检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2003年第5期22卷 349-352页

作者：陈奶波邱东江吴惠桢张寒洁鲍世宁何丕模浙江大学物理系浙江杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝... 详细信息

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝移至 373nm ,这可能与MgZnO的带隙变宽有关 .对ZnO薄膜的研究还发现 ,生长过程中充O2 与否对ZnO发光特性的影响显著 ,不充O2 时样品的紫外荧光峰较之充O2

关键词：紫外光致荧光谱 X射线光电子能谱晶体薄膜氧化锌电子束蒸发反应沉积法光谱蓝移光谱红移带隙

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微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析

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机械强度 2003年第4期25卷 395-400页

作者：宗登刚王钻开陆德仁王聪和中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 香港理工大学应用物理系

用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14... 详细信息

用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14 .0GPa± 2 9.2GPa ,残余应力为 2 65 .0MPa± 3 4.1MPa。探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响 ,得到低应力氮化硅的弯曲强度为 6.9GPa± 1.1GPa。对微桥法测量误差的分析表明 ,衬底变形。

关键词：微电子机械系统低压化学气相沉积氮化硅弹性模量残余应力弯曲强度微机械悬桥法误差分析

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微机械陀螺振动特性的等效电学模拟

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电子与信息学报 2003年第2期25卷 279-283页

作者：车录锋熊斌黄小振王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

根据微机械陀螺的动力学方程建立其振动特性的等效电路模型,该模型用电路模拟工具PSPICE实现。利用这个电路模型,可以分析陀螺的振动特性,包括检测振动的瞬态响应和稳态响应,检测振动对输入角速度的频率响应特性,从而可以获得陀螺工作... 详细信息

根据微机械陀螺的动力学方程建立其振动特性的等效电路模型,该模型用电路模拟工具PSPICE实现。利用这个电路模型,可以分析陀螺的振动特性,包括检测振动的瞬态响应和稳态响应,检测振动对输入角速度的频率响应特性,从而可以获得陀螺工作的优化条件;并为传感器与接口电路的整体模拟打下基础。

关键词：微机械陀螺振动特性等铲电路模型模拟

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近红外波段光子晶体的微细加工方法研究进展

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功能材料 2003年第3期34卷 242-243,246页

作者：汪扬宋志棠章宁琳林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

　光子晶体及其在光电子领域的应用是目前国际上的研究热点之一,是一种新型的光电子功能材料。在近红外光通讯领域中,光子晶体(对应光子晶体晶格常数为亚微米)有非常重要的应用,可以制作许多以前所不能制作的高性能光学器件。如何制备... 详细信息

　光子晶体及其在光电子领域的应用是目前国际上的研究热点之一,是一种新型的光电子功能材料。在近红外光通讯领域中,光子晶体(对应光子晶体晶格常数为亚微米)有非常重要的应用,可以制作许多以前所不能制作的高性能光学器件。如何制备用于光通讯领域的光子晶体越来越引起广泛关注。本文综述了近红外波段光子晶体的微细加工制备方法的研究进展。

关键词：光子晶体微细加工光电子功能材料近红外波段光学器件研究进展

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多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 189-193页

作者：谢欣云刘卫丽门传玲林青沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .

关键词：绝缘埋层氮化硅薄膜 SOI结构多孔硅外延转移

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超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能

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Journal of Semiconductors 2003年第10期24卷 1099-1102页

作者：章宁琳宋志棠沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空... 详细信息

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2 等杂质 .扩展电阻法 (SRP)和剖面透射电镜 (XTEM)都表征出 6 0 0℃退火样品清晰的ZrO2 /topSi/BO/Sisub的结构 ,其中ZrO2 /topSi界面陡直 ,没有界面产物生成 .选区电子衍射显示薄膜在 6 0 0℃快速退火后仍基本呈非晶态 .研究了上述MOSOS结构的高频C V性能 ,得到ZrO2 薄膜的等效氧化物厚度EOT =9 3nm ,相对介电常数ε≈ 2 1,平带电位VFB=- 2 4 5 1eV .

关键词：超高真空电子束蒸发法全耗尽SOI MOSFET 高k栅介质 ZrO2

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多传感器目标识别的判决域与可靠性分析

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微电子学与计算机 2003年第8期20卷 171-173页

作者：王平中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

文章利用概率方法对多传感器目标识别系统进行了分析,提出了利用判决域与决定率进行目标识别的一种方法,利用判决域方法对确定事件发生与否进行决策可以减少传感器系统的误响应,同时保证传感器系统进行目标识别时的可靠性。

关键词：多传感器系统目标识别判决域可靠性分析概率

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压阻式高量程微加速度计的冲击校准

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传感器技术 2003年第11期22卷 78-80页

作者：郇勇张泰华杨业敏王钻开陆德仁中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室北京100080 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家实验室上海200050

采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情... 详细信息

采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下,被测微加速度计的灵敏度为1.26μV/gn。

关键词：微电子机械系统微加速度计 Hopkinmn杆校准扩散技术芯片结构

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悬臂式RF MEMS开关的设计与研制

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Journal of Semiconductors 2003年第11期24卷 1190-1195页

作者：郭方敏赖宗声朱自强贾铭初建朋范忠朱荣锦戈肖鸿杨根庆陆卫华东师范大学信息科学和技术学院上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz... 详细信息

介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz) ;阈值电压为 13V ;开关处于“开通”态 ,插入损耗为 4～ 7d B(1～ 10 GHz) ,反射损耗为 - 15 d B.另外 ,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系 ,并应用 ANSYS软件对开关进行了电学。

关键词：悬臂梁插入损耗隔离度 ANSYS软件阈值电压

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SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究

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中国科学（E辑） 2003年第1期33卷 47-55页

作者：张苗吴雁军刘卫丽安正华林成鲁朱剑豪中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 香港城市大学物理与材料科学系

采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂... 详细信息

采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂量Cu杂质(5×1013,5×1014,5×1015cm-2)的吸除.剖面透射电子显微镜(XTEM)与二次离子质谱(SIMS)分析表明,700℃以上,Cu杂质可以穿过SIMOX和Smart—Cut材料不同的氧化埋层到达硅衬底,并被纳米孔吸附.SIMOX氧化埋层界面的本征缺陷对Cu杂质具有一定的吸附作用,但吸杂效果远远低于纳米孔吸杂,且高温下会将杂质释放出来.Smart—cut SOI的氧化埋层界面完整,不具备吸杂作用.1000℃退火后,纳米孔可吸附高达3.5×1015cm-2以上的Cu杂质,纳米孔吸杂效率随Cu注入剂量的降低而升高.当顶层硅中Cu剂量低于5×1014 cm-2时,纳米孔吸杂效率达到90%以上,并将顶层硅中Cu杂质浓度降低到原来的4％以下.纳米孔吸杂是一条解决SOI杂质去除难题的有效途径.

关键词： SOI材料吸杂离子注入纳米孔铜金属杂质化学键吸附纳米技术

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