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theoretical and experimental optimization of ingaas channels in gaas phemt structure

Chinese Physics Letters 2015年第6期32卷 173-175页

作者：高汉超尹志军 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electronic Devices Institute

The ground-state energy level （GEL） and electron distribution of gaas pseudomorphic high-electron-mobility transistors （phemts） are analyzed by a self-consistent solution to the Schrodinger-Poisson equations. The indium composition and thickness of the ingaas channel are optimized according to the GEL position. The GEL position is not in direct proportion to 1/d^2 （d is the channel thickness） by considering the influence of electron distribution in the ingaas channel. Indium composition 0.22 and channel thickness 9 nm are obtained by considering the mismatch between ingaas and Algaas. Several phemt samples are grown according to the theoretical results and mobility 6300 cm^2 /V.s is achieved.

关键词： phemt theoretical and experimental optimization of ingaas channels in gaas phemt structure

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