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作者

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语言

  • 1,108 篇 中文
检索条件"机构=上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
1108 条 记 录,以下是1091-1100 订阅
排序:
高量程加速度计的力学性能分析
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机械强度 2002年 第4期24卷 515-517页
作者: 王钻开 宗登刚 陆德仁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
提出一种计算加速度计灵敏度和频率的改进方法。该方法在计算微结构的灵敏度和频率时考虑质量块的变形及梁的质量。得到的结果表明 ,当梁与质量块的厚度比变得较大时 ,梁的上表面的最大拉应力值不再等于最大压应力值。该方法计算得到的... 详细信息
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p型量子阱太赫兹振荡器研究
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固体电子学研究与进展 2002年 第2期22卷 241-243页
作者: 曹俊诚 李爱珍 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 200050
采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的... 详细信息
来源: 评论
一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展
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物理 2002年 第4期31卷 219-223页
作者: 安正华 张苗 门传玲 谢欣云 沈勤我 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiG... 详细信息
来源: 评论
SOI新结构——SOI研究的新方向
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物理 2002年 第4期31卷 214-218页
作者: 谢欣云 林青 门传玲 安正华 张苗 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
SOI(silicon on insulator :绝缘体上单晶硅薄膜 )技术已取得了突破性的进展 ,但一般SOI结构是以SiO2 作为绝缘埋层 ,以硅作为顶层的半导体材料 ,这样导致了一些不利的影响 ,限制了其应用范围 .为解决这些问题和满足一些特殊器件 电路... 详细信息
来源: 评论
一种新型微机械陀螺的研究
收藏 引用
技术通讯 2002年 第9期12卷 38-41页
作者: 熊斌 黄小振 王跃林 王渭源 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
设计了一种检测模态和驱动模态具有相近品种因子的微机械陀螺。这种我们称之为栅型结构的陀螺由悬空弹簧将具有栅条的检测质量块与衬底相联。计算结果表明 ,这种器件在大气压条件下其驱动模态和检测模态的品质因子几乎同为 14 0。同时 ... 详细信息
来源: 评论
A Generalized Reynolds' Equation For Squeeze-Film Air Damping in MEMS
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Journal of Semiconductors 2002年 第12期23卷 1245-1248页
作者: 鲍敏杭 孙远程 杨恒 王跃林 复旦大学微电子学系专用电路国家重点实验室 上海200433 中国科学院上海微系统和信息技术研究所传感器国家重点实验室 上海200050
A differential equation that is generally effective for squeeze film air damping of perforated plate and non perforated plate as well as in MEMS devices is *** perforated plate,the thickness and the dimensions of th... 详细信息
来源: 评论
用于微电子机械系统封装的体硅键合技术和薄膜密封技术
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中国工程科学 2002年 第6期4卷 56-62页
作者: 王渭源 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术 ,整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术 ,以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述 ,强调在器件研究开始时应考虑封装问题 ,具体技术则应在保证器件功能和尽... 详细信息
来源: 评论
SOI的自加热效应与SOI新结构的研究
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功能材料与器件学报 2002年 第2期8卷 205-210页
作者: 林青 谢欣云 朱鸣 张苗 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作... 详细信息
来源: 评论
基于光谱学方法半导体激光器热特性测量
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飞通光电子技术 2002年 第3期2卷 132-135页
作者: 南矿军 张永刚 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
报道了一种基于激射光谱进行半导体激光器热特性测量的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导应变补偿多量子阱激光器的激射光谱,可以得到该激光器的热阻等热特性参数。实验中也测量了该激光器的... 详细信息
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基于脉冲I-V测试方法的半导体激光器热特性测量
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飞通光电子技术 2002年 第4期2卷 186-189页
作者: 南矿军 张永刚 何友军 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器... 详细信息
来源: 评论