检索结果-内蒙古大学图书馆

中国科学（E辑） 2003年第1期33卷 47-55页

作者：张苗吴雁军刘卫丽安正华林成鲁朱剑豪中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 香港城市大学物理与材料科学系

采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂... 详细信息

采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂量Cu杂质(5×1013,5×1014,5×1015cm-2)的吸除.剖面透射电子显微镜(XTEM)与二次离子质谱(SIMS)分析表明,700℃以上,Cu杂质可以穿过SIMOX和Smart—Cut材料不同的氧化埋层到达硅衬底,并被纳米孔吸附.SIMOX氧化埋层界面的本征缺陷对Cu杂质具有一定的吸附作用,但吸杂效果远远低于纳米孔吸杂,且高温下会将杂质释放出来.Smart—cut SOI的氧化埋层界面完整,不具备吸杂作用.1000℃退火后,纳米孔可吸附高达3.5×1015cm-2以上的Cu杂质,纳米孔吸杂效率随Cu注入剂量的降低而升高.当顶层硅中Cu剂量低于5×1014 cm-2时,纳米孔吸杂效率达到90%以上,并将顶层硅中Cu杂质浓度降低到原来的4％以下.纳米孔吸杂是一条解决SOI杂质去除难题的有效途径.

关键词： SOI材料吸杂离子注入纳米孔铜金属杂质化学键吸附纳米技术

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AlN薄膜室温直接键合技术

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 216-220页

作者：门传玲徐政安正华吴雁军林成鲁同济大学材料学院微电子所上海200092 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,... 详细信息

采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,形成了以 Al N薄膜为埋层的 SOI结构 ,即 Al N上的硅结构 (SOAN) .用扩展电阻、卢瑟福背散射 -沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的 SOAN结构 .

关键词：直接键合 A1N薄膜智能剥离绝缘层上硅离子束增强沉积

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曲面过载保护的新型高g值冲击硅微机械加速度传感器的设计

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机械强度 2003年第2期25卷 148-150,214页

作者：董健李昕欣王跃林张鲲宋朝晖浙江大学信息与电子工程系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

给出一种测量高g值冲击加速度的硅微机械加速度传感器的结构和动力学模型 ,此传感器为整体式悬臂梁结构 ,采用硅微机械加工技术制作 ,便于封装和大批量低成本制造。其敏感方向在硅片平面内 ,两个压敏电阻分布在悬臂梁的顶端 ,两个完全... 详细信息

给出一种测量高g值冲击加速度的硅微机械加速度传感器的结构和动力学模型 ,此传感器为整体式悬臂梁结构 ,采用硅微机械加工技术制作 ,便于封装和大批量低成本制造。其敏感方向在硅片平面内 ,两个压敏电阻分布在悬臂梁的顶端 ,两个完全相同的悬臂梁沿相反方向分布 ,四个压敏电阻构成惠斯通全桥连接 ;悬臂梁的过载保护采用上下两个曲面 ,一方面有效地提高悬臂梁的过载保护能力 ,另一方面调节加速度传感器的压膜阻尼 ,使之接近临界阻尼 ,有效抑制自由振动模态 ,提高测量精度。

关键词：曲面过载保护冲击硅微机械加速度传感器压膜阻尼

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新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性

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同济大学学报（自然科学版） 2003年第3期31卷 361-364页

作者：门传玲徐政安正华林成鲁同济大学材料科学与工程学院上海200092 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为减轻传统SOI(silicon on insulator)材料的自加热效应 ,首次利用智能剥离技术 (smart cutprocess)成功制备了SOAN(silicon on aluminum nitride)结构 ,即以氮化铝 (AlN)薄膜为埋层的SOI结构 .采用离子束增强技术(IBED)在 10 .16cm(4in)硅片上合成了AIN薄膜 .剖面透射电镜照片证实了此SOAN结构 .高分辨的X射线衍射技术被用来研究此结构的剩余晶格应力 ,实验结果表明刚得到的SOAN结构在 110 0℃下退火

关键词：氮化铝薄膜应力高分辨X射线衍射

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功能碳薄膜化学键成分的椭偏光谱研究

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功能材料 2003年第5期34卷 582-584页

作者：莫党李芳陈第虎郭扬铭魏爱香中山大学理工学院光电材料与技术国家重点实验室广东广州510275 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室

　用磁过滤真空离子溅射系统,改变加在单晶Si(100)衬底上的衬底偏压,制备不同sp3C键与sp2C键比例的碳薄膜样品。测量了2.0～5.0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱。发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系。我们提出一种较... 详细信息

