检索结果-内蒙古大学图书馆

传感器与微系统 2007年第3期26卷 20-23页

作者：高翔徐静赵本刚万助军吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

通过分析微机械Golay腔型红外探测器设计中影响性能的关键因素:温致压变系数、红外吸收层、阻尼噪声,提出了一种采用硅和玻璃阳极键合技术实现的新型Golay腔型红外探测器。计算其灵敏度为2 700 pF/W、噪声等效功率为8.4×10-8W/Hz1/... 详细信息

通过分析微机械Golay腔型红外探测器设计中影响性能的关键因素:温致压变系数、红外吸收层、阻尼噪声,提出了一种采用硅和玻璃阳极键合技术实现的新型Golay腔型红外探测器。计算其灵敏度为2 700 pF/W、噪声等效功率为8.4×10-8W/Hz1/2和响应时间为0.5m s。利用光学测量变形,可以实现探测器无电化设计,使得测量不受强电磁场和湿度的影响。

关键词：微电子机械系统红外探测器气动 Golay腔

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Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺

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Journal of Semiconductors 2006年第7期27卷 1335-1338页

作者：刘北平李晓良朱海波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实... 详细信息

采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明,用Cl2/He气体刻蚀GaN材料可以获得较高的刻蚀速率,最高可达420nm/min.同时刻蚀后GaN材料的表面形貌也较为平整,均方根粗糙度(RMS)可达1nm以下.SEM图像显示刻蚀后表面光洁,刻蚀端面陡直.最后比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar刻蚀GaN基片的刻蚀速率、表面形貌,以及制作n型电极后的比接触电阻.

关键词：干法刻蚀感应耦合等离子体 GaN 刻蚀速率 Cl2/He Cl2/Ar

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一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器

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Journal of Semiconductors 2007年第10期28卷 1620-1624页

作者：徐玮鹤车录锋李玉芳熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器.采用硅/硅直接键合技术实现中间对称梁质量块结构的制作,然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合.在完成整体结构圆片级真空封装的同时,通过引线... 详细信息

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器.采用硅/硅直接键合技术实现中间对称梁质量块结构的制作,然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合.在完成整体结构圆片级真空封装的同时,通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线.传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.68mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.84mm.对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器漏率小于0.1×10-9cm3/s,灵敏度约为6pF/g,品质因子为35,谐振频率为489Hz.

关键词：电容式加速度传感器硅/硅键合圆片级真空封装

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InP基RTD特性的数值模拟研究

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 317-322,332页

作者：王伟孙浩孙晓玮徐安怀齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039 信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和... 详细信息

采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和集电区掺杂浓度以及隔离层厚度对InP基RTD器件I-V特性的影响。模拟结果表明,采用富In组份的势阱有利于降低峰值电压,提高发射区掺杂浓度有利于增大峰值电流密度,而散射则会导致谷值电流增大,影响其负阻特性。

关键词：磷化铟基共振隧穿二极管电流-电压特性非平衡格林函数法散射

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三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构

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微纳电子技术 2011年第5期48卷 326-332页

作者：黄占喜吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性... 详细信息

提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性腐蚀,该工艺可以应用于MEMS微悬空结构的制作。利用该工艺成功地在单片n-Si(100)衬底上完成了一种十字梁结构的释放,并对腐蚀的过程和工艺参数进行了研究。

关键词：微悬空结构释放体硅工艺三维掩膜各向异性腐蚀腐蚀模拟

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六方氮化硼层间气泡制备与压强研究

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物理学报 2021年第6期70卷 372-378页

作者：姜程鑫陈令修王慧山王秀君陈晨王浩敏谢晓明上海科技大学物质学院上海200031 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050

六方氮化硼(h-BN)具有六角网状晶格结构和高化学机械稳定性,可以用来封装气体并长期保持稳定,适合用作新型信息器件及微纳机电器件的衬底材料,具有巨大的应用前景.近期,科研人员发现氢原子可以无损穿透多层h-BN,在层间形成气泡,可用作... 详细信息

六方氮化硼(h-BN)具有六角网状晶格结构和高化学机械稳定性,可以用来封装气体并长期保持稳定,适合用作新型信息器件及微纳机电器件的衬底材料,具有巨大的应用前景.近期,科研人员发现氢原子可以无损穿透多层h-BN,在层间形成气泡,可用作微纳机电器件.本文研究了氢等离子体处理时间对h-BN气泡尺寸的影响.发现随着处理时间的延长,气泡尺寸整体变大且分布密集程度会降低.原子力显微镜的测量发现所制备的h-BN气泡具有相似的形貌特征,该特征与h-BN的杨氏模量和层间范德瓦耳斯作用相关.此外,发现微米尺寸气泡的内部压强约为1—2 MPa,纳米尺寸气泡的内部压强可达到GPa量级.

