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作者

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检索条件"机构=上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
1107 条 记 录,以下是241-250 订阅
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硅基片上刻蚀衍射光栅及其平坦化设计
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激光技术 2017年 第3期41卷 361-366页
作者: 陈鑫 武爱民 仇超 黄海阳 赵瑛璇 盛振 李伟 甘甫烷 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049
刻蚀衍射光栅(EDG)作为实现波分复用功能的关键器件,对于片上光互连的实现至关重要。为了实现1310nm波段通道间隔为20nm的硅基EDG,采用了基尔霍夫标量衍射理论仿真方法进行理论设计和仿真验证,通过在闪耀光栅反射面引入布喇格反射光栅... 详细信息
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用原位液体池透射电镜技术表征金属钯在球形金纳米颗粒表面的异质沉积
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物理化学学报 2017年 第3期33卷 458-463页
作者: 周晓琴 张辉 张泽 陈新 金传洪 华东理工大学材料科学与工程学院 超细材料制备与应用教育部重点实验室上海市先进聚合物材料重点实验室上海200237 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学材料科学与工程学院 硅材料国家重点实验室杭州310027
采用原位液体池透射电镜技术,在扫描透射电子显微镜(STEM)中,实时观察溶液中金属钯(Pd)在金(Au)纳米颗粒及团簇周围的异质沉积过程。通过对该动态过程的定量分析,结合高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行形貌与结构表征,研究异质沉... 详细信息
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一种用于PCRAM的嵌入式片内电容电荷泵
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微电子学 2017年 第6期47卷 806-809页
作者: 田震 陈后鹏 雷宇 李喜 王倩 李晓云 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049
针对相变存储器小片内电容和低功耗的应用要求,在分析传统升压式电容电荷泵局限性的基础上,提出了一种应用于相变存储单元的嵌入式片内电容电荷泵。该电容电荷泵无需电感器件,存储单元不会受到高电磁干扰,采用了特殊的互补型电荷泵升压... 详细信息
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基于改进LDPC码的短距离跳频无线通信系统
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通信学报 2017年 第12期38卷 34-47页
作者: 房卫东 张武雄 胡明明 陈伟 杨旸 中国科学院上海微系统与信息技术研究所无线传感器网络与通信重点实验室 上海200051 上海无线通信研究中心 上海201210 电子信息系统复杂电磁环境效应国家重点实验室 河南洛阳471003 中国矿业大学计算机科学与技术学院 江苏徐州221116
复杂应用场景决定短距离无线通信系统面对多种干扰、较低硬件资源配置导致其抗干扰能力有限,为实现可靠传输,设计基于改进LDPC码的短距离跳频无线通信系统。其中,提出低复杂度校验和更新(LCU,low-complexity check sum updating)算法,... 详细信息
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Littman结构的平移透镜外腔半导体激光器
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激光杂志 2017年 第6期38卷 1-3页
作者: 荣春朝 严进一 龚谦 中科院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学 北京100049
首次提出并实现了一种利用笼式共轴系统搭建的Littman结构平移透镜外腔半导体激光器。通过微调节架驱动准直透镜平移从而改变光栅表面的激光入射角,可以实现约8.5 nm的连续波长调谐,准直透镜平移1μm波长改变约0.02 nm,实验测量值与理... 详细信息
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0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证
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半导体技术 2017年 第6期42卷 469-474页
作者: 卢仕龙 刘汝萍 林敏 俞跃辉 董业民 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 上海科技大学物质科学与技术学院 上海201210
基于上海微系统信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究。测试芯片主要用于测试标准单元的... 详细信息
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探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响
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材料科学与工程学报 2017年 第3期35卷 352-357页
作者: 崔健 潘文武 吴晓燕 陈其苗 刘娟娟 张振普 王庶民 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系 瑞典哥德堡41296
为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱... 详细信息
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基于光纤微电流传感技术的劣化绝缘子检测
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功能材料与器件学报 2018年 第3期24卷 185-190页
作者: 何冰 靳鹏飞 王宗洋 裴蕴智 李伟 国网上海市电力公司检修公司 上海200000 江苏大学机械工程学院 镇江212000 中光华研电子科技有限公司 上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200000
针对目前高压输电线路上绝缘子发生劣化不易检测的问题,提出一种基于MEMS光纤微电流传感技术的绝缘子劣化检测方法。首先建立带电绝缘子串仿真模型,得到绝缘子串微电流与其周围弱磁场关系,又研究了绝缘子劣化时微电流变化规律,最后利用M... 详细信息
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非易失性突触存储阵列及神经元电路的设计
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微电子学与计算机 2017年 第11期34卷 1-5页
作者: 叶勇 亢勇 景蔚亮 杜源 宋志棠 陈邦明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新储集成电路有限公司 上海200122
传统的神经形态芯片一般采用SRAM阵列来存储突触权重,掉电后数据会丢失,且只能通过单一地址译码进行存取,不利于突触权重的更新.为此,本文基于40nm先进工艺并结合嵌入式相变存储器设计了一种非易失性突触存储阵列及神经元电路,为神经元... 详细信息
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9通道心磁图仪性能测试与临床应用研究
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低温物理学报 2017年 第3期39卷 1-6页
作者: 李明 张朝祥 张树林 陈威 鲁丽 王毅 孔祥燕 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院超导电子学卓越创新中心 中国科学院大学
中国科学院上海微系统信息技术研究所自主研制了9通道心磁图仪,可在闹市区的简易磁屏蔽环境中稳定工作.本系统包含9个信号通道和3个参考通道,通过采集人体的36点心磁信号,可提供等磁图、伪电流密度图等一系列磁成像,供医生解读.本文... 详细信息
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