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MBE脱氧条件与InGaAs/Inp ApD性能的相关性
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红外与毫米波学报 2024年 第1期43卷 63-69页
作者: 郭子路 王文娟 曲会丹 范柳燕 诸毅诚 王亚杰 郑长林 王兴军 陈平平 陆卫 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海200083 中国科学院大学 北京100049 上海科技大学物质科学与技术学院 上海201210 上海量子科学研究中心 上海201315 复旦大学应用表面物理国家重点实验室和物理学系 上海200438
Inp基InGaAs/Inp雪崩光电二极管(ApD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用... 详细信息
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