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检索条件"机构=上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
1107 条 记 录,以下是271-280 订阅
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基于Android的穿戴式脉搏波监测系统的设计与实现
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电子设计工程 2017年 第4期25卷 46-49,55页
作者: 张菡阁 肖小玉 黄善洛 金庆辉 赵建龙 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049
脉搏波作为一种监护人类心血管健康的重要生理病理特征,能反映心血管功能参数的变化趋势。为了研制一款功能强大、经济便携的脉搏波监测系统,设计了一种基于MSP430单片机和Android的穿戴式脉搏波监测系统。通过实验测试,验证了系统具有... 详细信息
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Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强
Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 马英杰 张永刚 顾溢 陈星佑 奚苏萍 杜奔 师艳辉 纪婉嫣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
本报告将介绍在InGaAs APD方面的持续探索,包括低电压型InGaAsAPD,波长延伸型InGaAs APD,和采用量子点倍增增强结构的GaAs APD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增吸收分离型结构,具有低工作电压、低击穿电... 详细信息
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InP基短波红外探测器与激光器研究最新进展
InP基短波红外探测器与激光器研究最新进展
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 顾溢 张永刚 陈星佑 马英杰 奚苏萍 杜奔 纪婉嫣 师艳辉 张见 朱怡 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
在本报告中,将介绍在研究InP基大于1.7微米的短波红外波段探测器及激光器方面的最新进展。这些材料和器件均是采用气态源分子束外延生长的。对于探测器,设计并生长了不同结构的InP基异变InAlAs缓冲层,分析了组分阶跃递变、组分阶跃-... 详细信息
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InP基In0.83Ga0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化
InP基In0.83Ga0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 张见 陈星佑 顾溢 马英杰 奚苏萍 杜奔 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
InGaAs红外光电探测器及其阵列波长在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用.材料生长过程中,衬底温度是除Ⅴ/Ⅲ和生长速率外的一个重要的工艺参数.对于InP基InAlAs异变缓冲层上生长高In组分InGaAs材料为基础的异质探测器结构,... 详细信息
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面向短波红外应用的InGaAsBi材料生长研究
面向短波红外应用的InGaAsBi材料生长研究
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 杜奔 陈星佑 顾溢 马英杰 奚苏萍 张见 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050
通过大范围地调节In与Bi的组分,新型稀铋半导体材料InGaAsBi可在InP衬底上匹配生长,同时其理论发光波长最长能达到6微米,完全覆盖短波红外波段,因此具有广泛应用前景.将InGaAsBi作为面向短波红外应用PIN型探测器的吸收层时,要求探测器... 详细信息
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含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17As/InP探测器结构优化
含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17As/InP探测器结构优化
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 师艳辉 张永刚 顾溢 马英杰 陈星佑 龚谦 纪婉嫣 杜奔 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
在民用和军用的短波红外(SWIR)探测器中,1-3μm波段的高铟组分InxGa1-xAs(x>0.53)pin型光电二极管探测器已获得广泛应用.不同于光通信应用中将探测器的带宽作为关键器件性能指标,航天遥感应用则更强调探测器的暗电流和光电流参数,... 详细信息
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不同缓冲层类型InP基In0.83Ga0.17As探测器的暗电流研究
不同缓冲层类型InP基In0.83Ga0.17As探测器的暗电流研究
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 奚苏萍 顾溢 陈星佑 马英杰 师艳辉 杜奔 张见 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
短波红外1-3μm波段在空间遥感、夜视、雷达测距及环境监测等许多应用中起着重要作用.InGaAs探测器由于可以覆盖整个短波红外波段且具有高量子效率、高工作温度、抗辐照性能良好等特性使得其在短波红外遥感领域有着得天独厚的优势.当InP... 详细信息
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InGaAs探测器的ICPCVD氮化硅钝化工艺优化
InGaAs探测器的ICPCVD氮化硅钝化工艺优化
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 朱怡 顾溢 陈星佑 马英杰 张永刚 杜奔 纪婉嫣 师艳辉 张见 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
氮化硅薄膜由于具有高致密性、漏电低、抗氧化、高介电常数和对杂质离子的掩蔽能力等优良的物理化学稳定性、光学性能,被广泛地应用于太阳能电池、光电子和微电子等领域中.由于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体界面态密度较高,界面态缺陷会产生复合... 详细信息
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GSMBE生长中Bi表面剂对InP基应变量子阱激光器的影响
GSMBE生长中Bi表面剂对InP基应变量子阱激光器的影响
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 纪婉嫣 顾溢 陈星佑 龚谦 马英杰 张永刚 杜奔 师艳辉 张见 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
2-3μm半导体激光器在气体检测、医学诊断、分子光谱学和空间点对点通讯等方面都吸引着人们越来越多的关注.该波段激光器的材料体系主要包括GaSb基和InP基两种.相比于锑化物材料体系,InP基材料体系在材料生长和器件工艺上都比较成熟,并... 详细信息
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GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构InAlAs缓冲层生长温度优化
GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构InAlAs缓冲层生长温度优化
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 陈星佑 张永刚 顾溢 马英杰 奚苏萍 杜奔 张见 师艳辉 纪婉嫣 朱怡 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海200050
多年来,由于InxGa1-xAs(0.53≤x<1)短波红外光电探测器及其阵列在空间遥感、环境监测、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用,因而备受关注.如今,响应截止波长为1.7μm、与InP晶格匹配的In0.53Ga0.47As探测器已经商业化;而响应截止波... 详细信息
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