检索结果-内蒙古大学图书馆

材料科学与工程学报 2017年第4期35卷 542-547页

作者：汪翔陈新周王帆李顺英华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室上海市先进聚合物材料重点实验室上海200237 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文以化学沉淀法制备出立方体Cu_2O,以Cu_2O为模板用水热离子交换法制备出纳米Cu_7S_4。利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对Cu_7S_4进行测试,结果显示Cu_7S_4具有中空立方体结构,平均尺寸在550nm左右... 详细信息

本文以化学沉淀法制备出立方体Cu_2O,以Cu_2O为模板用水热离子交换法制备出纳米Cu_7S_4。利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对Cu_7S_4进行测试,结果显示Cu_7S_4具有中空立方体结构,平均尺寸在550nm左右。使用三电极体系,采用循环伏安法、恒流充放电、电化学阻抗谱和循环稳定性分析研究了Cu_7S_4的电化学性能。测试结果表明,当电流密度为1A·g^(-1)时,Cu_7S_4的比电容为275F·g^(-1)。在电流密度为4A·g^(-1)时,Cu_7S_4循环1000次仍能保留94.8%的比电容,展示出良好的循环性能。

关键词：纳米立方体水热合成电化学超级电容器

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微加工技术在细胞形状和排列控制中的应用

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中国组织工程研究 2017年第14期21卷 2291-2296页

作者：刘晓艺李珊赵峰何静雯孙艳北京航空航天大学生物与医学工程学院生物力学与力生物学教育部重点实验室北京市100191 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海市200050

背景:精确控制细胞形状、实现细胞体外排列对细胞生物学、组织工程和再生医学研究及应用均有极其重要的意义,而目前对控制细胞几何形状和诱导体外排列的方法缺乏系统性的研究和表述。目的:总结并讨论表面化学修饰技术、表面拓扑学改造... 详细信息

背景:精确控制细胞形状、实现细胞体外排列对细胞生物学、组织工程和再生医学研究及应用均有极其重要的意义,而目前对控制细胞几何形状和诱导体外排列的方法缺乏系统性的研究和表述。目的:总结并讨论表面化学修饰技术、表面拓扑学改造技术加工制备细胞生长基底的方法,以及实现细胞形状和排列控制的可行性和最新进展。方法:作者检索1995至2017年百链云数据库和Pub Med数据库中与微加工方法对细胞形状和体外排列影响相关的文献,并进行系统整理、归纳总结和分析。结果与结论:随着微纳米加工技术的发展和对细胞生物学行为的深入研究,表面化学修饰、表面拓扑学改造、纤维支架等方法逐步被建立,以实现细胞形状的精确控制和体外排列。表面微图案化、微柱、微孔阵列等拓扑结构能够精确控制细胞几何形状,而基底表面拓扑形貌对细胞排列占据更重要的支配作用,可将基底表面化学修饰作用和拓扑形貌作用相结合更好地实现细胞体外排列。合适的基底结构可用于精确控制细胞的形状、调控干细胞的分化抑或诱导细胞的定向排列、促进细胞融合和分化等。

关键词：细胞生物学细胞形状组织工程生物材料细胞排列微接触印刷技术干剥离技术沟槽阵列微柱阵列微孔阵列微波阵列纤维支架国家自然科学基金

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700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理

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物理学报 2016年第3期65卷 214-220页

作者：平云霞王曼乐孟骁然侯春雷俞文杰薛忠营魏星张苗狄增峰张波上海工程技术大学基础学院上海201600 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部... 详细信息

文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部分移动到镍硅锗薄膜的表面.研究结果表明,铝原子的存在延迟了镍和硅锗合金的反应,镍硅锗薄膜的热稳定性和均匀性都得到了提高.最后,基于上述实验结果给出了铝原子调制形成外延镍硅锗薄膜的生长机理.

