconductors 2001年第11期22卷 1468-1473页

作者：王桂珍张正选姜景和罗尹红彭宏论何宝平西北核技术研究所西安710024

介绍了几种加固和非加固 mos电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V.实验结果表明 ,在相同的吸收剂量下 ,mos器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比 .还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响 ,结果认为 ... 详细信息

介绍了几种加固和非加固 mos电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V.实验结果表明 ,在相同的吸收剂量下 ,mos器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比 .还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响 ,结果认为 ,对于 NmosFET,不论是加固器件 ,还是非加固器件 ,在 +5 V的栅压偏置下 ,器件的辐射损伤比 0 V栅压下的损伤严重 ,对于加固器件 ,辐射感生界面态的密度也较高 ;而加固型 PmosFET,在 0 V的栅压下 ,辐射损伤比 - 5 V下严重。

关键词：总剂量效应质子 mos器件半导体器件

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mos器件的超短脉冲激光辐照效应

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半导体光电 2015年第4期36卷 565-568页

作者：张玉发孙晓泉电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室合肥230037

电荷耦合器件(CCD)的高敏感性使其易受到激光脉冲的干扰甚至损伤。在理论分析了影响mos结构光生电荷量因素的基础上,数值仿真了mos器件的光生电荷量以及响应电压和电流随激光脉宽和平均功率变化的关系;实验研究了CCD对不同参数激光脉冲... 详细信息

电荷耦合器件(CCD)的高敏感性使其易受到激光脉冲的干扰甚至损伤。在理论分析了影响mos结构光生电荷量因素的基础上,数值仿真了mos器件的光生电荷量以及响应电压和电流随激光脉宽和平均功率变化的关系;实验研究了CCD对不同参数激光脉冲的光电响应特性。数值仿真表明,mos器件的光生电荷量以及峰值响应电压和电流随激光脉冲的平均功率和脉宽的增大而增大,并且响应电压和电流有拖尾现象。实验结果显示,脉冲越短,CCD的响应阈值越低。研究结论对超短脉冲激光在光电成像方面的应用具有一定的意义。

关键词： mos器件超短脉冲激光辐照响应阈值

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