检索结果-内蒙古大学图书馆

北京师范大学学报（自然科学版） 2003年第2期39卷 188-192页

作者：郭慧民周会姬成周北京师范大学低能核物理研究所北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学物理学系北京100875

从基本半导体方程出发 ,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布 ,载流子浓度分布和输出特性 .晶体管的有效基区宽度约为 50nm .证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制 ,它的输出特性与MOS场效应管的输出... 详细信息

从基本半导体方程出发 ,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布 ,载流子浓度分布和输出特性 .晶体管的有效基区宽度约为 50nm .证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制 ,它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似 .这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件 .

关键词： pnp晶体管数值分析数值模拟电场分布载流子浓度有效基区基本半导体方程

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Zetex新增两款低电压pnp晶体管

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电子与电脑 2007年第10期7卷 41-41页

模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors（捷特科）公司在其低饱和、大电流SOT23FF晶体管系列中新增两款低电压pnp晶体管产品——ZXTP25020CFF和ZXTP19020DFF。

关键词： pnp晶体管低电压模拟信号处理功率管理供应商大电流

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温度系数连续可调的带隙基准源电路设计

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液晶与显示 2018年第5期33卷 412-417页

作者：庄楚楠许佳雄广东工业大学材料与能源学院广东广州510006

为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路... 详细信息

为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路3个子模块。该电路使用MOS晶体管作为可变电阻,通过调节MOS栅极电压控制MOS漏源等效电阻的连续可变,进而改变电路中的电阻比值,实现带隙基准源的温度系数连续可调。使用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,在-25~125℃的工作温度范围内,带隙基准源电路的输出电压的正温度系数可连续调节范围为156.6~2 545.0ppm/℃,输出电压的负温度系数的连续变化范围为156.6~1 337.7ppm/℃,输出基准电压变化为0.95~2.67V,低频时基准电压的电源抑制比达到73.13dB。该电路实现了基准电压从负温度系数向正温度系数的连续可调节,且调节范围较大。

关键词：带隙基准源温度系数连续可调 PTAT电流 pnp晶体管

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TiW合金阻挡层对Cu/Cu^2+扩散的阻挡能力研究

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微电子学 2009年第4期39卷 567-570页

作者：唐昭焕梁涛刘勇谭开洲王飞中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

通过对Cu/Cu2+在TiW及硅中的扩散理论分析,从理论上预测了薄TiW合金阻挡层存在的潜在可靠性问题。对一个发射结结深为0.38μm的pnp管β值的研究表明,80 nm以上厚度的TiW合金层可以在AlCu/TiW/Si系统中作为Cu/Cu2+的扩散阻挡层。

关键词：半导体工艺 TiW 扩散阻挡层 AlCu/TiW/Si系统 pnp晶体管 Cu/Cu2+

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一种SiGe BiCMOS高速pnp器件的设计

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微电子学 2013年第1期43卷 99-102,106页

作者：刘冬华郁芳钱文生上海华虹NEC电子有限公司上海201206

设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构pnp器件。基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的影响。在确定器件结构和制作工艺的基础上,进一步优化了器件特性。基于仿真得到的工艺条件所制作的pnp器件... 详细信息

设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构pnp器件。基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的影响。在确定器件结构和制作工艺的基础上,进一步优化了器件特性。基于仿真得到的工艺条件所制作的pnp器件,其特性与仿真结果基本一致。最终优化的pnp器件的电流增益为38,击穿电压大于7V,特征频率为10GHz。该pnp晶体管改善了横向寄生硅基区pnp晶体管的性能,减少了垂直SiGe基区pnp晶体管工艺的复杂性,采用成本低廉的简单工艺实现了优良的器件性能。

关键词： pnp晶体管 SiGe BiCMOS 电流增益特征频率

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一种面向无源RFID的新型高精度温度传感器

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微电子学 2016年第2期46卷 239-242,246页

作者：陈晖景为平南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

针对目前超低功耗温度传感器误差大的问题,运用由精确比例电流源偏置的寄生衬底pnp晶体管,采用0.18μm混合信号工艺设计了一种可集成于无源RFID标签的新型高精度温度传感器。传感器核心电路产生与绝对温度成正比的电压信号,通过新型开... 详细信息

针对目前超低功耗温度传感器误差大的问题,运用由精确比例电流源偏置的寄生衬底pnp晶体管,采用0.18μm混合信号工艺设计了一种可集成于无源RFID标签的新型高精度温度传感器。传感器核心电路产生与绝对温度成正比的电压信号,通过新型开关电容积分器进行放大,并由改进的12位超低功耗逐次逼近模数转换器完成数字量化。仿真结果表明,单次温度转换时间为4.25ms;在1.8V工作电压下,平均电流为17.5μA;在-37℃~91℃范围内,温度误差为-0.1℃~0.43℃。

关键词：温度传感器射频识别 pnp晶体管动态元件匹配开关电容积分器模数转换器

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一种PN结隔离互补双极工艺