检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2002年第3期8卷 218-222页

作者：高少文陈意桥李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用***提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层。研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量... 详细信息

对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用***提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层。研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系。

关键词： GaInAs/GaInAsP 应变量子阱色散能带粒体激光器

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射频等离子体分子束外延GaN的极性研究

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功能材料与器件学报 2002年第4期8卷 361-364页

作者：赵智彪齐鸣朱福英李爱珍中国科学院微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究。由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外... 详细信息

对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究。由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar。

关键词：分子束外延原子力显微镜光辅助湿法刻蚀极性氮化镓

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负有效质量亚毫米波振荡器的电流振荡模式

负有效质量亚毫米波振荡器的电流振荡模式

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

理论上研究了在直流偏置下量子阱负有效质量p+pp+二极管中时空电流振荡模式以及电流自振荡频率特性.计算中考虑了杂质散射、声学声子散射、极化光学声子散射以及非极化光学声子散射.计算表明,外加偏压和掺杂浓度强烈影响电流自振荡的模... 详细信息

理论上研究了在直流偏置下量子阱负有效质量p+pp+二极管中时空电流振荡模式以及电流自振荡频率特性.计算中考虑了杂质散射、声学声子散射、极化光学声子散射以及非极化光学声子散射.计算表明,外加偏压和掺杂浓度强烈影响电流自振荡的模式和频率.电流自振荡频率在太赫兹(THz,1THz=10<'12>Hz)范围.负有效质量p+pp+二极管可望作为可调频的THz振荡源.

关键词：亚毫米波振荡器电流振荡模式振荡频率掺杂浓度

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GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响

GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：于广辉千叶大学电子光情报基础技术研究中心(日本) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

本文通过对于生长过程的在位监测,以及生长后的外延片的结晶和表面测量,研究了在MOCVD生长中,研究了低温缓冲层生长速率对于外延层质量的影响.

关键词：低温缓冲层半导体材料氮化镓化学气相淀积外延生长

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