检索结果-内蒙古大学图书馆

机械强度 2003年第4期25卷 395-400页

作者：宗登刚王钻开陆德仁王聪和中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 香港理工大学应用物理系

用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14... 详细信息

用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14 .0GPa± 2 9.2GPa ,残余应力为 2 65 .0MPa± 3 4.1MPa。探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响 ,得到低应力氮化硅的弯曲强度为 6.9GPa± 1.1GPa。对微桥法测量误差的分析表明 ,衬底变形。

关键词：微电子机械系统低压化学气相沉积氮化硅弹性模量残余应力弯曲强度微机械悬桥法误差分析

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PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构

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材料研究学报 2006年第6期20卷 621-625页

作者：徐天宁吴惠桢斯剑霄曹春芳黄占超浙江大学物理系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20005

用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构．结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0．4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有... 详细信息

用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构．结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0．4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构；降低Se/PbSe束流比至0．2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构；当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫．在BaF_2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃．

关键词：无机非金属材料 PbSe单晶薄膜分子束外延应变弛豫螺旋结构

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音叉振动式微机械陀螺固有频率的统计特性分析

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航空学报 2007年第1期28卷 245-248页

作者：姜涛王安麟张颖焦继伟同济大学机械工程学院上海200092 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

以一种通过体微机械加工技术制备的音叉振动式微机械陀螺为对象,基于随机摄动技术定量研究了微机械陀螺固有频率变异的统计特征,以概率思想表达了微机械陀螺批量加工过程所带来的材料/尺寸随机误差对其各阶固有频率的影响。通过所提出... 详细信息

以一种通过体微机械加工技术制备的音叉振动式微机械陀螺为对象,基于随机摄动技术定量研究了微机械陀螺固有频率变异的统计特征,以概率思想表达了微机械陀螺批量加工过程所带来的材料/尺寸随机误差对其各阶固有频率的影响。通过所提出的影响系数这一概念反映了微机械陀螺参数变异对固频变异的敏感度。在详尽分析微机械陀螺众多参数的影响系数的基础上,获得了微机械陀螺最为关键的6个参数。这有限关键参数的获得,不仅为微机械陀螺的健壮性设计提供了方向,同时也为实际微机械陀螺的加工控制提供了量化的可参考依据。

关键词：微机械陀螺影响系数随机参数固有频率离差系数摄动法

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氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究

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核技术 2007年第8期30卷 675-678页

作者：宋朝瑞程新红张恩霞邢玉梅俞跃辉郑志宏沈勤我张正选王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 温州大学物理系温州325000

本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元... 详细信息

本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理。

关键词：高kHfON介电薄膜总剂量辐射陷阱电荷

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对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识

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原子能科学技术 2021年第12期55卷 2157-2167页

作者：刘春媚杨旭朱慧龙胡志远毕大炜张正选中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 华天科技(昆山)电子有限公司江苏昆山215300

通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退... 详细信息

通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退化。在不同的应力条件下,其效果也有所不同。对改性器件施加热载流子应力时,改性器件的前栅和背栅之间存在着更明显的相互作用。同时,探讨了总剂量辐照对改性器件热载流子退化的影响。在改性器件中存在辐照增强的热载流子退化,高温退火只能部分消除这一影响。

关键词：热载流子效应总剂量效应辐射加固 PDSOI NMOS 改性器件

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基于锁相环接口电路的高性能扭转谐振模态微悬臂梁传感器研究

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传感技术学报 2007年第10期20卷 2234-2238页

作者：包涵菡李昕欣张志祥王跃林于海涛刘民中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器国家重点实验室上海200050

扭转谐振模态微悬臂梁低能耗、高品质因数的特性,使它比传统的弯曲模态悬臂梁拥有更高的灵敏度和分辨率.将微传感器加工技术和生物检测技术相结合,利用扭转谐振模态微悬臂梁传感器对生物素和亲和素的特异性反应进行检测,结果传感器的灵... 详细信息

扭转谐振模态微悬臂梁低能耗、高品质因数的特性,使它比传统的弯曲模态悬臂梁拥有更高的灵敏度和分辨率.将微传感器加工技术和生物检测技术相结合,利用扭转谐振模态微悬臂梁传感器对生物素和亲和素的特异性反应进行检测,结果传感器的灵敏度为0.9pg/Hz,分辨可达到49fg.本文还着重介绍了为谐振梁传感器设计的以锁相环(Phase-Locked Loop简称PLL)为核心的闭环接口电路,分析了悬臂梁和电路在闭环系统中的工作特性,并探讨了解决谐振式传感器在使用中常见的稳定性差、噪声干扰强等问题的方法.:

关键词：扭转谐振模态微悬臂梁闭环接口电路 PLL

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双环推挽型高线性M-Z光强调制器特性研究

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光电子．激光 2005年第10期16卷 1157-1162,1170页

作者：杨建义王帆江晓清屈红昌吴亚明王明华浙江大学信息与电子工程学系浙江杭州210027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

对损耗影响下的双环推挽(TRAPP)型马赫-曾德(M-Z)光调制器的线性特性进行了研究。分析表明,存在损耗时,设计特定的光微环与M-Z干涉臂间的耦合大小,并控制偏置点,总可以获得2次与3次高阶项为零的调制曲线;当微环1周损耗小于5 dB时,线性... 详细信息

对损耗影响下的双环推挽(TRAPP)型马赫-曾德(M-Z)光调制器的线性特性进行了研究。分析表明,存在损耗时,设计特定的光微环与M-Z干涉臂间的耦合大小,并控制偏置点,总可以获得2次与3次高阶项为零的调制曲线;当微环1周损耗小于5 dB时,线性范围总是可以达到90%以上;当损耗过大时,导致基于微环的全通滤波器的相位响应受限,虽然调制曲线在自身范围内依然保持高的线性度,但调制曲线固有的调制深度将限制整体线性范围。

关键词：集成光学光调制器马赫-曾德(M-Z)干涉仪线性调制光微环谐振器全通滤波器

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基于相变存储器的SD卡系统设计

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半导体光电 2015年第4期36卷 661-666页

作者：王月青陈小刚蔡道林宋志棠李喜陈一峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统。本系统由多接口SoC芯片、6.375Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成。系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信,... 详细信息

基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统。本系统由多接口SoC芯片、6.375Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成。系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信,并使用FAT文件系统进行管理。该SD卡系统容量为256kb,读取速度为2Mb/s,写入速度为0.5Mb/s。

关键词：相变存储器 SD卡多接口SoC芯片坏块管理地址映射表

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中红外微环谐振器及应用的研究进展

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激光与光电子学进展 2020年第23期57卷 44-57页

作者：胡玉洁王书晓汪大伟余明斌蔡艳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

微环谐振器是实现硅基光电子片上集成的重要器件.为此,从微环谐振器的原理出发,主要描述了中红外领域高品质因子微环谐振器的研究意义与发展历程,分析了不同材料体系微环谐振器在工艺和实际应用上的优缺点;介绍了基于Vernier效应的级联... 详细信息

微环谐振器是实现硅基光电子片上集成的重要器件.为此,从微环谐振器的原理出发,主要描述了中红外领域高品质因子微环谐振器的研究意义与发展历程,分析了不同材料体系微环谐振器在工艺和实际应用上的优缺点;介绍了基于Vernier效应的级联微环谐振器在中红外波段的传感和滤波领域的理论研究;并回顾了中红外克尔光学频率梳的产生原理和发展历程,在理论上证明了锗条形波导微环可以在泵浦功率低至80 mW的情况下实现带宽接近一个倍频程的宽谱光频梳,并对研究进展进行了总结和展望.

关键词：集成光学硅基光电子微环谐振器 Vernier效应光学频率梳

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1.5mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究

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半导体光电 2012年第5期33卷 636-640,644页

作者：柳庆博龚谦曹春芳汪洋岳丽严进一成若海中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器,搭建了其镜面外腔结构,并对其光谱特性进行了测试,获得了镜面外腔周期性调制光谱,并在周期性的产生、多模激射和模式随电流的变化等方面对其光谱特性进行了分析研究。相比以前为获得... 详细信息

基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器,搭建了其镜面外腔结构,并对其光谱特性进行了测试,获得了镜面外腔周期性调制光谱,并在周期性的产生、多模激射和模式随电流的变化等方面对其光谱特性进行了分析研究。相比以前为获得单模使用的超短腔长超短外腔量子阱激光器,长腔长InAs/InP量子点激光器表现出较小的模式压缩比,更容易发生多模激射。

关键词：镜面外腔 InAs InP量子点激光器外腔调制模式压缩

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