检索结果-内蒙古大学图书馆

分析化学 2023年第3期51卷 429-435页

作者：张娣张海燕陈泊鑫祝雨晨赵斌李磊郑丹冯飞上海应用技术大学化学与环境工程学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

气相色谱柱微型化有利于气相色谱系统的小型化，然而对微型气相色谱柱而言，轻烃的分离是一个挑战。本研究基于微机电系统（MEMS）技术制备了微型气相色谱柱，在室温下合成了一种金属有机框架材料HKUST-1，采用动态涂敷法将HKUST-1涂敷... 详细信息

气相色谱柱微型化有利于气相色谱系统的小型化，然而对微型气相色谱柱而言，轻烃的分离是一个挑战。本研究基于微机电系统（MEMS）技术制备了微型气相色谱柱，在室温下合成了一种金属有机框架材料HKUST-1，采用动态涂敷法将HKUST-1涂敷到微型气相色谱柱中作为固定相。对以HKUST-1为固定相的微型气相色谱柱进行分离测试，结果表明，此微型气相色谱柱可以完全分离轻烃混合物（甲烷、乙烷、丙烷和正丁烷），其中难以分离的甲烷和乙烷的分离度达到9.2。

关键词：微型气相色谱柱金属有机框架材料 HKUST-1 轻烃分离

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基于电容检测MEMS磁传感器的设计与制作

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纳米技术与精密工程 2013年第3期11卷 222-230页

作者：龙亮钟少龙吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院大学微系统与信息技术学院上海200050

为实现微型化、低功耗、低成本和高灵敏度的磁传感器,提出了一种基于微型磁扭摆结构的磁传感器,并利用对角度变化非常敏感的差分电容检测技术对磁扭摆的扭转角度进行检测.设计的磁传感器包括微扭摆结构、磁性敏感薄膜和差分检测电容等部... 详细信息

为实现微型化、低功耗、低成本和高灵敏度的磁传感器,提出了一种基于微型磁扭摆结构的磁传感器,并利用对角度变化非常敏感的差分电容检测技术对磁扭摆的扭转角度进行检测.设计的磁传感器包括微扭摆结构、磁性敏感薄膜和差分检测电容等部分.分析了器件的磁敏感原理和电容检测原理,给出了器件的结构参数和综合设计考虑.利用体硅加工工艺成功制作出了磁传感器样品,并进行了实验测试.测试结果表明磁传感器有良好的线性度和重复性,其磁场检测的电容灵敏度可达到0.2 fF/Gauss.根据对磁传感器的热噪声分析,可得到磁传感器最小可分辨的磁场为6.72μT.该磁传感器结构简凑、工艺简单,无需电流激励,大大降低了磁传感器功耗.

关键词：磁传感器电容检测 MEMS 磁性薄膜

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偏置电压极性对差分电容微传感器可靠工作条件的影响分析

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机械强度 2005年第4期27卷 465-469页

作者：董林玺孙玲玲王跃林杭州电子科技大学微电子CAD研究所杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件... 详细信息

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件的影响,得到不同偏置电压极性下传感器的临界阶跃加速度与随测试信号电压和反馈系数的关系表达式及其变化曲线。结果表明若偏置电压极性为正—正或正—负配置,其电子机械反馈本质上是负反馈,且偏置电压极性为正—负配置时,传感器承受阶跃加速度冲击的能力最强。若偏置电压极性为负—负或负—正配置,其电子机械反馈本质上是正反馈,偏置电压极性为负—正配置时,其抗阶跃加速度冲击的能力最低。

关键词：电容式传感器惯性传感器可靠工作范围阶跃信号偏置电压极性

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基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器

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光电子．激光 2004年第9期15卷 1031-1034,1041页

作者：杨建义江晓清贾科淼李锡华王明华吴亚明王跃林浙江大学信息与电子工程学系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

基于二维分布衍射光栅与平面波导概念,提出了基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器。光波分复用器/解复用器利用二维衍射光栅的波长变化下光波的衍射路径由两个方向的色散值矢量合成决定这一特性,同时适当地控制其自由谱范... 详细信息

基于二维分布衍射光栅与平面波导概念,提出了基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器。光波分复用器/解复用器利用二维衍射光栅的波长变化下光波的衍射路径由两个方向的色散值矢量合成决定这一特性,同时适当地控制其自由谱范围特性的设计,使其具有二维光波分分布特性,从而可以在输入和/或输出端设计二维输入/输出通道,大大增加波分复用与解复用的通道数的设计能力。对器件的特性与应用进行了讨论。

关键词：解复用器阵列波导光栅光波分复用器衍射光栅波长变化色散值平面波导二维矢量合成通道

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基于新型非易失内存的远程零拷贝文件系统

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国防科技大学学报 2020年第3期42卷 9-16页

作者：韩文炳陈小刚李顺芬李大刚陈诗雁段有康宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 北京大学深圳研究生院信息工程学院广东深圳518055

