检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2007年第3期27卷 317-319,355页

作者：牛振红郭旗任迪远刘刚高嵩中国科学院新疆理化技术研究所

研究了国产结构参数近似的sige HBT与Si BJT在60Coγ射线辐照前和不同剂量辐照后性能的变化,并作了比较。辐照后集电极电流Ic变化很小,基极电流Ib明显增大,表明辐照后电流增益的下降主要是由于Ib的退化所导致。当辐照剂量达到10kGy(Si)... 详细信息

研究了国产结构参数近似的sige HBT与Si BJT在60Coγ射线辐照前和不同剂量辐照后性能的变化,并作了比较。辐照后集电极电流Ic变化很小,基极电流Ib明显增大,表明辐照后电流增益的下降主要是由于Ib的退化所导致。当辐照剂量达到10kGy(Si)时,sige HBT和Si BJT的最大电流增益分别下降为77%和55%,表明了sige HBT具有比Si BJT更好的抗γ射线辐照性能。对辐射损伤机理进行了探讨。

关键词： sige异质结双极晶体管电离辐射损伤机理

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基区重掺杂对sige HBT热学性能的影响

引用

半导体技术 2011年第4期36卷 261-264页

作者：付强张万荣金冬月谢红云赵昕王任卿北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124

相对于同质结晶体管,异质结双极晶体管(HBT)由于异质结的存在,电流增益不再主要由发射区和基区掺杂浓度比来决定,因此可以通过增加基区掺杂浓度来降低基区电阻,提高频率响应,降低噪声系数,但基区掺杂浓度对器件热特性影响的研究却很少... 详细信息

相对于同质结晶体管,异质结双极晶体管(HBT)由于异质结的存在,电流增益不再主要由发射区和基区掺杂浓度比来决定,因此可以通过增加基区掺杂浓度来降低基区电阻,提高频率响应,降低噪声系数,但基区掺杂浓度对器件热特性影响的研究却很少。以多指sigeHBT的热电反馈模型为基础,利用自洽迭代法分析了基区重掺杂对器件集电极电流密度和发射极指温度的影响。通过研究发现,随着基区浓度的增加,sige HBT将发生禁带宽度变窄,基区反向注入发射区的空穴电流增大;同时,基区少子俄歇复合增强,这些都将减小集电极电流密度,降低发射极指温度,从而抑制发射极指热电正反馈,提高器件的热稳定性。

关键词： sige异质结双极晶体管基区重掺杂热电正反馈热学性能掺杂浓度

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基于sige BiCMOS工艺的超宽带低噪声放大器设计

基于SiGe BiCMOS工艺的超宽带低噪声放大器设计

引用

作者：黄毅文北京工业大学

学位级别：硕士

近年来，射频微波技术的应用越来越广泛，主要包括移动通信、卫星通信及无线局域网等。超宽带（UWB）技术由于其传输速率高、功耗低等优点，被誉为未来最理想的短距离无线通信技术之一，近年来受到越来越多人的关注。而作为超宽带接收... 详细信息

近年来，射频微波技术的应用越来越广泛，主要包括移动通信、卫星通信及无线局域网等。超宽带（UWB）技术由于其传输速率高、功耗低等优点，被誉为未来最理想的短距离无线通信技术之一，近年来受到越来越多人的关注。而作为超宽带接收系统第一级模块的低噪声放大器（LNA），它的性能好坏直接影响整个系统的性能。\n 本文的目的是设计一款工作于3-10GHz频段，高性能、低成本的低噪声放大器。由于sige HB工具有良好的高频性能和良好的高频噪声特性，被选为放大器的有源器件，同时，为节省芯片面积，采用了电阻负反馈的电路结构。\n 本文首先以单级负反馈放大电路为例，对负反馈技术在放大器中的作用进行分析，并在此基础上设计了一款无电感的超宽带低噪声放大器。为了达到高增益，LNA采用两级级联结构。同时，采用了多重并联和串联反馈技术保证了电路具有良好的输入输出匹配以及增益平坦度。\n 随后，本文针对增益和噪声特性，对放大器进行了进一步的优化设计。通过选取合适的工作点以及调整反馈电阻值以实现低噪声系数，并将LNA电路中的第二级晶体管用达林顿对代替，以扩展带宽、提升增益。另外，还采用了发射极并联电容的方法，有效地补偿了放大器高频增益下降，改善了整个频带内的增益平坦度。本文在LNA的设计中最大的优点是没有引入电感，这样极大地节省了芯片面积，降低了成本，有利于系统的单片集成。\n 借用射频集成电路设计软件Advanced Design System（ADS），对放大器各项性能参数进行了仿真，结果表明，在3-10GHz范围内，放大器的S21高达22.3dB以上，增益平坦度小于1dB，噪声系数为3.7～4.6dB，S11和S22在整个频带内均小于-12dB，且放大器无条件稳定，LNA性能良好。\n 最后，本文介绍了放大器制作中所要用到的sige BiCMOS的工艺流程，并给出了一些版图设计规则及设计思想，最终基于JAZZ0.35μm BiCMOS工艺画出了LNA的版图，版图尺寸仅为0.35×0.35m㎡，充分显示出无电感的设计在节省芯片面积方面的优势。