关键词：六方氮化硼等离子体处理纳米气泡范德瓦耳斯异质结

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超导纳米线单光子探测现状与展望

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红外与激光工程 2018年第12期47卷 1-6页

作者：尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 浙江赋同科技有限公司浙江嘉善314100

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)是一种量子极限灵敏度的光探测器。它的基本原理是利用光子能量实现超导纳米线库珀对的拆对,从而在超导纳米线局域发生超导-非超导相变。和传统半导体单光子探测器相比,具有探测效率高、暗计数低、时间抖... 详细信息

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)是一种量子极限灵敏度的光探测器。它的基本原理是利用光子能量实现超导纳米线库珀对的拆对,从而在超导纳米线局域发生超导-非超导相变。和传统半导体单光子探测器相比,具有探测效率高、暗计数低、时间抖动小、死时间短、宽谱响应以及自由运行等优势。高性能SNSPD已经在量子信息、激光通信、激光雷达等领域得到了广泛应用。文中概述了过去几年间国内外在SNSPD研发、应用成果及产业化等方面的进展,并对SNSPD未来的技术发展和应用进行了展望。

关键词：单光子探测超导纳米线单光子探测量子信息量子通信

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利用原位APXPS与STM研究H2在ZnO(1010)表面的活化

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物理化学学报 2018年第12期34卷 1366-1372页

作者：刘强韩永曹云君李小宝黄武根余毅杨帆包信和李毅敏刘志中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大连化学物理研究所辽宁大连116011 上海科技大学物质科学与技术学院上海201203 中国科学院大学北京100049

Cu/ZnO/Al_2O_3是工业中最广泛使用的甲醇合成催化剂。然而该催化反应的活性位点和机理目前仍存争议。H_2作为反应物之一,研究其在ZnO表面的活化和解离对于弄清甲醇合成反应的催化机理具有重要的帮助。本工作利用近常压光电子能谱(APXPS... 详细信息

Cu/ZnO/Al_2O_3是工业中最广泛使用的甲醇合成催化剂。然而该催化反应的活性位点和机理目前仍存争议。H_2作为反应物之一,研究其在ZnO表面的活化和解离对于弄清甲醇合成反应的催化机理具有重要的帮助。本工作利用近常压光电子能谱(APXPS)和扫描隧道显微镜(STM)原位研究了H_2在ZnO (1010)表面上的活化和解离。APXPS结果表明:在0.3mbar (1 mbar=100 Pa)的H_2气氛中,室温下ZnO表面形成羟基(OH)吸附物种。STM实验发现通入H_2后ZnO表面发生了(1×1)到(2×1)的重构。上述结果和原子H在ZnO (1010)表面的吸附结果一致。然而吸附H_2O可以导致同样的现象。因此,我们还开展了H_2O在ZnO (1010)表面吸附的对比实验。结果表明:H_2气氛中ZnO表面发生0.3 eV的能带弯曲,而H_2O吸附实验中几乎观察不到能带弯曲发生。同时,热稳定性实验表明H_2气氛中ZnO表面的OH不同于H_2O解离吸附产生的OH,前者具有更高的脱附温度。因此,本工作的结果表明常温和常压下H_2在ZnO (1010)表面发生解离吸附。这一结果和以往超高真空下未发现H_2在ZnO (1010)表面上的解离不同,说明H_2的活化是一个压力依赖过程。

关键词： H2 ZnO(1010) 活化解离吸附近常压光电子能谱扫描隧道显微镜

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压阻式微机械陀螺接口电路的数学原理

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传感器技术 2005年第8期24卷 8-10页

作者：陈雪萌李昕欣王跃林焦继伟杨恒刘民中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

压阻式微机械陀螺是MEMS研究的重要方向之一,有效的接口电路是发挥陀螺性能的重要保证。用数学方法完整地推导了陀螺驱动和信号检测的内在机理,并据此设计了一种简单的压阻式陀螺接口电路。接口电路的最小分辨力为0.33°/s。测量结... 详细信息

压阻式微机械陀螺是MEMS研究的重要方向之一,有效的接口电路是发挥陀螺性能的重要保证。用数学方法完整地推导了陀螺驱动和信号检测的内在机理,并据此设计了一种简单的压阻式陀螺接口电路。接口电路的最小分辨力为0.33°/s。测量结果证明了数学推导的正确性。

关键词：微机械陀螺压阻接口电路数学推导

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超声波强化换热研究进展

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工程科学学报 2022年第12期44卷 2164-2176页

作者：陈真真陈洪强黄磊郝南京西安交通大学化学工程与技术学院西安710049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

随着科学技术的快速发展,微电子器件在不同领域得到越来越广泛的应用.对于高集成化和高频化的微电子器件,传统的冷却技术已很难满足高效散热的需求,因此对器件的可靠性与安全性带来严重的影响.近年来,研究者提出了多种无源换热过程强化... 详细信息

随着科学技术的快速发展,微电子器件在不同领域得到越来越广泛的应用.对于高集成化和高频化的微电子器件,传统的冷却技术已很难满足高效散热的需求,因此对器件的可靠性与安全性带来严重的影响.近年来,研究者提出了多种无源换热过程强化技术,但是这些技术在不同程度上增加了流动阻力从而极大地限制了其应用潜力.超声波技术具有成本低、使用简便、操控灵活、穿透性强和无污染等特点,超声波与散热技术相结合实现有源换热过程强化已逐渐引起研究者的关注和重视.本文对超声波激励换热过程强化的研究进展进行了系统综述,首先介绍超声波强化换热的机理,然后总结并分析超声波技术在单相气体对流、单相液体对流、池沸腾和流动沸腾换热过程中的理论和实验研究,最后讨论超声波换热技术面临的若干挑战并提出未来潜在的发展方向,为构建高性能和实用化超声波换热体系提供相应的参考.

关键词：声波换热超声对流换热沸腾换热

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