检索结果-内蒙古大学图书馆

电子设计工程 2017年第4期25卷 46-49,55页

作者：张菡阁肖小玉黄善洛金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

脉搏波作为一种监护人类心血管健康的重要生理病理特征,能反映心血管功能参数的变化趋势。为了研制一款功能强大、经济便携的脉搏波监测系统,设计了一种基于MSP430单片机和Android的穿戴式脉搏波监测系统。通过实验测试,验证了系统具有... 详细信息

脉搏波作为一种监护人类心血管健康的重要生理病理特征,能反映心血管功能参数的变化趋势。为了研制一款功能强大、经济便携的脉搏波监测系统,设计了一种基于MSP430单片机和Android的穿戴式脉搏波监测系统。通过实验测试,验证了系统具有准确、灵敏、便携、经济和实时等优点,能较好地满足使用者的需求。

关键词：脉搏波穿戴式 Android MSP430单片机

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Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强

Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：马英杰张永刚顾溢陈星佑奚苏萍杜奔师艳辉纪婉嫣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

本报告将介绍在InGaAs APD方面的持续探索，包括低电压型InGaAsAPD，波长延伸型InGaAs APD,和采用量子点倍增增强结构的GaAs APD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增吸收分离型结构，具有低工作电压、低击穿电... 详细信息

本报告将介绍在InGaAs APD方面的持续探索，包括低电压型InGaAsAPD，波长延伸型InGaAs APD,和采用量子点倍增增强结构的GaAs APD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增吸收分离型结构，具有低工作电压、低击穿电压温度系数，高线性增益系数和高增益稳定性及阵列增益均匀性等优良特性，适合于进一步发展APD焦平面应用。波长延伸型器件在InP衬底上采用In0.75Ga0.25As赝配吸收层和In0.52Al0.48As晶格匹配倍增层，获得了截止波长为2.25μm的APD器件，77K下增益系数达22。证实了在赝配架构下延伸APD响应波长至中红外波段的可行性。倍增增强型器件则演示了采用InAs量子点倍增区实现对载流子雪崩几率的增强。报告中还将对APD器件的发展和应用趋势做出总结。

关键词：雪崩光电探测器电压控制波长延伸量子倍增

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InP基短波红外探测器与激光器研究最新进展

InP基短波红外探测器与激光器研究最新进展

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：顾溢张永刚陈星佑马英杰奚苏萍杜奔纪婉嫣师艳辉张见朱怡李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在本报告中，将介绍在研究InP基大于1.7微米的短波红外波段探测器及激光器方面的最新进展。这些材料和器件均是采用气态源分子束外延生长的。对于探测器，设计并生长了不同结构的InP基异变InAlAs缓冲层，分析了组分阶跃递变、组分阶跃-... 详细信息

在本报告中，将介绍在研究InP基大于1.7微米的短波红外波段探测器及激光器方面的最新进展。这些材料和器件均是采用气态源分子束外延生长的。对于探测器，设计并生长了不同结构的InP基异变InAlAs缓冲层，分析了组分阶跃递变、组分阶跃-连续递变缓冲层的弛豫过程以及缓冲层性能，研究了缓冲层掺杂对弛豫过程的影响;利用铋在融入III-V族材料晶格后产生大带隙收缩的效应，生长并分析了与InP衬底具有不同晶格失配度的InGaAsBi材料，基于与InP衬底接近晶格匹配的InGaAsBi材料研制了截止波长2.1微米的探测器，还通过适当增加In组分获得了截止波长达2.6微米的InGaAsBi探测器。在激光器方面，发展了梯形量子阱和InAlGaAs四元材料波导新结构，在生长InP基大失配高应变量子阱时采用铋作为表面剂提高了材料和器件的质量;在InP基In0.83Al0.17As异变衬底上生长了具有不同铋组分的InAsBi量子阱，室温下光致发光波长最长达到3.1微米。在材料和器件研究的基础上，所研制的InGaAs探测材料进一步在航天遥感载荷中获得了应用。

关键词：短波红外探测器激光器晶格结构性能表征

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InP基In0.83Ga0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化

InP基In0.83Ga0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：张见陈星佑顾溢马英杰奚苏萍杜奔张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

InGaAs红外光电探测器及其阵列波长在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用.材料生长过程中,衬底温度是除Ⅴ/Ⅲ和生长速率外的一个重要的工艺参数.对于InP基InAlAs异变缓冲层上生长高In组分InGaAs材料为基础的异质探测器结构,... 详细信息

InGaAs红外光电探测器及其阵列波长在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用.材料生长过程中,衬底温度是除Ⅴ/Ⅲ和生长速率外的一个重要的工艺参数.对于InP基InAlAs异变缓冲层上生长高In组分InGaAs材料为基础的异质探测器结构,需要对各层材料分子束外延生长温度进行严格的控制以防止组分分凝和结晶退化带来的影响.

