检索结果-内蒙古大学图书馆

北京理工大学学报 2005年第6期25卷 522-525页

作者：苏文勇李蕊邵彬北京理工大学理学院北京100081

对sige异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布... 详细信息

对sige异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对sige和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.

关键词： sige异质结双极晶体管基区渡越时间 Ge分布

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新型宽温区高热稳定性微波功率sige异质结双极晶体管

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物理学报 2013年第10期62卷 270-275页

作者：鲁东金冬月张万荣张瑜洁付强胡瑞心高栋张卿远霍文娟周孟龙邵翔鹏北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124

宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率sige异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率sige HBT模型,分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率sige HBT电学... 详细信息

宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率sige异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率sige HBT模型,分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率sige HBT电学特性和热学特性的影响.研究表明,对于基区Ge组分为阶梯分布的HBT,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,使它与均匀基区Ge组分HBT相比,具有更高的特征频率fT,且电流增益β和fT随温度变化变弱,这有利于防止器件在宽温区工作时电学特性的漂移.同时,器件整体温度有所降低,但器件各指温度分布均匀性较差.考虑多指HBT各发射极指散热能力存在差异,在器件纵向结构设计为基区Ge组分阶梯分布的同时,对其横向版图进行发射极指间距渐变结构设计,用于改善器件各指温度分布的均匀性,进而提高HBT的热稳定性.结果表明,与基区Ge组分为均匀分布的等发射极指间距结构HBT相比,新器件各指温度分布均匀性明显改善,fT保持了较高的值,且β和fT随温度变化不敏感,热不稳定性得到显著改善,显示了新器件在宽温区大电流下工作的优越性.

关键词： sige异质结双极晶体管 Ge组分分布发射极指间距渐变技术热稳定性

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沟槽型发射极sige异质结双极晶体管新结构研究

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物理学报 2014年第14期63卷 395-402页

作者：刘静武瑜高勇西安理工大学电子工程系西安710048

提出了一种沟槽型发射极sige异质结双极晶体管新结构.详细分析了新结构中沟槽型发射极的引入对器件性能的影响,并对其机理进行研究.新型发射极结构通过改变发射极电流路径使电阻分区并联,在不增大结电容的前提下,有效减小发射极电阻,提... 详细信息

提出了一种沟槽型发射极sige异质结双极晶体管新结构.详细分析了新结构中沟槽型发射极的引入对器件性能的影响,并对其机理进行研究.新型发射极结构通过改变发射极电流路径使电阻分区并联,在不增大结电容的前提下,有效减小发射极电阻,提高器件的频率特性.结果表明,新结构器件的截止频率和最大振荡频率分别增加至100.2 GHz和134.4 GHz,更重要的是沟槽型发射极结构的引入,在提高器件频率特性的同时,不会降低器件的电流增益,也不会增加结电容,很好实现了频率特性、电流增益和结电容之间的折中.对沟槽型发射极进行优化设计,改变侧墙高度和侧墙宽度.沟槽型发射极电阻不受侧墙高度改变的影响,频率性能不变;侧墙宽度增加,频率性能降低.

关键词： sige异质结双极晶体管沟槽型发射极发射极电阻

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sige异质结双极晶体管频率特性分析

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西安电子科技大学学报 2003年第3期30卷 293-297页

作者：张鹤鸣戴显英吕懿林大松胡辉勇王伟西安电子科技大学微电子所陕西西安710071

在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与sige异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应.同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论.

关键词： sige异质结双极晶体管时间常数特征频率结构参数电流密度基区扩展效应

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基于噪声抵消的有源匹配sige HBT低噪声放大器设计

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北京工业大学学报 2012年第12期38卷 1822-1827页

作者：丁春宝张万荣金冬月谢红云赵彦晓北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124

基于Jazz 0.35μm sige工艺,设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配sige HBT低噪声放大器.利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶体管输出阻抗较小的特点,通过选取晶体管的结构和偏置电流,实现了输入、输出有源阻抗匹配.由于未... 详细信息

基于Jazz 0.35μm sige工艺,设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配sige HBT低噪声放大器.利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶体管输出阻抗较小的特点,通过选取晶体管的结构和偏置电流,实现了输入、输出有源阻抗匹配.由于未采用占芯片面积大的电感,减少了芯片面积,芯片面积(含焊盘)仅为0.33mm×0.31 mm;由于共基极晶体管的噪声系数比共射极晶体管的噪声系数高,采用噪声抵消结构减少了其引入噪声.低噪声放大器在(0.6～3)GHz工作频带内,增益为17.8～19.2 dB,增益平坦度为±0.7 dB;有源输入、输出匹配良好;在整个频段内,无条件稳定.