关键词：射频电路超宽带低噪声放大器 sige异质结双极晶体管双极-CMOS工艺

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超结集电区微波功率sige HBT宽温区高热稳定性设计方法研究

超结集电区微波功率SiGe HBT宽温区高热稳定性设计方法研究

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作者：鲁东北京工业大学

学位级别：硕士

sige异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)具有高输出功率、优异的高频特性、较高的线性度，且与成熟的Si工艺相兼容，现已广泛应用于大功率压控振荡器、4通道频率可调雷达、X-波段有源阵列天线、智能移动通信终... 详细信息

sige异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)具有高输出功率、优异的高频特性、较高的线性度，且与成熟的Si工艺相兼容，现已广泛应用于大功率压控振荡器、4通道频率可调雷达、X-波段有源阵列天线、智能移动通信终端以及全球宽带无线接入系统等高功率输出的微波电路中。在上述电路中，sige HBT通常工作在宽温区大电流下。然而，为提高电流处理能力而采用的多发射极指并联结构将导致器件温度分布不均匀，中心区域发射极温度较高。又由于发射极电流具有正温度系数，中心指将传导更多的电流，产生更多的热，从而引起电流增益“倒塌”现象，将退化器件的工作特性，导致电路特性漂移。特别地，为提高击穿电压而采用的超结集电区结构会进一步削弱散热能力，加剧热不稳定性，严重限制了sige HBT的高功率处理能力。\n 本文在国家自然科学基金和北京市自然科学基金项目的资助下，详细研究了改善超结集电区微波功率sige HBT宽温区热稳定性的措施，特别是通过纵向结构设计（基区Ge组分阶梯形分布设计）和横向版图设计（发射极指间距渐变设计），来提高超结集电区微波功率sige HBT的稳定性。本文的主要工作有:\n 首先，采用商用半导体仿真软件SILVACO TCAD中的二维工艺仿真模块ATHENA建立了超结集电区sige HBT器件模型，并深入研究了超结参数（超结浓度、超结宽度和超结深度）对超结集电区sige HBT击穿特性和频率特性的影响。分析表明，随着超结浓度降低、超结宽度减小和超结深度增加，超结集电区sige HBT击穿特性显著提高，然而特征频率却随之降低。兼顾到器件的击穿特性和高频特性，本文进一步对超结参数进行了择优选取。\n 其次，从纵向结构角度研究了常见的基区Ge组分分布结构（均匀分布和三角形分布）对超结集电区sige HBT电学特性及其温度敏感性的影响。在此基础上，提出了新型的Ge组分阶梯形分布结构。研究表明，与Ge组分均匀分布器件相比，由于Ge组分缓变引入了少子加速电场，基区Ge组分阶梯形分布的超结集电区sige HBT可在保持良好的击穿特性的同时具有更高的特征频率，且电流增益和特征频率的温度敏感性得到有效改善。\n 第三，从横向版图角度研究了传统的等发射极指间距结构对超结集电区sige HBT温度分布的影响。在此基础上，提出采用发射极指间距渐变结构来改善器件温度分布的均匀性。结果表明，与传统等指间距器件相比，指间距渐变的超结集电区sige HBT峰值温度得以降低，各指最大高低温差相应减小，温度分布均匀性得到了改善。同时，考虑到功率HBT发射极指数通常较多的实际情况，为缩短设计时间、便于器件设计，本文首次提出分组调整法来设计发射极指间距渐变结构，并以16指超结集电区sige HBT为例给出了具体的指间距渐变设计方法。\n 最后，本文将纵向结构设计和横向版图设计有机结合，提出同时具有基区Ge组分阶梯形分布和发射极指间距渐变结构的新型超结集电区微波功率sigeHBT。与传统的基区Ge组分均匀分布的等指间距超结器件相比，新型器件在保持高击穿电压和优异的高频特性的同时，电流增益和特征频率随温度变化的敏感性得到显著改善，特别是器件温度分布均匀性的进一步改善，使得该新型器件可在较宽的温度范围内实现热稳定工作。

关键词： sige异质结双极晶体管超结集电区微波功率热稳定性 Ge组分分布

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sige HBT及其应用

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电子元器件应用 2004年第7期6卷 44-46页

作者：翁寿松无锡市罗特电子有限公司江苏无锡214002

介绍sige异质结双极晶体管HBT的优点、特性、结构、工艺和应用。

关键词： sige异质结双极晶体管 sige集成电路 BiCMOS工艺应用

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组分渐变的sige HBT材料的生长

组分渐变的SiGe HBT材料的生长

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：赵丽霞高国智陈秉克袁肇耿张鹤鸣河北普兴电子科技股份有限公司西安电子科技大学微电子学院

sige异质结双极晶体管(HBT)器件的截止频率(f

关键词： sige异质结双极晶体管迁移率禁带宽度

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