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作者

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检索条件"机构=上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
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应力对Nb/Al-AlOx/Nb隧道结I-V特性的影响
应力对Nb/Al-AlOx/Nb隧道结I-V特性的影响
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第十四届全国超导学术研讨会
作者: 吴禹 熊伟 应利良 任洁 王镇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 上海科技大学 上海200031 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
Nb/Al-AlOx/Nb 隧道结是目前应用最广泛的超导约瑟夫森结之一,其质量和I-V特性又受多个条件控制,应力就是其中一个重要参数。本文研究应力对Nb/Al-AlOx/Nb隧道结的I-V 特性的影响。
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石墨烯三维微电极生物传感器研究
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传感器与微系统 2017年 第2期36卷 4-7页
作者: 唐琳 吴蕾 周麟 杜晓薇 吴春艳 赵建龙 传感技术联合国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 上海科技大学 上海200120
基于石墨烯优良的导电性和透明性,为改善生物传感器存在透明性不足的缺陷,提出了石墨烯三维微电极传感器的研究。利用SEM,Raman对其形貌进行表征,以及采用电化学测试电极电化学性能,结果表明:研究的石墨烯三维电极生物传感器在透明性和... 详细信息
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适用于瞬变电磁勘探的低温超导磁传感器
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仪器仪表学报 2016年 第12期37卷 2671-2677页
作者: 荣亮亮 蒋坤 裴易峰 伍俊 王远 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 吉林大学仪器科学与电气工程学院 长春130000
低温超导量子干涉器件(SQUID)直接测量磁场,噪声低(fT,10-15T,量级)、带宽大、低频响应特性好,可提升瞬变电磁法(TEM)晚期接收信号质量,实现大深度探测。基于欠阻尼低温SQUID和单片读出技术构建了高性能低温SQUID传感器,研究了SQUID和... 详细信息
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极低场磁共振成像系统屏蔽研究
极低场磁共振成像系统屏蔽研究
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第十四届全国超导学术研讨会
作者: 李波 黄小磊 邱阳 董慧 中国科学院上海超导中心 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
极低场磁共振成像(ULF-MRI)通常是在μT 量级静态磁场中获得图像,相比于高场磁共振成像具有一些潜在的优势。然而,ULF-MRI 系统面临着信噪比差的挑战。通过引入mT 量级的强预极化场Bp 和使用灵敏度达10-15 T 的超导量子干涉器件(SQUID)...
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量子点半导体光放大器波长转换的Q因子特性
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发光学报 2016年 第3期37卷 346-352页
作者: 李雯 王海龙 崔乐乐 张国 龚谦 山东省激光偏光与信息技术重点实验室 曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
为了改善全光波长转换器的转换性能进而提高输出信号质量,研究了波长转换器的Q因子特性。采用牛顿迭代法和四阶龙格库塔法解光场传输方程和跃迁速率方程,分析了输入信号光功率、脉冲宽度、最大模式增益和有源区长度4个因素对全光波长转... 详细信息
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气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心
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发光学报 2016年 第12期37卷 1532-1537页
作者: 王海龙 韦志禄 李耀耀 王凯 潘文武 吴晓燕 岳丽 李士玲 龚谦 王庶民 山东省激光偏光与信息技术重点实验室 曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP... 详细信息
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改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究
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电子元件与材料 2017年 第6期36卷 70-74页
作者: 程实 常永伟 魏星 费璐 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学物质学院 上海200031 中国科学院大学 北京100049
因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(... 详细信息
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评估波长扩展InGaAs探测器技术的17规则
评估波长扩展InGaAs探测器技术的17规则
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 张永刚 顾溢 陈星佑 马英杰 李雪 邵秀梅 龚海梅 方家熊 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 上海 200083
评估红外探测器和焦平面器件性能以及相关技术的07规则已提出10年.此规则基于当时最佳性能碲镉汞器件的统计数据,被用于评估其与截止波长和温度相关的暗电流特性,在长波至短波多个红外波段的碲镉汞器件上应用至今效果良好,人们也尝试用... 详细信息
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GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率
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发光学报 2016年 第11期37卷 1408-1414页
作者: 王海龙 李正 胡敏 李士玲 龚谦 山东省激光偏光与信息技术重点实验室 曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组... 详细信息
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MBE材料组分均匀性的表征方法
MBE材料组分均匀性的表征方法
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 张亚光 顾溢 陈平平 张永刚 李雪 龚海梅 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室 上海 200083 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 上海 200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室 上海 200083
为扩大产量,商业化MBE材料生产通常采用大尺寸、多衬底的生长方式,面临的均匀性问题十分突出.一方面,对于焦平面探测器等尺寸较大的器件,若不能有效改善均匀性,将极大地限制良品率.另一方面,对于激光器等尺寸较小的器件,材料非均匀性... 详细信息
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