关键词：低噪声放大器 sige异质结双极晶体管有源匹配噪声抵消

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超宽带sige HBT低噪声放大器的设计和分析

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高技术通讯 2011年第1期21卷 77-82页

作者：沈珮张万荣金冬月谢红云黄毅文北京工业大学电子信息与工程控制学院北京100124

设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）sige HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的... 详细信息

设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）sige HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的单一电阻。用这种方式设计的LNA，仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配，同时不牺牲偏置。最终设计出的LNA版图面积仅为0．144mm^2。仿真实验显示，在3．1—10GHz超宽频带内，新型UWB LNA实现了低于4．5dB的噪声系数、高达20dB的增益（增益平坦度仅为1．032dB），小于1．637的输出端驻波比，大于2．3的稳定因子。此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义。

关键词：低噪声放大器(LNA) sige异质结双极晶体管超宽带(UWB) 阻抗匹配噪声系数

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UVCVD/UHVCVD技术制备sige HBT材料

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西安电子科技大学学报 2003年第3期30卷 306-308,325页

作者：戴显英胡辉勇张鹤鸣孙建诚西安电子科技大学微电子所陕西西安710071

介绍了一种新的制备sige/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点.应用该技术在10-7Pa超高真空背景、450℃淀积温度及低于10Pa反应压力的条件... 详细信息

介绍了一种新的制备sige/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点.应用该技术在10-7Pa超高真空背景、450℃淀积温度及低于10Pa反应压力的条件下,外延生长了器件级sigeHBT材料.SIMS分析表明,材料层界面清晰,Ge组分和掺杂分布平坦.此外,还研制出了sigeHBT器件.

关键词：紫外光化学气相沉积超高真空化学气相沉积 sige异质结双极晶体管 HBT UVCVD UHVCVD

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3～6GHz sige HBT Cascode低噪声放大器的设计

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北京工业大学学报 2012年第8期38卷 1162-1166页

作者：丁春宝张万荣谢红云沈珮陈亮尤云霞孙博韬王任卿北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124

基于Jazz 0.35μm sige工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平... 详细信息

基于Jazz 0.35μm sige工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为±0.9 dB.放大器的输入输出匹配良好,其回波损耗S11和S22均小于-10dB,输入与输出驻波比小于1.5,1 dB压缩点为-22.9 dBm.在整个频段内,放大器无条件稳定.

关键词：低噪声放大器 sige异质结双极晶体管达林顿对

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sige HBT高频相关噪声的简洁建模

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固体电子学研究与进展 2017年第3期37卷 164-167,186页

作者：赵爱峰王军胡帅西南科技大学信息工程学院四川绵阳621010

基于双极结型晶体管(BJT)大信号简洁模型,采用在基极和集电极节点之间添加RC延迟噪声电流的方法对sige HBT高频相关噪声进行建模,将模型与现有的Transport模型、SPICE模型、Van Vliet模型进行对比来体现该建模方法的准确性,同时再对模... 详细信息

基于双极结型晶体管(BJT)大信号简洁模型,采用在基极和集电极节点之间添加RC延迟噪声电流的方法对sige HBT高频相关噪声进行建模,将模型与现有的Transport模型、SPICE模型、Van Vliet模型进行对比来体现该建模方法的准确性,同时再对模型进行四噪声参数的提取,将提取结果与实测的结果进行比较来验证它的有效性。

关键词： sige异质结双极晶体管简洁模型噪声建模四噪声参数

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sige HBT^(60)Coγ射线辐照效应及退火特性

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Journal of Semiconductors 2006年第9期27卷 1608-1611页

作者：牛振红郭旗任迪远刘刚高嵩中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院研究生院北京100039

研究了国产sige异质结双极晶体管(HBT)60Coγ射线100Gy(Si)~10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性.测试了辐照及退火后的直流电参数.实验结果显示,辐照后基极电流(Ib)明显增大,而集电极电流(Ic)基本不变,表明Ib的增加是... 详细信息

研究了国产sige异质结双极晶体管(HBT)60Coγ射线100Gy(Si)~10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性.测试了辐照及退火后的直流电参数.实验结果显示,辐照后基极电流(Ib)明显增大,而集电极电流(Ic)基本不变,表明Ib的增加是电流增益退化的主要原因.退火结果表现为电流增益(β=Ic/Ib)继续衰降,表明sigeHBT具有“后损伤”效应.对其机理进行了探讨,结果表明其主要原因是室温退火中界面态继续增长引起的.

关键词： sige异质结双极晶体管电离辐射退火后损伤效应

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