关键词：外延生长机理铝插入层镍硅锗薄膜

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多线性-环化和枝化结构共聚物制备还原响应性胶束的研究

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化工新型材料 2017年第10期45卷 109-111页

作者：宋华杰谢德彪曹红亮陈新华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室上海200237 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

将聚乙二醇大分子引发剂(PEG5KBr)和二丙烯酰胺乙氧基二硫化物(BADS)分别作为引发剂和交联剂,以甲基丙烯酸丁酯(BMA)为疏水性单体,采用逆向增强-原子转移自由基聚合得到新型的两亲性嵌段共聚物。通过核磁共振氢谱和凝胶渗透色谱对聚合... 详细信息

将聚乙二醇大分子引发剂(PEG5KBr)和二丙烯酰胺乙氧基二硫化物(BADS)分别作为引发剂和交联剂,以甲基丙烯酸丁酯(BMA)为疏水性单体,采用逆向增强-原子转移自由基聚合得到新型的两亲性嵌段共聚物。通过核磁共振氢谱和凝胶渗透色谱对聚合物的组成和结构进行表征;由动态光散射和透射电子显微镜测试聚合物自组装产物的尺寸和形貌。结果表明:聚合物组成为PEG1-PBMA45-PBADS5,数均分子量为20900,呈现出独特的多线性-环化和枝化分子结构,其中枝化度为11%,环化度为27%。聚合物能够自组装成40nm左右、具有还原响应性的球形胶束。

关键词：载药高分子材料逆向增强-原子转移自由基聚合还原响应性嵌段共聚物环化和枝化

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液滴数字聚合酶链式反应芯片及其在致病菌检测中的应用

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分析测试学报 2017年第10期36卷 1191-1196页

作者：邓雪蕾张苑怡袁浩钧刘松生陈莹莹郜晚蕾周洪波贾春平赵建龙卞晓军上海海洋大学食品学院上海201306 传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 农业部水产品贮藏保鲜质量安全风险评估实验室(上海) 上海201306 上海海洋大学食品学院食品热加工工程技术研究中心上海201306

设计与制作了一种基于聚二甲基硅氧烷-玻璃(PDMS-Glass)的多功能集成式液滴数字聚合酶链式反应(ddPCR)芯片,该芯片由产生液滴的PDMS模块和收集液滴的玻璃腔体模块组成。PDMS模块采用双通道的T形结构设计,液滴产生速度快且通量高,在30 mi... 详细信息

设计与制作了一种基于聚二甲基硅氧烷-玻璃(PDMS-Glass)的多功能集成式液滴数字聚合酶链式反应(ddPCR)芯片,该芯片由产生液滴的PDMS模块和收集液滴的玻璃腔体模块组成。PDMS模块采用双通道的T形结构设计,液滴产生速度快且通量高,在30 min内可生成2×10~6个直径约为20μm的微液滴。玻璃腔体模块中存储的液滴在整个实验过程中无需转移,可直接在原位PCR仪上进行扩增,每个液滴均是一个微反应器,经过多次热循环后,液滴仍能保持良好的稳定性。选用副溶血性弧菌(VP)作为食源性致病菌的研究模型,考察了ddPCR芯片对其基因组DNA的绝对定量能力,结果表明,该ddPCR芯片对VP基因组DNA绝对定量的线性范围宽,可跨越5个数量级(10~1~10~6 copies/μL),定量结果与DNA理论参考浓度间有很好的相关性。

关键词：数字PCR 液滴微流控芯片致病菌副溶血性弧菌

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SOI MOSFET背栅总剂量辐射效应电流模型

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电子设计工程 2017年第5期25卷 142-145,149页

作者：黄建强何伟伟陈静罗杰馨中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

基于SOI CMOS技术的抗辐射电路设计存在开发周期长、测试费用昂贵的问题。针对这一难点,本文通过对总剂量辐射效应机理的分析,提出了一种背栅总剂量效应电流模型。模型验证结果表明,该背栅总剂量模型仿真结果能高度吻合测试结果,模型能... 详细信息

基于SOI CMOS技术的抗辐射电路设计存在开发周期长、测试费用昂贵的问题。针对这一难点,本文通过对总剂量辐射效应机理的分析,提出了一种背栅总剂量效应电流模型。模型验证结果表明,该背栅总剂量模型仿真结果能高度吻合测试结果,模型能够给电路设计者提供可靠的仿真结果,缩短抗辐射电路开发周期,具有实用意义。

