检索结果-内蒙古大学图书馆

Improved programming performance of EEPROM/flash cell using post-poly-Si gate N₂O annealing

ELECTRONICS LETTERS 1999年第13期35卷 1112-1114页

作者： Huang, KC Fang, YK Yaung, DN Kuo, DS Wang, CS Liang, MS Natl Cheng Kung Univ Dept Elect Engn VLSI Technol Lab Tainan 70101 Taiwan Taiwan Semicond Mfg Co Ltd Hsinchu Taiwan

The effect of post poly-Si N2O annealing on the programming performance and reliability of split-gate source-side-injection EEPROM/flash memory cells has been investigated. It is found that by employing post-poly-Si gate N2O-annealing, the programming efficiency and the immunity to program disturbances can be significantly improved.

关键词： integrated memory circuits EEPROM/flash cell N2O annealing N2O annealing post-poly-Si gate annealing programming efficiency Semiconductor integrated circuits Si Annealing processes in semiconductor technology flash memories polysilicon gate Maintenance and reliability Reliability PLD programming integrated circuit reliability memory circuits split-gate memory cells reliability programming performance improvement program disturbances immunity source-side-injection memory cells

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