检索结果-内蒙古大学图书馆

四阱耦合InGa As/InAl As/InP量子级联激光器材料的结构特性研究

稀有金属 2004年第3期28卷 572-573页

作者：李华李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失... 详细信息

报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失配≤ 1× 10 - 3。采用特殊的优化工艺 ,Φ5 0mm外延片的表面缺路陷密度降至 1× 10cm- 2 ,达到了器件质量的要求。

关键词：量子级联激光器 X射线衍射

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大孔径光电导天线产生的太赫兹脉冲时间特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 588-589页

作者：张同意曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在电流涌流模型中考虑了电场屏蔽效应、有限载流子寿命和有限弛豫时间的影响 ,得到了大孔径光电导天线表面辐射场和辐射远场的解析表达式 ,讨论了辐射场对载流子寿命、弛豫时间、激励光脉冲通量和脉冲宽度的依赖关系。

关键词：光电导天线太赫兹脉冲时间特性解析表达式

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InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究

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半导体光电 2004年第5期25卷 341-344,379页

作者：郝国强张永刚刘天东李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

　从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53... 详细信息

　从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53Ga0.47As光吸收层的载流子浓度对器件的暗电流有很大的影响,实测器件特性与模拟结果完全符合。文中还对器件结面积和电极尺寸等对暗电流的影响进行了比较和分析。

关键词：光电探测器暗电流 InGaAs 化合物半导体

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立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

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功能材料 2004年第z1期35卷 386-389页

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系浙江杭州310027 浙江大学物理系浙江杭州310027 浙江大学物理系浙江杭州310027

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-x... 详细信息

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-xO(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400～800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgxZn1-xO薄膜微结构光学特性

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SOI在高压器件中的应用

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功能材料 2004年第z1期35卷 983-987页

作者：王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.

关键词： SOI 高压器击穿电压

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相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制

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华东师范大学学报（自然科学版） 2004年第1期 49-55页

作者：郭方敏朱守正魏华征郑莹朱荣锦忻佩胜朱自强赖宗声杨根庆陆卫华东师范大学信息科学技术学院上海 200062 中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室华东师范大学信息科学技术学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合开放实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海技术物理所

MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布... 详细信息

MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372°/3.5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。

关键词： MEMS 毫米波相移器相位连续可调传输损耗插入损耗启动电压

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纳机电探针阵列与压阻式传感器集成技术研究

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传感器技术 2004年第1期23卷 73-76页

作者：杨尊先程保罗李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 浙江大学信息与电子工程学系浙江杭州310027

给出了纳机电探针阵列与压阻式传感器集成一维阵列器件结构及工作原理;通过理论计算得到该结构的一些主要的特性参数,计算结果与ANSYS模拟结果相符合;并运用微纳机械加工技术制造出该器件。该器件将加热电阻器、压阻式传感器和硅基针尖... 详细信息

给出了纳机电探针阵列与压阻式传感器集成一维阵列器件结构及工作原理;通过理论计算得到该结构的一些主要的特性参数,计算结果与ANSYS模拟结果相符合;并运用微纳机械加工技术制造出该器件。该器件将加热电阻器、压阻式传感器和硅基针尖集成于在同一超薄微细悬臂梁,通过楔形开孔的机械切断,避免了加热电阻器高温处的PN结在高温下失去电隔离作用。室温下测得该器件加热电阻器的阻值为500～600Ω,压阻式传感器的力敏电阻器的阻值为6～8kΩ。

关键词：压阻式传感器纳机电探针集成纳米探针硅纳机电系统

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电子封装中氮化硅/硅酮双层薄膜的水汽防护研究

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腐蚀科学与防护技术 2004年第5期16卷 287-290页

作者：黄卫东王旭洪王莉盛玫徐立强 Frank Stubhan 罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术国家重点实验室上海新代车辆技术有限公司上海200050 上海新代车辆技术有限公司

测量了在FR4基板上用引线键合和顶充胶封装的湿度传感器在无防护、氮化硅薄膜防护、硅酮涂层防护、硅酮涂层加氮化硅薄膜防护四种情况下及在不同温湿度环境下的水汽扩散曲线。应用有限元分析和FICK扩散方程模拟了实验曲线 ,得到了水汽... 详细信息

测量了在FR4基板上用引线键合和顶充胶封装的湿度传感器在无防护、氮化硅薄膜防护、硅酮涂层防护、硅酮涂层加氮化硅薄膜防护四种情况下及在不同温湿度环境下的水汽扩散曲线。应用有限元分析和FICK扩散方程模拟了实验曲线 ,得到了水汽在各种防护条件下的扩散系数 ,进而计算出水汽扩散的激活能 ,定量比较了各种防护方法的效果。实验和模拟结果表明

关键词：氮化硅硅酮 FR4基板湿度传感器水汽扩散有限元分析法集成电路封装工艺

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先进体硅机械加工技术——从微米到纳米

先进体硅机械加工技术——从微米到纳米

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第一届长三角地区传感技术学术交流会

作者：李昕欣王跃林李铁杨恒焦继伟传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

介绍了多种自主研发的先进体硅机械加工技术。在湿法各向异性腐蚀技术方面,开发了一种“掩模-无掩模三维腐蚀技术”,只进行一次光刻,就可以用顺序的腐蚀过程实现多层微机械结构,用该技术可以制备多种先进MEMS器件。介绍用ICP-DRIE深刻... 详细信息

介绍了多种自主研发的先进体硅机械加工技术。在湿法各向异性腐蚀技术方面,开发了一种“掩模-无掩模三维腐蚀技术”,只进行一次光刻,就可以用顺序的腐蚀过程实现多层微机械结构,用该技术可以制备多种先进MEMS器件。介绍用ICP-DRIE深刻蚀工艺实现的多种先进MEMS结构和开发的传感器。充分结合硅材料的各向异性和加工技术的高度选择性,体硅加工技术可以有力延伸到制造具有纳米特征尺度的纳机电器件。本文以集成探针和纳米硅谐振梁的体硅加工为例,表明了体硅加工技术的能力和发展前景。

关键词：机械加工技术

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转动竖直镜面的微机械光开关

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科技通讯（上海） 2004年第1期10卷 54-58页

作者：杨艺榕刘文平王跃林吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

提出并制作了转动竖直微镜的微机械光开关,采用曲线形状的电极设计,有效地减低了悬臂梁驱动器的吸合电压,采用体硅深刻蚀技术结合(110)硅的各向异性腐蚀技术制备了光开关芯片和耦合对准的U形槽和卡簧。芯片经初步封装后进行了电学测试... 详细信息

提出并制作了转动竖直微镜的微机械光开关,采用曲线形状的电极设计,有效地减低了悬臂梁驱动器的吸合电压,采用体硅深刻蚀技术结合(110)硅的各向异性腐蚀技术制备了光开关芯片和耦合对准的U形槽和卡簧。芯片经初步封装后进行了电学测试和光学测试,测得吸合电压78.5V,谐振频率2.3kHz,光开关损耗5dB,隔离度45dB。

关键词：各向异性腐蚀深反应离子刻蚀 MEMS 光开关微机械静电耦合分析有限元

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