检索结果-内蒙古大学图书馆

InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化（英文）

红外与毫米波学报 2018年第6期37卷 699-703,710页

作者：张见陈星佑顾溢龚谦黄卫国杜奔黄华马英杰张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210

利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手... 详细信息

利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手段进行了表征.结果表明,InAlAs异变缓冲层的生长温度越低,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽就越宽,外延层和衬底之间的倾角就越大,同时样品表面粗糙度越高.这意味着材料的缺陷增加,弛豫不充分.对于生长在具有相同生长温度的InAlAs异变缓冲层上的In0.83Ga0.17As外延层,采用较高的生长温度时,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽较小,77K下有更强的光致发光,但是表面粗糙度会有所增加.这说明生长温度提高后,材料中的缺陷得到抑制.

关键词：分子束外延 InGaAs InAlAs异变缓冲层生长温度

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InAsP/InGaAsP/InP应变材料的二维倒空间衍射研究

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 58-63页

作者：黄占超吴惠桢劳燕锋刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050

采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到了处于部分弛豫状态的InGaAsP在不同方向呈现不同的应变状态.... 详细信息

采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到了处于部分弛豫状态的InGaAsP在不同方向呈现不同的应变状态.排除了外延层倾斜及应变对确定失配度的影响,准确计算得到InAsP外延层体失配度为1.446%,InGaAsP外延层体失配度为-0.5849%,并且生长了高质量的应变补偿8阱多量子阱.

关键词： X射线衍射倒空间mapping 应变量子阱

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外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响

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物理学报 2013年第23期62卷 308-312页

作者：王文娟王海龙龚谦宋志棠汪辉封松林山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海高等研究院上海201203

在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后... 详细信息

在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势;随着In组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小,但电场强度较大时会破坏激子效应.

关键词：激子 InGaAsP InP量子阱结合能电场

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一种圆片级硅三层键合的三明治加速度传感器

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传感技术学报 2008年第2期21卷 230-232页

作者：徐玮鹤林友玲车录锋李玉芳熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线... 详细信息

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线。传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.26mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.42mm。对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器灵敏度约4.15pF/g,品质因子为56,谐振频率为774Hz。

关键词：电容式加速度传感器硅硅键合圆片级真空封装

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基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究

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传感技术学报 2006年第5A期19卷 1705-1708页

作者：赵全斌焦继伟杨恒林梓鑫李铁张颖王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原... 详细信息

我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原子结构则保持原掺杂结构,在梁厚度方向形成非对称掺杂,表现出压阻特性.利用该局部压阻,我们首次完成了对双端固支硅纳米梁的谐振特性的测量,其共振频率为400kHz;同时,我们对获得的低Q值进行了初步讨论.

关键词：双端固支硅纳米梁压阻检测 Ar离子轰击谐振特性

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基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器

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红外与毫米波学报 2012年第1期31卷 11-14,90页

作者：朱耀明李永富李雪唐恒敬邵秀梅陈郁邓洪海魏鹏张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,... 详细信息

在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,平均优值因子(R0A)为16.0Ω.cm2,峰值量子效率达到了37.5%;在1 ms积分时间下焦平面探测器平均峰值探测率达到了2.01×1011 cmHz1/2/W,响应非均匀性为8.77%,盲元率约为0.6%.

关键词： ICP刻蚀 N-on-P结构线列探测器光电性能

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考虑微加工误差的微机械陀螺的健壮性优化

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航空学报 2007年第6期28卷 1499-1505页

作者：姜涛善盈盈王安麟焦继伟同济大学机械工程学院上海200092 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为减小微加工误差对音叉振动式微机械陀螺设计性能的影响、提高其批量性能稳定性,以对其加工后性能变异影响最大的若干关键参数为设计变量,在分析了几何约束条件、模态性能约束条件、基于模态的加工灵敏度约束条件的基础上建立了微机械... 详细信息

为减小微加工误差对音叉振动式微机械陀螺设计性能的影响、提高其批量性能稳定性,以对其加工后性能变异影响最大的若干关键参数为设计变量,在分析了几何约束条件、模态性能约束条件、基于模态的加工灵敏度约束条件的基础上建立了微机械陀螺健壮性优化的数学模型。在无需事先知道微机械陀螺尺寸/性能的详尽统计信息的条件下,采用一阶摄动技术和遗传算法实现了微机械陀螺的健壮性优化设计。

关键词：微机械陀螺健壮性优化微加工误差固有频率数学模型

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应用于MOEMS集成的TSV技术研究

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传感技术学报 2019年第5期32卷 649-653页

作者：胡正高盖蔚徐高卫罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表... 详细信息

硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表征,测试结果表明,单个TSV的电阻平均值为0.199Ω、相邻两个TSV的电容在无偏压时为170.45 fF、TSV的漏电流在100 V时为9.43 pA,具有良好的电学特性。

关键词：硅通孔(TSV) 微光机电系统(MOEMS) ICP刻蚀键合电镀

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基于PI衬底的柔性MEMS电容式触觉力传感器设计与制作

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传感技术学报 2008年第2期21卷 280-283页

作者：肖素艳车录锋李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

论述了一种可应用于机器人或医学修补技术的触觉传感器及其在旋涂的柔性聚酰亚胺衬底的新制作方法。该传感器是由多层无机和有机薄膜组成的柔性薄膜结构。结合传感器结构特点及各结构层材料的加工性能,进行工艺优化整合。尤其首次在载... 详细信息

论述了一种可应用于机器人或医学修补技术的触觉传感器及其在旋涂的柔性聚酰亚胺衬底的新制作方法。该传感器是由多层无机和有机薄膜组成的柔性薄膜结构。结合传感器结构特点及各结构层材料的加工性能,进行工艺优化整合。尤其首次在载体硅片与PI衬底之间引进PDMS分离层,使得柔性器件的分离工艺大大简化。最后得到一种简单、低廉且与常规MEMS技术兼容的工艺。所制的传感器结构轻薄,可挠性好,且能贴附在任意形状的物体表面同时实现法向力和切向力的测量。

关键词：柔性MEMS 触觉传感器聚酰亚胺(PI) 聚二甲基硅氧烷(PDMS)

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图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究

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功能材料 2010年第7期41卷 1208-1210页

作者：张波陈静魏星武爱民薛忠营罗杰馨王曦张苗中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜... 详细信息

采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。

关键词：氮化镓绝缘体上硅侧向外延

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