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检索条件"机构=上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
1107 条 记 录,以下是261-270 订阅
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中空Cu7S4纳米立方的制备及其电化学电容性能
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材料科学与工程学报 2017年 第4期35卷 542-547页
作者: 汪翔 陈新 周王帆 李顺英 华东理工大学材料科学与工程学院 超细材料制备与应用教育部重点实验室上海市先进聚合物材料重点实验室上海200237 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
本文以化学沉淀法制备出立方体Cu_2O,以Cu_2O为模板用水热离子交换法制备出纳米Cu_7S_4。利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对Cu_7S_4进行测试,结果显示Cu_7S_4具有中空立方体结构,平均尺寸在550nm左右... 详细信息
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微加工技术在细胞形状和排列控制中的应用
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中国组织工程研究 2017年 第14期21卷 2291-2296页
作者: 刘晓艺 李珊 赵峰 何静雯 孙艳 北京航空航天大学生物与医学工程学院生物力学与力生物学教育部重点实验室 北京市100191 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术联合国家重点实验室上海市200050
背景:精确控制细胞形状、实现细胞体外排列对细胞生物学、组织工程和再生医学研究及应用均有极其重要的意义,而目前对控制细胞几何形状和诱导体外排列的方法缺乏系统性的研究和表述。目的:总结并讨论表面化学修饰技术、表面拓扑学改造... 详细信息
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700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理
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物理学报 2016年 第3期65卷 214-220页
作者: 平云霞 王曼乐 孟骁然 侯春雷 俞文杰 薛忠营 魏星 张苗 狄增峰 张波 上海工程技术大学基础学院 上海201600 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部... 详细信息
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多线性-环化和枝化结构共聚物制备还原响应性胶束的研究
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化工新型材料 2017年 第10期45卷 109-111页
作者: 宋华杰 谢德彪 曹红亮 陈新 华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室 上海200237 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
将聚乙二醇大分子引发剂(PEG5KBr)和二丙烯酰胺乙氧基二硫化物(BADS)分别作为引发剂和交联剂,以甲基丙烯酸丁酯(BMA)为疏水性单体,采用逆向增强-原子转移自由基聚合得到新型的两亲性嵌段共聚物。通过核磁共振氢谱和凝胶渗透色谱对聚合... 详细信息
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液滴数字聚合酶链式反应芯片及其在致病菌检测中的应用
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分析测试学报 2017年 第10期36卷 1191-1196页
作者: 邓雪蕾 张苑怡 袁浩钧 刘松生 陈莹莹 郜晚蕾 周洪波 贾春平 赵建龙 卞晓军 上海海洋大学食品学院 上海201306 传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 农业部水产品贮藏保鲜质量安全风险评估实验室(上海) 上海201306 上海海洋大学食品学院食品热加工工程技术研究中心 上海201306
设计与制作了一种基于聚二甲基硅氧烷-玻璃(PDMS-Glass)的多功能集成式液滴数字聚合酶链式反应(ddPCR)芯片,该芯片由产生液滴的PDMS模块和收集液滴的玻璃腔体模块组成。PDMS模块采用双通道的T形结构设计,液滴产生速度快且通量高,在30 mi... 详细信息
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SOI MOSFET背栅总剂量辐射效应电流模型
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电子设计工程 2017年 第5期25卷 142-145,149页
作者: 黄建强 何伟伟 陈静 罗杰馨 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049
基于SOI CMOS技术的抗辐射电路设计存在开发周期长、测试费用昂贵的问题。针对这一难点,本文通过对总剂量辐射效应机理的分析,提出了一种背栅总剂量效应电流模型。模型验证结果表明,该背栅总剂量模型仿真结果能高度吻合测试结果,模型能... 详细信息
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InGaAs/InAlAs异变探测器应变弛豫和载流子输运调控
InGaAs/InAlAs异变探测器应变弛豫和载流子输运调控
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第二十一届全国半导体物理学术会议
作者: 顾溢 张永刚 陈星佑 马英杰 杜奔 张见 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海
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顶栅石墨烯离子敏场效应管的表征及其初步应用
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物理学报 2016年 第8期65卷 60-67页
作者: 吴春艳 杜晓薇 周麟 蔡奇 金妍 唐琳 张菡阁 胡国辉 金庆辉 上海大学 上海市应用数学和力学研究所上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术联合国家重点实验室上海200050
传统的液栅型石墨烯场效应管虽然灵敏度高,但是石墨烯沟道极易被污染,致使器件的稳定性减小,不能被重复利用.为此,我们设计制造了一种顶栅石墨烯离子敏场效应管,以化学气相沉积生长的石墨烯为沟道,通过原子层沉积在石墨烯表面沉积绝缘层... 详细信息
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锗基石墨烯研制进展
锗基石墨烯研制进展
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 狄增峰 张苗 谢晓明 王曦 信息功能材料国家重点实验室 上海微系统与信息技术研究所中国科学院
大尺寸单晶硅晶圆支撑集成电路发展持续六十余年.石墨烯材料作为具有极高载流子迁移率的沟道材料,有望替代当前的硅材料应用于未来集成电路技术中.当前,石墨烯材料主要利用化学气相外延方法生长在金属衬底上.然而,要实现真正石墨烯基集... 详细信息
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相变存储器材料研究
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中国科学:物理学、力学、天文学 2016年 第10期46卷 119-127页
作者: 吴良才 宋志棠 周夕淋 饶峰 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的... 详细信息
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