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文献类型

  • 8 篇 学位论文
  • 3 篇 期刊文献

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  • 11 篇 电子文献
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主题

  • 11 篇 verilog-a模型
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  • 1 篇 电路仿真
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  • 1 篇 单电子晶体管hspi...
  • 1 篇 积分器
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  • 1 篇 仿真验证
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  • 1 篇 spice模型
  • 1 篇 主方程
  • 1 篇 环栅隧穿场效应晶...
  • 1 篇 神经网络硬件实现

机构

  • 2 篇 中国科学院大学
  • 2 篇 武汉科技大学
  • 1 篇 华中科技大学
  • 1 篇 北京交通大学
  • 1 篇 东南大学
  • 1 篇 中国科学院研究生...
  • 1 篇 中国科学院微电子...
  • 1 篇 中国科学院上海微...
  • 1 篇 上海交通大学
  • 1 篇 华东师范大学
  • 1 篇 西安理工大学

作者

  • 2 篇 杨骁
  • 1 篇 张锋
  • 1 篇 xiong bin
  • 1 篇 张士英
  • 1 篇 fang cong
  • 1 篇 熊斌
  • 1 篇 gan zhaohui
  • 1 篇 zhang shiying
  • 1 篇 秦汉章
  • 1 篇 龚海峰
  • 1 篇 蔚开晓
  • 1 篇 yang xiao
  • 1 篇 车录锋
  • 1 篇 赵楷
  • 1 篇 zhang feng
  • 1 篇 che lu-feng
  • 1 篇 甘朝晖
  • 1 篇 宫雷雨
  • 1 篇 方聪
  • 1 篇 尚涛

语言

  • 11 篇 中文
检索条件"主题词=Verilog-A模型"
11 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
一种分数阶忆阻器的verilog-a模型及应用
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微电子学 2021年 第4期51卷 563-569页
作者: 甘朝晖 杨骁 尚涛 张士英 武汉科技大学信息科学与工程学院/人工智能学院 武汉430081
近年来,科研人员为研究忆阻器的电气特性及其在电路中的应用,建立了多种整数阶忆阻器的verilog-a模型,但分数阶忆阻器的verilog-a模型还未见报道。文章提出了一种分数阶忆阻器的verilog-a模型,对其相关特性进行了分析,总结了参数对忆阻... 详细信息
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分数阶忆阻器的verilog-a模型及其在神经网络硬件实现中的研究
分数阶忆阻器的Verilog-A模型及其在神经网络硬件实现中的研究
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作者: 杨骁 武汉科技大学
学位级别:硕士
忆阻器是继电阻、电容、电感之后的第四种基本电路元件,表征的是电荷与磁通之间的关系。近年来,研究人员已经建立了多种整数阶忆阻器的verilog-a模型,并研究了整数阶忆阻器模型在电路中的相关应用。但关于分数阶忆阻器的verilog-a模型... 详细信息
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面向电路仿真的verilog--A模型编译优化技术研究
面向电路仿真的Verilog--A模型编译优化技术研究
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作者: 宫雷雨 中国科学院大学
学位级别:硕士
电路仿真技术的发展离不开器件建模的支持,传统的C语言建模耗时费力,因此现在比较先进的器件模型大多采用verilog-A语言来建模。然而要验证一些模型的物理特性、模型的仿真的收敛性和迭代次数等还是需要对verilog-a模型对应的SPICE模... 详细信息
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基于verilog-A的电容式MEMS加速度计模型
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传感技术学报 2008年 第6期21卷 942-945页
作者: 赵楷 熊斌 车录锋 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
本文分析了传统MEMS电容式加速度计模型的不足,根据三明治结构电容式加速度计的特点,考虑了寄生电容和热机械噪声的影响,建立了用verilog-A硬件描述语言实现的模型。该模型与主流集成电路设计环境相兼容,具有很强的可移植性。模拟验证... 详细信息
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基于verilog-A语言的自旋轨道力矩存储及积分电路设计
基于Verilog-A语言的自旋轨道力矩存储及积分电路设计
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作者: 秦汉章 华中科技大学
学位级别:硕士
近年来,信息技术发展日新月异。互联网时代的浪潮还未远去,大数据、人工智能和物联网的新一代信息革命已经蓄势待发了,这带来了对计算技术和存储技术越来越高的要求。磁性随机存储器因为其具有的非易失性、高存储密度、低功耗、高稳定... 详细信息
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模拟电路仿真中verilog--A的导数优化算法
模拟电路仿真中Verilog--A的导数优化算法
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作者: 段思齐 中国科学院大学
学位级别:硕士
随着集成电路整体规模不断扩张,单位面积晶体管数量也快速膨胀,电路仿真中迭代求解电路方程组所花费的时间急速增加,导致电路仿真总体时间越来越长,直接影响到集成电路的设计成本。对于模拟电路仿真软件而言,为了满足设计复杂度不... 详细信息
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一种基于HfO_2材料的RRAM波动性模型
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微电子学 2017年 第6期47卷 847-850,855页
作者: 方聪 李力南 张锋 北京交通大学电子信息工程学院 北京100044 中国科学院微电子研究所 北京100029
基于HfO_2材料制作了一种具有良好非易失性的阻变存储器(RRAM)。根据ECM导电细丝机制,建立了动态的verilog-a模型,该模型包含了RRAM的波动特性。对模型进行直流电压扫描验证,与实际器件的电流-电压特性曲线进行拟合。验证结果表明,该模... 详细信息
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一种基于分段变频的降压型DC-DC设计
一种基于分段变频的降压型DC-DC设计
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作者: 鞠刘洪 东南大学
学位级别:硕士
随着便携式设备的竞争日趋激烈,人们越来越关注产品的性能,从而对电源芯片的转换效率和电压纹波等指标提出了更高的要求。效率与纹波的矛盾在轻载下表现明显:脉冲宽度调制(PWM)模式的轻载效率太低;传统的脉冲频率调制模式(PFM)虽然... 详细信息
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环栅TFET直交流特性及其单元电路优化设计研究
环栅TFET直交流特性及其单元电路优化设计研究
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作者: 蔚开晓 华东师范大学
学位级别:硕士
集成电路工艺已发展到5纳米节点,器件物理尺寸的持续缩减已难以满足市场对于电路性能和功耗的需求,研究者提出了多种新型低功耗半导体器件。隧穿场效应晶体管(TFET)得益于载流子带带隧穿机制,可突破传统MOSFET亚阈值摆幅60m V/Dec的限... 详细信息
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基于信号完整性分析的高速数字PCB设计方法
基于信号完整性分析的高速数字PCB设计方法
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作者: 龚海峰 上海交通大学
学位级别:硕士
在该文中将要提出一种全新的基于信号完整性分析的高速数字PCB的设计方法:在电子产品的电路及PCB版图设计进行之前,先对系统中那些对于信号完整性问题比较敏感的一些高速数字信号建立电路及信号分析模型,并找出所有能够影响信号完整性... 详细信息
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