检索结果-内蒙古大学图书馆

随着集成电路的广泛应用,特征尺寸的不断减小,辐射环境下各种辐射粒子引起的单粒子翻转效应日益严重。研究半导体器件的单粒子翻转效应,提高其抗单粒子翻转的能力,成为近年来国内外微电子学领域的重要课题。本文首先介绍了辐射环境、单粒子翻转机理、入射粒子的表征方法及其在半导体中电荷淀积模式和单粒子翻转的量化表征方法。随后分析了本文用于仿真的SOI及应变硅技术。提出了器件单粒子翻转的模拟方法,并应用ISE软件进行了模拟仿真。对电荷漏斗效应进行了验证,提出了判定主要电荷收集机理的方法,发现双极放大效应在深亚微米器件电荷收集中起着很大的作用。分析了器件及粒子各种参数对器件单粒子翻转特性的影响,并着重对SOI器件的双极放大效应进行了模拟仿真,发现其双极增益随LET值增大而减小。最后对全局张应变的应变硅器件进行了模拟仿真,结果并未显示更好的抗单粒子翻转特性。对体硅、SOI和应变硅器件对比,发现全耗尽型SOI器件的抗单粒子翻转特性最好。

关键词： mos器件 SOI 应变硅单粒子翻转效应

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一个适用于短沟HALO结构mos器件的直接隧穿栅电流模型

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Journal of Semiconductors 2006年第7期27卷 1264-1268页

作者：赵要许铭真谭长华北京大学微电子学系北京100871

对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nmos器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构mos器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影... 详细信息

对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nmos器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构mos器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅（2～4nm）短沟（0.13～0.25μm）nmos器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.

关键词： mos器件 HALO结构直接隧穿电流源/漏扩展区

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多晶硅栅光刻前后注F对mos器件辐照特性的影响

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Journal of Semiconductors 1995年第9期16卷 695-699页

作者：张国强严荣良余学锋罗来会任迪远赵元富胡浴红中国科学院新疆物理研究所西安微电子技术研究所

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制... 详细信息

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力．其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致．

关键词： mos器件辐照特性多晶硅栅光刻氟

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As离子注入硅化钛自对准mos器件技术研究

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电子学报 1991年第1期19卷 109-112页

作者：周世芳李炳宗 Paul Chu Clive M.Jones 复旦大学电子工程系 Charles Evans & Associates USA

本工作研究了同时形成polycide栅,源/漏硅化钛接触和浅PN结的mos器件制造技术。实验结果表明,通过硅化钛薄膜注入As,并利用NH_3等离子体辅助热退火(NPTA)工艺,可制备性能良好的mos晶体管。以注入杂质的硅化钛薄膜作为杂质源,在一次高温... 详细信息

本工作研究了同时形成polycide栅,源/漏硅化钛接触和浅PN结的mos器件制造技术。实验结果表明,通过硅化钛薄膜注入As,并利用NH_3等离子体辅助热退火(NPTA)工艺,可制备性能良好的mos晶体管。以注入杂质的硅化钛薄膜作为杂质源,在一次高温退火过程中同时完成杂质的再分布和低电阻率硅化钛的形成,得到结深小于0.1μm,硅化钛电阻率24μΩ·cm。NPTA退火工艺有效地抑制了Ti/Si和Ti/poly-Si固相反应过程中硅化钛的横向生长,从而获得了自对准程度很高的硅化钛接触和互连。

关键词：离子注入硅化钛 mos器件

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注F mos器件的可靠性研究

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Journal of Semiconductors 1997年第4期18卷 297-301页

作者：张国强陆妩范隆余学锋郭旗任迪远严荣良中国科学院新疆物理研究所乌鲁木齐830011

对注FmosFET和CC4007电路进行了60Co－γ辐照和退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中F的引入，能明显减小CC4007电路辐射感生阈电压的漂移和静态漏电流的增长；抑制高温贮藏引起的CC4007电路漏电流的退化，减小辐射感生氧化物电荷和... 详细信息

对注FmosFET和CC4007电路进行了60Co－γ辐照和退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中F的引入，能明显减小CC4007电路辐射感生阈电压的漂移和静态漏电流的增长；抑制高温贮藏引起的CC4007电路漏电流的退化，减小辐射感生氧化物电荷和界面态在退火过程中的再生长速度．F－Si键的形成将减小mos栅氧介质的电导率．

关键词： mos器件可靠性注入氟

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一种亚微米模拟电路中mos器件的设计方法

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西安电子科技大学学报 2000年第1期27卷 30-34页

作者：乔瑛张义门张玉明西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071

提出一种可用于亚微米金属氧化物场效应晶体管的器件模型,它兼具了形式简洁和精度相当于BSIM3模型的特点,在此基础上讨论了器件电性能与结构之间的关系.设计结果与实验结果符合良好.

关键词： mos器件设计模拟电路集成电路

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薄膜SOI mos器件阈值电压的解析模型分析

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固体电子学研究与进展 2003年第1期23卷 27-29,41页

作者：冯耀兰杨国勇张海鹏东南大学微电子中心南京210096

研究了薄膜全耗尽增强型 SOImos器件阈值电压的解析模型 ,并采用计算机模拟 ,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线 ,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合。

关键词： SOI mos器件绝缘层上硅金属-氧化物-半导体阈值电压解析模型

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深亚微米mos器件的热载流子效应

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Journal of Semiconductors 2001年第6期22卷 770-773页

作者：刘红侠郝跃孙志西安电子科技大学微电子所西安710071

对深亚微米器件中热载流子效应 (HCE)进行了研究 .还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系 .在分析热载流子失效机理的基础上 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响 .提出影... 详细信息

对深亚微米器件中热载流子效应 (HCE)进行了研究 .还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系 .在分析热载流子失效机理的基础上 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响 .提出影响晶体管热载流子效应的因素有 :晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率及晶体管在电路中的位置 .通过对这些失效因素的研究并通过一定的再设计手段 ,可以减少热载流子效应导致的器件退化 .

关键词：深亚微米 mos器件热载流子效应可靠性

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