　用磁过滤真空离子溅射系统,改变加在单晶Si(100)衬底上的衬底偏压,制备不同sp3C键与sp2C键比例的碳薄膜样品。测量了2.0～5.0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱。发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系。我们提出一种较简便的分析解谱方法,分析所测得的各个椭偏光谱,半定量地确定各碳薄膜样品的sp3C键与sp2C键比例。所得结果还与同类样品的拉曼光谱与吸收光谱测量结果相比较,结果基本上是一致的。研究结果表明椭偏光谱方法可以发展成一种较简便的、对样品无损伤的测定功能碳薄膜中的sp3C键成分的新方法。

关键词：功能碳薄膜化学键椭偏光谱四配位非晶碳拉曼光谱吸收光谱

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MEMS传感器性能提高相关技术研究

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仪表技术与传感器 2003年第1期 8-9,25页

作者：黄树森李昕欣王跃林鲍敏杭中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 复旦大学微电子学系上海200433

在分析MEMS(微电子机械系统 )传感器当前的发展现状、特点特别是在器件实用化和产品化进程中所面临的挑战后 ,提出了MEMS传感器技术实用化的关键———提高器件性能满足应用要求。根据研究经历举例说明改进传感器材料、结构。

关键词：微电子机械系统微传感器微执行器微机械技术

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大气下空气滑膜阻尼对微机械惯性传感器的影响

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工程设计学报 2003年第5期10卷 271-274页

作者：董林玺焦继伟陈永王跃林浙江大学信息与电子工程学系浙江杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

设计并制作了一种可在大气下工作的栅结构电容式微机械加速度传感器,并对其空气滑膜阻尼特性进行了研究.测试结果表明该种结构机械品质因子Q值在大气压下能达到504.这种具有高Q值的栅形电容检测结构可以应用到微机械陀螺的检测模式,它... 详细信息

设计并制作了一种可在大气下工作的栅结构电容式微机械加速度传感器,并对其空气滑膜阻尼特性进行了研究.测试结果表明该种结构机械品质因子Q值在大气压下能达到504.这种具有高Q值的栅形电容检测结构可以应用到微机械陀螺的检测模式,它无需真空封装,可以在大气环境下工作,且灵敏度提高.对陀螺原型的测试结构表明,其在大气下检测模态的Q值可以达到715.

关键词：滑膜阻尼电容检测栅形结构

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太赫兹辐射源与探测器研究进展

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功能材料与器件学报 2003年第2期9卷 111-117页

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

太赫兹(THz)技术涉及电磁学、光电子学、半导体物理学、材料科学以及微加工技术等多个学科,它在信息科学、生物学、医学、天文学、环境科学等领域有重要的应用价值。THz振荡源与THz探测器则是THz频段应用的关键器件,也是THz技术研究领... 详细信息

太赫兹(THz)技术涉及电磁学、光电子学、半导体物理学、材料科学以及微加工技术等多个学科,它在信息科学、生物学、医学、天文学、环境科学等领域有重要的应用价值。THz振荡源与THz探测器则是THz频段应用的关键器件,也是THz技术研究领域的最前沿问题。本文简要概括了THz电磁波的重要特点、应用价值以及THz辐射源和探测器的最新研究进展。

关键词：太赫兹辐射源电磁波探测器负有效质量非线性动力学研究进展 THz电磁波

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栅结构微陀螺大角速度信号输入下分辨率的研究

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功能材料与器件学报 2003年第4期9卷 423-428页

作者：付盛荣熊斌车录锋王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

主要研究了大角速度信号输入对栅结构振动式微陀螺及其检测电路分辨率的影响。在0.01-200°/s的动态范围内,按照设计值,陀螺器件与检测电路组成的系统能够分辨0.01°/s的输入角速度变化。考虑到驱动电压和积分电容与敏感电容的... 详细信息

主要研究了大角速度信号输入对栅结构振动式微陀螺及其检测电路分辨率的影响。在0.01-200°/s的动态范围内,按照设计值,陀螺器件与检测电路组成的系统能够分辨0.01°/s的输入角速度变化。考虑到驱动电压和积分电容与敏感电容的特性差异的影响后,当输入角速度大于10°/s时,整个系统即无法分辨0.01°/s的输入角速度变化。针对这种情况,提出了在传感器件上集成关键元件的方法来解决大角速度信号输入下整个系统分辨率降低的问题。

关键词：栅结构微陀螺分辨率大角速度信号输入惯性传感器件

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InGaP/GaAs双结太阳电池

InGaP/GaAs双结太阳电池

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2003年中国太阳能学会学术年会

作者：张永刚刘天东胡雨生朱诚南矿军洪婷李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

本文报道了我们设计研制的InGaP/GaAs双结太阳电池,电池的转换效率在22%～24%之间(1AM0,28℃),填充因子约80%。文中对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论。

关键词：光伏串接太阳电池化合物半导体 InGaP/GaAs

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