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限定检索结果

文献类型

  • 11 篇 期刊文献
  • 6 篇 学位论文

馆藏范围

  • 17 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 7 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程(可...
    • 3 篇 电子科学与技术(可...
    • 1 篇 信息与通信工程
    • 1 篇 环境科学与工程(可...
  • 6 篇 管理学
    • 6 篇 工商管理
    • 1 篇 管理科学与工程(可...
    • 1 篇 农林经济管理
  • 4 篇 教育学
    • 4 篇 教育学
  • 3 篇 经济学
    • 2 篇 理论经济学
    • 2 篇 应用经济学
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 海洋科学

主题

  • 17 篇 mos模型
  • 3 篇 大学生
  • 3 篇 创业环境
  • 2 篇 创业政策
  • 2 篇 数据库
  • 2 篇 缺陷密度
  • 2 篇 创业政策环境
  • 1 篇 创业胜任力
  • 1 篇 返乡农民工创业
  • 1 篇 ldmos模型
  • 1 篇 运算放大器
  • 1 篇 gem模型
  • 1 篇 海洋灾害
  • 1 篇 亚阈值
  • 1 篇 风暴潮
  • 1 篇 人才培养范式
  • 1 篇 支持向量机(svm)
  • 1 篇 语音质量
  • 1 篇 海归学子
  • 1 篇 半解析法

机构

  • 2 篇 上海电机学院
  • 2 篇 北部湾大学
  • 1 篇 福建师范大学
  • 1 篇 江苏师范大学
  • 1 篇 电信传输所
  • 1 篇 广西北部湾海洋灾...
  • 1 篇 吉林农业科技学院
  • 1 篇 安徽大学
  • 1 篇 上海交通大学
  • 1 篇 北京大学
  • 1 篇 西南财经大学
  • 1 篇 杭州电子科技大学
  • 1 篇 浙江大学
  • 1 篇 广东金融学院
  • 1 篇 广东海洋大学
  • 1 篇 大连工业大学
  • 1 篇 中南大学
  • 1 篇 广西师范大学

作者

  • 2 篇 李鹏
  • 1 篇 唐海仕
  • 1 篇 张晓婷
  • 1 篇 皇江博
  • 1 篇 秦印
  • 1 篇 姜国俊
  • 1 篇 王珺
  • 1 篇 卿涛
  • 1 篇 彭世球
  • 1 篇 张晨晓
  • 1 篇 吕伟锋
  • 1 篇 曹志朋
  • 1 篇 张广平
  • 1 篇 张新美
  • 1 篇 王雷一
  • 1 篇 柏文静
  • 1 篇 吉祥华
  • 1 篇 周佳珉
  • 1 篇 申静
  • 1 篇 古银华

语言

  • 17 篇 中文
检索条件"主题词=MOS模型"
17 条 记 录,以下是11-20 订阅
排序:
经济新常态下推进中国大众创业的财政政策支撑研究
经济新常态下推进中国大众创业的财政政策支撑研究
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作者: 曹志朋 广西师范大学
学位级别:硕士
中国经济发展步入新常态后,体制机制积累的弊端以及深层次的结构性矛盾开始显现。在传统比较优势逐渐下降,经济运行缺乏平稳基础、经济内生动力不足的条件下,当务之急是启动经济增长的内生原动力与发展新引擎——创新创业。推进大众创... 详细信息
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基于M0S模型的大连市海归学子创业政策环境评价研究
基于M0S模型的大连市海归学子创业政策环境评价研究
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作者: 张晓婷 大连工业大学
学位级别:硕士
近年来,随着我国综合实力和国际社会地位的显著提高,涌现了大量海归学子回国创业。越来越多的海归学子心系祖国,对回国创新创业有着强烈的愿望,同时海归创业也必然为祖国的改革创新之路开辟新的领域和新的视角。为此,海归创业潮引起了... 详细信息
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“三维一体”创业政策评估体系的构建与应用
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中国劳动 2014年 第11期 4-7页
作者: 卿涛 古银华 西南财经大学工商管理学院
创业成功与否与创业政策关系密切,而创业政策本身的科学性和系统性也是需要评估的。"三维一体"的创业政策评估体系从"创业者成长阶段"、"创业政策领域"和"创业政策层次"三个维度对创业政策的... 详细信息
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亚阈值LDmosmosT的半解析模型
亚阈值LDMOS和MOST的半解析模型
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作者: 申静 安徽大学
学位级别:硕士
目前为止大体有两种方法来分析晶体管的电学特性,一种是数值分析方法,另一种是解析法。数值分析法几乎接近真实实验,结果固然精确,但是其解是开放的,且没有解析公式,因此无法基于物理意义解释一些现象也不具备预见性。解析法一般... 详细信息
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Cmos运算放大器的设计及其优化方法研究
CMOS运算放大器的设计及其优化方法研究
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作者: 王雷一 北京大学
学位级别:硕士
运算放大器设计在IC电路设计中始终占有重要地位。本文建立了一种基于边界条件约束的运算放大器优化方法。根据设计需要设定相关边界条件,如面积约束,静态工作点约束,和小信号带宽约束等,以较为简单的mos模型为基础,将若干电路方... 详细信息
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一个简单的65nm mosFET失配模型
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计算机辅助设计与图形学学报 2011年 第7期23卷 1280-1284页
作者: 吕伟锋 孙玲玲 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310018 浙江大学超大规模集成电路设计研究所 杭州310027
mosFET的精确匹配对模拟和混合集成电路的性能至关重要,随着器件特征尺寸减小至纳米,将mosFET失配模型进行改良以适应新工艺显得十分迫切.文中应用改进的ALPHA律平均漏电流模型拟合65 nm器件的HSPICE仿真数据,并提取了相关工艺参数,该... 详细信息
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IP电话语音质量的评价与分析
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通信世界 2002年 第36期 46-48页
作者: 袁琦 电信传输所
一、引言 IP电话是近几年内发展起来的一种新的IP网络业务,它是在基于IP协议的包(分组)传输网络上所进行的电话通信业务。IP电话作为信息技术进步带来的一项新型电话业务,已在全世界范围内得到广泛使用,并对传统电话业务形成越来越... 详细信息
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