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检索条件"机构=上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
1108 条 记 录,以下是1101-1110 订阅
排序:
Ga_xIn_(1-x)As/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算
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功能材料与器件学报 2002年 第3期8卷 218-222页
作者: 高少文 陈意桥 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用***提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层。研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量... 详细信息
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射频等离子体分子束外延GaN的极性研究
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功能材料与器件学报 2002年 第4期8卷 361-364页
作者: 赵智彪 齐鸣 朱福英 李爱珍 中国科学院微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究。由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外... 详细信息
来源: 评论
负有效质量亚毫米波振荡器的电流振荡模式
负有效质量亚毫米波振荡器的电流振荡模式
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室(上海)
理论上研究了在直流偏置下量子阱负有效质量p+pp+二极管中时空电流振荡模式以及电流自振荡频率特性.计算中考虑了杂质散射、声学声子散射、极化光学声子散射以及非极化光学声子散射.计算表明,外加偏压和掺杂浓度强烈影响电流自振荡的模... 详细信息
来源: 评论
GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响
GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 于广辉 千叶大学电子光情报基础技术研究中心(日本) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)
本文通过对于生长过程的在位监测,以及生长后的外延片的结晶和表面测量,研究了在MOCVD生长中,研究了低温缓冲层生长速率对于外延层质量的影响.
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宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量
宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 张永刚 南矿军 何友军 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)
本文介绍了基于宽范围脉冲测量条件下的半导体激光器热阻测量方案以及具有宽范围和大电流驱动能力、能覆盖从可见光至中红外波段的半导体激光器测量表征系统,并给出了具体测量实例.
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(NH<,4>)<,2>S钝化对InGaAsSb PIN探测器暗电流特性的影响
(NH<,4>)<,2>S钝化对InGaAsSb PIN探测器暗电流特性的影响
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 张雄 李爱珍 林春 郑燕兰 许刚毅 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)
本文研究了(NH)S钝化处理对MBE生长的InGaAsSb PIN探测器暗电流密度的影响,报道了一路改进的新的中性(NH)S钝化方法,器件的暗电流密度在0.5V的偏压下降了一个数量级.
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SOI器件中浮体效应的研究进展
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功能材料与器件学报 2002年 第3期8卷 297-302页
作者: 朱鸣 林成鲁 邢昆山 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国兵器工业第二一四研究所 蚌埠233042
SOI(SiliconOnInsulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响,并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典... 详细信息
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1.3μm垂直腔面发射激光器的进展
1.3μm垂直腔面发射激光器的进展
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 吴惠桢 雷华平 陈意桥 齐鸣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海市)
论文综述了1.3μm垂直腔面发射激光器的研究现状,设计了适合与1.3μm垂直腔面发射激光器的多层膜反射镜,并用光荧光光谱分析了由GSMBE生长的、可用与1.3μm垂直腔面发射激光器有源层的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构的发光特性.
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