为提升物联网与边缘计算应用中前端节点间的数据访问效率,提出了一种新型远程零拷贝文件系统。该文件系统无须借助特殊硬件,可直接基于通用网卡设备实现零拷贝的数据传输框架;充分利用新型非易失内存的随机访问特性,尽可能减少数据缓存... 详细信息

为提升物联网与边缘计算应用中前端节点间的数据访问效率,提出了一种新型远程零拷贝文件系统。该文件系统无须借助特殊硬件,可直接基于通用网卡设备实现零拷贝的数据传输框架;充分利用新型非易失内存的随机访问特性,尽可能减少数据缓存和拷贝,提高数据访问的吞吐量。建立缓冲区池,精简并融合传统网络栈和存储栈,从而缩短文件访问路径,减少软件冗余,降低数据访问延迟。最终提供高带宽、低延迟的远程数据访问性能。测试结果表明,远程零拷贝文件系统比传统网络文件系统减少了42.26%~99.19%的读写延迟,细粒度访问下的吞吐量最高可提升1297倍,显著降低了处理器开销和缓存失效次数。

关键词：新型非易失内存物联网边缘计算零拷贝网络文件系统

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基于Android的便携式水质检测仪器的研制

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环境工程学报 2016年第7期10卷 3973-3976页

作者：李宫郭慧赵辉赵建龙贾春平金庆辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

针对水质检测的发展以及水资源保护的需求,提出了基于Android设备的便携式水质检测仪器,仪器主要由传感器探头、下位数据采集、存储、处理设备和Android智能设备端组成。结果表明,该仪器对COD和DO的线性检测范围分别为0~60 mg·L^(... 详细信息

针对水质检测的发展以及水资源保护的需求,提出了基于Android设备的便携式水质检测仪器,仪器主要由传感器探头、下位数据采集、存储、处理设备和Android智能设备端组成。结果表明,该仪器对COD和DO的线性检测范围分别为0~60 mg·L^(-1)和4.5~13 mg·L^(-1),且重复性良好,CV值分别为2.20%和1.73%。仪器被成功应用于实际水样的检测中,检测结果基本准确,满足水质检测的技术要求,有一定的参考价值。

关键词：水质检测 Android COD DO 便携

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重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性

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Journal of Semiconductors 2007年第11期28卷 1765-1768页

作者：孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍朱福英中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3... 详细信息

以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V.s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.

关键词：异质结双极晶体管 InP GaAsSb 碳掺杂气态源分子束外延

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几种微构件材料的表面能及纳观黏附行为研究

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物理学报 2009年第4期58卷 2518-2522页

作者：薛伟郑蓓蓉张淼解国新王权温州大学机电工程学院温州323035 清华大学摩擦学国家重点实验室北京100084 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

对微机电系统(MEMS)中几种常用构件材料的表面能及其主要影响因素进行了探讨,并与材料表面的纳观黏附性能进行了分析比较.用Owens二液法计算出硅基材料的表面能在60—75mJ/m2之间,它们之间总表面能的差异主要归结为表面能极性分量的差异... 详细信息

对微机电系统(MEMS)中几种常用构件材料的表面能及其主要影响因素进行了探讨,并与材料表面的纳观黏附性能进行了分析比较.用Owens二液法计算出硅基材料的表面能在60—75mJ/m2之间,它们之间总表面能的差异主要归结为表面能极性分量的差异,表面粗糙度的存在使表观表面能有所偏高.施加自组装分子膜后的表面能大为降低,粗糙度的存在可以使其表面能进一步减小.纳观黏附力和表面能之间有一定的对应关系.另外,在研究中发现表面粗糙度对纳观黏附行为的影响较小.

关键词： MEMS 表面能纳观黏附粗糙度

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离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响

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Journal of Semiconductors 2008年第4期29卷 765-769页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结... 详细信息

采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.

关键词：电致发光器件结构电流限制孔径离子注入

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一种具有“8悬臂梁-质量块”结构的新型硅微加速度计

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Journal of Semiconductors 2007年第5期28卷 783-788页

作者：王育才焦继伟段飞张颖宓斌玮李金鹏钱清王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

提出了一种具有“8悬臂梁-质量块”结构的新型三明治式硅微机械电容式加速度计,用微机械加工工艺在(111)硅片上制作出了具有信号输出的器件.该加速度计的惯性质量块由同一(111)硅片上下表面对称分布的8根悬臂梁支撑.这些悬臂梁是利用(1... 详细信息

提出了一种具有“8悬臂梁-质量块”结构的新型三明治式硅微机械电容式加速度计,用微机械加工工艺在(111)硅片上制作出了具有信号输出的器件.该加速度计的惯性质量块由同一(111)硅片上下表面对称分布的8根悬臂梁支撑.这些悬臂梁是利用(111)硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀特性结合深反应离子刻蚀(DRIE)实现的,其尺度精确可控,保证了结构的对称性.该加速度计的谐振频率为2·08kHz,品质因子Q为21·4,灵敏度为93·7mV/g.

关键词：微加速度计微机械加工各向异性腐蚀

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