关键词：半导体材料铟砷化镓分子束外延生长磷化铟基衬底温度短波红外探测器

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面向短波红外应用的InGaAsBi材料生长研究

面向短波红外应用的InGaAsBi材料生长研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：杜奔陈星佑顾溢马英杰奚苏萍张见张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

通过大范围地调节In与Bi的组分,新型稀铋半导体材料InGaAsBi可在InP衬底上匹配生长,同时其理论发光波长最长能达到6微米,完全覆盖短波红外波段,因此具有广泛应用前景.将InGaAsBi作为面向短波红外应用PIN型探测器的吸收层时,要求探测器... 详细信息

通过大范围地调节In与Bi的组分,新型稀铋半导体材料InGaAsBi可在InP衬底上匹配生长,同时其理论发光波长最长能达到6微米,完全覆盖短波红外波段,因此具有广泛应用前景.将InGaAsBi作为面向短波红外应用PIN型探测器的吸收层时,要求探测器具有较低暗电流,这就要求作为有源层的InGaAsBi具有较高结晶质量.尝试在生长温度280℃，AsH3压力350Torr下通过调节Bi炉温度外延不同Bi组分的InGaAsBi。

关键词：半导体材料铟镓砷铋外延生长温度参数结晶质量

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含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17As/InP探测器结构优化

含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17As/InP探测器结构优化

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：师艳辉张永刚顾溢马英杰陈星佑龚谦纪婉嫣杜奔中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在民用和军用的短波红外(SWIR）探测器中,1-3μm波段的高铟组分InxGa1-xAs(x>0.53)pin型光电二极管探测器已获得广泛应用.不同于光通信应用中将探测器的带宽作为关键器件性能指标,航天遥感应用则更强调探测器的暗电流和光电流参数,... 详细信息

在民用和军用的短波红外(SWIR）探测器中,1-3μm波段的高铟组分InxGa1-xAs(x>0.53)pin型光电二极管探测器已获得广泛应用.不同于光通信应用中将探测器的带宽作为关键器件性能指标,航天遥感应用则更强调探测器的暗电流和光电流参数,对于响应速度则并没有苛刻的要求.在具有相同器件结构的赝配In0.83Ga0.17As/InP探测器的吸收层中插入In0.66Ga0.34As/InAs超晶格电子势垒，并调控势垒的插入位置，分别位于吸收层的正中间(PD-1)和吸收层内靠近PN结耗尽区的位置(PD-2)。测试结果表明PD-2在室温时拥有更强的光响应度.77K下，PD2的暗电流比PD-1降低了1个数量级。

关键词：短波红外探测器光电二极管铟砷化镓磷化铟基超晶格电子势垒结构设计光响应度暗电流

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不同缓冲层类型InP基In0.83Ga0.17As探测器的暗电流研究

不同缓冲层类型InP基In0.83Ga0.17As探测器的暗电流研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：奚苏萍顾溢陈星佑马英杰师艳辉杜奔张见张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

短波红外1-3μm波段在空间遥感、夜视、雷达测距及环境监测等许多应用中起着重要作用.InGaAs探测器由于可以覆盖整个短波红外波段且具有高量子效率、高工作温度、抗辐照性能良好等特性使得其在短波红外遥感领域有着得天独厚的优势.当InP... 详细信息

短波红外1-3μm波段在空间遥感、夜视、雷达测距及环境监测等许多应用中起着重要作用.InGaAs探测器由于可以覆盖整个短波红外波段且具有高量子效率、高工作温度、抗辐照性能良好等特性使得其在短波红外遥感领域有着得天独厚的优势.当InP基InGaAs探测器的截止波长从1.7μm扩展至2.5μm时,InxGa1-xAs材料中的In组分需从0.53增加至0.83,In组分的增加带来的失配会导致材料缺陷及器件性能劣化.因此,在衬底和吸收层之间插入合适的缓冲层以释放应力就显的尤为必要.

