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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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学科分类号

  • 1 篇 工学
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主题

  • 1 篇 单粒子效应
  • 1 篇 可靠性
  • 1 篇 微波功率器件
  • 1 篇 总剂量效应
  • 1 篇 sic衬底gan器件
  • 1 篇 高温加速寿命试验...
  • 1 篇 宇航应用保障
  • 1 篇 低气压放电
  • 1 篇 失效机理
  • 1 篇 氮化镓

机构

  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 固态微波器件与电...

作者

  • 1 篇 林罡

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=SiC衬底GaN器件"
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排序:
gan HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2023年 第2期43卷 136-146页
作者: 林罡 南京电子器件研究所 南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016
经过30年的发展,gan已成为当今化合物半导体领域的研究和产业化的热点,同时也是卫星微波通讯的未来重点发展技术之一,但其可靠性一直是制约gan HEMT器件工程化的重要因素。本文回顾和总结了南京电子器件研究所解决gan HEMT微波器件的可... 详细信息
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