检索结果-内蒙古大学图书馆

modulation of the effective work function of TiN metal gate for pmos application

Journal of Semiconductors 2013年第8期34卷 193-196页

作者：韩锴马雪丽杨红王文武 Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology Institute of MicroelectronicsChinese Academy of Sciences

It is important to find a way to modulate the work function of TiN metal gate towards the valence band edge of Si,which can meet the lower threshold voltage requirement of p-type metal-oxide-semiconductor（MOS） *** this work,effects of TiN thickness,post-deposition annealing（PDA）,oxygen incorporation and N concentration variation on the work function of TiN metal gate in MOS structures are systematically investigated. It can be found that the work function positively shifts at the initial stage as the thickness of the TiN layer increases and stabilizes at such a *** at N_2 ambience with a trace of O_2 can also cause a positive shift in the work function of TiN metal *** same tendency can be observed when oxygen is incorporated into ***, increasing the N concentration in TiN can also positively shift the work *** these measures are effective in modulating the TiN metal gate so that it is more suitable for pmos application.

关键词： work function modulation pmos positive shift

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：