关键词：磷化铟基红外探测器缓冲层类型暗电流性能截止波长

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InGaAs探测器的ICPCVD氮化硅钝化工艺优化

InGaAs探测器的ICPCVD氮化硅钝化工艺优化

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：朱怡顾溢陈星佑马英杰张永刚杜奔纪婉嫣师艳辉张见中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

氮化硅薄膜由于具有高致密性、漏电低、抗氧化、高介电常数和对杂质离子的掩蔽能力等优良的物理化学稳定性、光学性能,被广泛地应用于太阳能电池、光电子和微电子等领域中.由于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体界面态密度较高,界面态缺陷会产生复合... 详细信息

氮化硅薄膜由于具有高致密性、漏电低、抗氧化、高介电常数和对杂质离子的掩蔽能力等优良的物理化学稳定性、光学性能,被广泛地应用于太阳能电池、光电子和微电子等领域中.由于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体界面态密度较高,界面态缺陷会产生复合中心,提供漏电通道,增大器件的暗电流,严重影响器件的电学性能.对于台面型InGaAs探测器，侧表面漏电流是暗电流的主要成分之一，这会降低器件的探测极限，因此表面钝化工艺对于InGaAs探测器性能的提升尤为重要.

关键词：半导体探测器表面钝化氮化硅薄膜感应耦合等离子体化学气相沉积

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GSMBE生长中Bi表面剂对InP基应变量子阱激光器的影响

GSMBE生长中Bi表面剂对InP基应变量子阱激光器的影响

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：纪婉嫣顾溢陈星佑龚谦马英杰张永刚杜奔师艳辉张见中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

2-3μm半导体激光器在气体检测、医学诊断、分子光谱学和空间点对点通讯等方面都吸引着人们越来越多的关注.该波段激光器的材料体系主要包括GaSb基和InP基两种.相比于锑化物材料体系,InP基材料体系在材料生长和器件工艺上都比较成熟,并... 详细信息

2-3μm半导体激光器在气体检测、医学诊断、分子光谱学和空间点对点通讯等方面都吸引着人们越来越多的关注.该波段激光器的材料体系主要包括GaSb基和InP基两种.相比于锑化物材料体系,InP基材料体系在材料生长和器件工艺上都比较成熟,并且在光通信领域得到了广泛使用.通过改变材料的组分、控制适当的应变和采用异变缓冲层等方法，可以将激光器的波长进一步延长至2-3μm短波红外波段。但是由此可能导致量子阱中较多的材料缺陷和较差的晶体质量。在材料的生长过程中引入表面剂是提升III-V族半导体晶体和界面质量的有效方法之一。目前已经有很多使用表面剂降低表面粗糙度、提升异质结界面和提高光致发光（PL）谱强度的报道。相比于其他表面剂元素，如Te、Sb等，Bi在InGaAs/InP材料体系分子束外延（MBE）正常生长温度下是很难进入到InGaAs薄膜中的，这对于作为有效表面剂来说是至关重要的。通过气态源分子束外延（GSMBE）生长方法，在InP基赝配InAs/In0.53Ga0.47As激光器的量子阱生长过程中采用Bi表面剂，并将未采用Bi表面剂的样品作为参考，发现Bi表面剂改善了有源区的材料质量，从而有助于提升量子阱激光器的性能。

关键词：量子阱激光器分子束外延生长铋表面剂性能表征

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GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构InAlAs缓冲层生长温度优化

GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构InAlAs缓冲层生长温度优化

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：陈星佑张永刚顾溢马英杰奚苏萍杜奔张见师艳辉纪婉嫣朱怡李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

多年来,由于InxGa1-xAs(0.53≤x<1)短波红外光电探测器及其阵列在空间遥感、环境监测、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用,因而备受关注.如今,响应截止波长为1.7μm、与InP晶格匹配的In0.53Ga0.47As探测器已经商业化;而响应截止波... 详细信息

多年来,由于InxGa1-xAs(0.53≤x<1)短波红外光电探测器及其阵列在空间遥感、环境监测、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用,因而备受关注.如今,响应截止波长为1.7μm、与InP晶格匹配的In0.53Ga0.47As探测器已经商业化;而响应截止波长更长的短波红外波长扩展InGaAs探测器及其小规模线列器件也初具规模,但更大规模的焦平面制造技术则仍面临较大的挑战.主要是源自于低温缓冲层对界面起到了良好的改善作用。特别是在低温的InAlAs 异变缓冲层和540oC 下生长的In0.83Al0.17As 模板上生长的In0.83Ga0.17As 失配材料，其光荧光强度可提高数倍，如图1 所示。这些研究结果对于未来在GaAs 衬底上研制大规模红外焦平面打下了坚实的基础。

关键词：红外光电探测器砷化镓材料缓冲层生长温度

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