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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：王会武王永良董慧张懿谢晓明 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Peter Grünberg Institute (PGI-8)Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

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器官芯片联合物联网医学在药物疗效预测中的应用

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国际检验医学杂志 2023年第20期44卷 2536-2542页

作者：谢林杉李泽宁孙梦婷周建宋元林白春学(综述) 毛红菊杨达伟(审校) 复旦大学附属中山医院呼吸与危重症医学科上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所/传感技术联合国家重点实验室上海200050 上海市呼吸病研究所物联网医学研究室上海200030 上海市肺部炎症与损伤重点实验室上海200030 上海呼吸物联网医学工程技术研究中心上海200030 上海市重大传染病和生物安全研究院上海200030 复旦大学附属中山医院(厦门)呼吸与危重症医学科福建厦门361000

随着器官芯片技术的迅猛发展,器官芯片能更好地反映人体或细胞外环境的复杂作用,也可以弥补动物模型与人类在生物学上的差异而导致的结果误差,具有极好的应用前景。“物联网医学”概念的提出,有助于解决先进医疗模式与人力不足和设备资... 详细信息

随着器官芯片技术的迅猛发展,器官芯片能更好地反映人体或细胞外环境的复杂作用,也可以弥补动物模型与人类在生物学上的差异而导致的结果误差,具有极好的应用前景。“物联网医学”概念的提出,有助于解决先进医疗模式与人力不足和设备资源陈旧之间的矛盾,最终消除“三低、四差、两难”的问题。将物联网医学的概念应用于疾病的诊断和治疗时,在设备和技术方面有一定的要求。文章提出将器官芯片与“物联网医学”相结合应用于医学检验学中,利用器官芯片建立疾病模型,利用物联网医学的云端共享功能,实现多中心的数据共享和实时数据监测,有助于推动疾病诊疗的进展,实现患者个体化精准诊疗的需求。

关键词：微流体器官芯片物联网医学呼吸道疾病医学检验学

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Sr掺杂的拓扑绝缘体Bi2Se3中超导与微观结构之间的关系研究

Sr掺杂的拓扑绝缘体Bi2Se3中超导与微观结构之间的关系研究

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：王梦李卓君张德炯韩超群刘文晶乔山钱冬高春雷徐贲田鹤高波超导电子学卓越创新中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 硅材料国家重点实验室电镜中心浙江大学材料学院杭州310027 人工结构及量子调控重点实验室上海交通大学物理与天文系上海200240 复旦大学物理系上海清华大学北京

通过掺杂的方法在拓扑绝缘体中诱导出超导，是实现拓扑超导电性和寻找神秘的Majorana 费米子的一种重要可能途径，然而其超导机理目前尚无定论。我们试图通过对掺杂原子的占位分析，从微观机构上提供一个新的理解思路。

关键词：

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原位液体透射电镜技术现状及展望简介

原位液体透射电镜技术现状及展望简介

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2014年全国电子显微学学术会议

作者：陈新成岩宋志棠周丽绘王宜冰王平曹红亮李唱魏非非华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室上海市先进聚合物材料重点实验室上海200237 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所)上海200050 华东理工大学上海200237 华东理工大学生物医药纳米技术中心上海200237

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硅基GaN深槽刻蚀隔离工艺研究

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功能材料与器件学报 2021年第2期27卷 128-132页

作者：游晋豪郑理赵一泽程新红俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学材料科学与光电工程中心

在这项工作中,我们研究了应用于硅基GaN平台单芯片集成的深槽刻蚀及隔离的相关工艺。我们优化了感应耦合等离子体（ICP）刻蚀的工艺参数和刻蚀气体（Cl2和BCl3）的组分比例,并在刻蚀深槽后,通过等离子体增强化学汽相沉积（PECVD）和等... 详细信息

在这项工作中,我们研究了应用于硅基GaN平台单芯片集成的深槽刻蚀及隔离的相关工艺。我们优化了感应耦合等离子体（ICP）刻蚀的工艺参数和刻蚀气体（Cl2和BCl3）的组分比例,并在刻蚀深槽后,通过等离子体增强化学汽相沉积（PECVD）和等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术在深槽内沉积绝缘介质。在GaN外延层（～1.8μm）的极限电压（200 V）下,沉积SiO2的深槽的泄漏电流（～1μA/mm）比离子注入隔离的泄漏电流（～10μA/mm）低一个数量级;得益于PEALD-Al2O3的均匀覆盖和有效钝化,泄漏电流可以进一步降低一个数量级（～0.1μA/mm）,充分体现了深槽隔离的优势。因此这项技术有助于推动硅基GaN单芯片集成的发展与应用。

关键词：深槽刻蚀硅基GaN 隔离介质沉积

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组合微图案模式对成肌细胞单细胞捕获和排列

组合微图案模式对成肌细胞单细胞捕获和排列

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2017中国生物医学工程大会

作者：刘晓艺刘姚萍王玮赵峰孙艳樊瑜波北京航空航天大学生物与医学工程学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室北京大学微电子学研究院北京航空航天大学生物与医学工程学院北京航空航天大学生物与医学工程学院国家康复辅具研究中心

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中国基于同步辐射光源的ARPES线站简介

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中国科学：物理学、力学、天文学 2023年第6期53卷 2-19页

作者：刘嘉宇沈大伟柳仲楷孙喆黄耀波乔山中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 中国科学院上海高等研究院上海光源科学中心上海201204

角分辨光电子能谱(ARPES)凭借直接探测电子能量和动量的优势,在研究固体材料能带结构、费米面以及能隙等方面发挥着重要作用.近年来,通过追随国际领先水平,我国ARPES技术得到了飞速发展,其中与第一、二、三代同步辐射光源的结合更是帮... 详细信息

角分辨光电子能谱(ARPES)凭借直接探测电子能量和动量的优势,在研究固体材料能带结构、费米面以及能隙等方面发挥着重要作用.近年来,通过追随国际领先水平,我国ARPES技术得到了飞速发展,其中与第一、二、三代同步辐射光源的结合更是帮助凝聚态物理和自旋电子学等研究方向实现了许多重大突破.本文从线站技术特点和主要成果两个角度简要介绍了目前中国主要的基于同步辐射ARPES光束线站:包括合肥光源角分辨光电子能谱线站,上海光源“梦之线”、BL03U、BL07U-Nano ARPES和BL07U-自旋分辨ARPES线站,同时还对基于未来合肥先进光源的新ARPES线站进行了展望.这些实验站将在新型量子材料探索与调控、微纳原型器件的研发等方面提供关键且不可替代的技术支撑.

关键词：同步辐射角分辨光电子能谱量子材料

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