关键词： SOI MOSFET 总剂量效应背栅晶体管电流模型

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InGaAs/InAlAs异变探测器应变弛豫和载流子输运调控

InGaAs/InAlAs异变探测器应变弛豫和载流子输运调控

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第二十一届全国半导体物理学术会议

作者：顾溢张永刚陈星佑马英杰杜奔张见中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海

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顶栅石墨烯离子敏场效应管的表征及其初步应用

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物理学报 2016年第8期65卷 60-67页

作者：吴春艳杜晓薇周麟蔡奇金妍唐琳张菡阁胡国辉金庆辉上海大学上海市应用数学和力学研究所上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

传统的液栅型石墨烯场效应管虽然灵敏度高,但是石墨烯沟道极易被污染,致使器件的稳定性减小,不能被重复利用.为此,我们设计制造了一种顶栅石墨烯离子敏场效应管,以化学气相沉积生长的石墨烯为沟道,通过原子层沉积在石墨烯表面沉积绝缘层... 详细信息

传统的液栅型石墨烯场效应管虽然灵敏度高,但是石墨烯沟道极易被污染,致使器件的稳定性减小,不能被重复利用.为此,我们设计制造了一种顶栅石墨烯离子敏场效应管,以化学气相沉积生长的石墨烯为沟道,通过原子层沉积在石墨烯表面沉积绝缘层Hf O_2/Al_2O_3,其中Al_2O_3作为敏感膜,Hf O_2/Al_2O_3作为石墨烯及电极的保护膜.经过一系列的电学表征和测试发现,相较于液栅型石墨烯场效应管,顶栅石墨烯场效应管具有更高的信噪比、更好的稳定性.为了利用顶栅石墨烯进行生物分子的检测,我们将单链DNA修饰在Al_2O_3表面,成功检测到了修饰DNA前后的信号差异,并结合荧光修饰的表征验证了顶栅石墨烯场效应管用于生物传感器的可行性.

关键词：石墨烯场效应管 HfO2/Al2O3 水基-原子层沉积

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锗基石墨烯研制进展

锗基石墨烯研制进展

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：狄增峰张苗谢晓明王曦信息功能材料国家重点实验室上海微系统与信息技术研究所中国科学院

大尺寸单晶硅晶圆支撑集成电路发展持续六十余年.石墨烯材料作为具有极高载流子迁移率的沟道材料,有望替代当前的硅材料应用于未来集成电路技术中.当前,石墨烯材料主要利用化学气相外延方法生长在金属衬底上.然而,要实现真正石墨烯基集... 详细信息

大尺寸单晶硅晶圆支撑集成电路发展持续六十余年.石墨烯材料作为具有极高载流子迁移率的沟道材料,有望替代当前的硅材料应用于未来集成电路技术中.当前,石墨烯材料主要利用化学气相外延方法生长在金属衬底上.然而,要实现真正石墨烯基集成电路,金属基底石墨烯难以与微电子工艺兼容,因此迫切需要将石墨烯材料与半导体衬底集成.通过研究发现，在半导体锗衬底上能够通过CVD方法生长出大面积连续石墨烯薄膜，石墨烯薄膜生长行为与锗衬底晶向具有紧密相关性。锗（100）和锗（111）两种衬底上易于获得随机取向的石墨烯晶畴，从而相互合并形成多晶石墨烯。锗（110）衬底台阶处晶格匹配效应，能够导致石墨烯晶畴取向排列，从而能够无缝拼接，形成单晶石墨烯晶圆。目前，已经成功4英寸单晶石墨烯晶圆演示，有望真正将石墨烯材料应用于集成电路制造。

关键词：锗基石墨烯化学气相沉积晶格匹配电学性能

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相变存储器材料研究

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第10期46卷 119-127页

作者：吴良才宋志棠周夕淋饶峰封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的... 详细信息

作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的相变存储介质是相变存储器的基础和核心,相变材料的性能决定相变存储器的性能.本文简要介绍了相变存储器的产业化动态、总结了常用GeSbTe相变材料及其机理的主要理论研究结果、分析了传统GeSbTe相变材料的C掺杂改性及其相变机理.

关键词：相变存储器 GeSbTe 相变机理 C掺杂

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