检索结果-内蒙古大学图书馆

环境工程学报 2016年第7期10卷 3973-3976页

作者：李宫郭慧赵辉赵建龙贾春平金庆辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

针对水质检测的发展以及水资源保护的需求,提出了基于Android设备的便携式水质检测仪器,仪器主要由传感器探头、下位数据采集、存储、处理设备和Android智能设备端组成。结果表明,该仪器对COD和DO的线性检测范围分别为0~60 mg·L^(... 详细信息

针对水质检测的发展以及水资源保护的需求,提出了基于Android设备的便携式水质检测仪器,仪器主要由传感器探头、下位数据采集、存储、处理设备和Android智能设备端组成。结果表明,该仪器对COD和DO的线性检测范围分别为0~60 mg·L^(-1)和4.5~13 mg·L^(-1),且重复性良好,CV值分别为2.20%和1.73%。仪器被成功应用于实际水样的检测中,检测结果基本准确,满足水质检测的技术要求,有一定的参考价值。

关键词：水质检测 Android COD DO 便携

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NbN基SFS约瑟夫森结的制备与特性研究

NbN基SFS约瑟夫森结的制备与特性研究

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：李峰张露王会武彭炜王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学上海科技大学

只有配备与之兼容的的低温存储器，以超导/绝缘/超导(SIS)结为基础的SFQ 数字电路才能充分发挥其作用。在当前研究的多种低温存储器中，以超导/铁磁/超导(SFS)结为基础的磁性约瑟夫森结(MJJ)是目前最具潜力的解决方案之一。

关键词：

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NbTiN与NbN薄膜超导纳米线单光子探测器性能比较

NbTiN与NbN薄膜超导纳米线单光子探测器性能比较

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：杨晓燕尤立星张露陈思井吕超林李浩刘晓宇周慧王镇中国科学院超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)具有探测效率高、计数率高、暗计数低、时间抖动小等特点。目前在量子密钥分发、量子纠缠、量子随机数发生器，以及星地测距、地月测距、成像等应用方面具有大量的器件需求。

关键词：

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基于边缘剪切转移技术制备硅基柔性光波导

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第4期46卷 92-98页

作者：郭庆磊张苗狄增峰黄高山梅永丰复旦大学材料科学系上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

无机柔性光电子技术由于具有柔性、便携、大面积等优点而受到科研人员的广泛关注,并取得了长足的进展.制备无机柔性光电子器件的技术关键是将传统刚性衬底上的纳米"构筑单元"(Building Blocks)以一种可控的、精确的、具有超... 详细信息

无机柔性光电子技术由于具有柔性、便携、大面积等优点而受到科研人员的广泛关注,并取得了长足的进展.制备无机柔性光电子器件的技术关键是将传统刚性衬底上的纳米"构筑单元"(Building Blocks)以一种可控的、精确的、具有超高对准度的方式集成在柔性基底上.本文针对"转印"(Transfer Printing)技术中纳米"构筑单元"向柔性衬底集成时的可控转移及确定性组装(Deterministic Assembly)等难题,提出了边缘剪切转移技术,实现了柔性硅纳米带阵列在柔性基底上的制备及确定性组装.结合悬臂梁模型及有限元模拟,得出悬空硅纳米带内部在边缘剪切转移过程中所产生的应力与其厚度、宽度之间的函数关系.此外,本文还研究了不同方向硅条带在边缘剪切转移的过程中所制备硅纳米带的边缘形貌,并优化初始硅条带的方向,得到边缘平整的硅纳米带.最终,利用该技术制备出柔性衬底上的硅基光波导.

关键词：边缘剪切转移纳米薄膜硅波导柔性光电子技术

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面向心磁检测的SQUID全张量模块研究

面向心磁检测的SQUID全张量模块研究

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：张朝祥陶蓉张树林中国科学院超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

心磁图仪是一种通过检测人体心脏磁场进行成像分析的方法，在冠心病、心肌缺血等心脏疾病早期诊断方面具有独特的应用潜力。针对心磁检测，目前国际上普遍采用单分量或矢量三分量方法，而忽略了更为丰富的一阶张量场信息。

关键词：

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基于全张量心磁的心脏三维电流源重构

基于全张量心磁的心脏三维电流源重构

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：陶蓉张朝祥张树林中国科学院超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

心脏电流源重构是将细胞电活动的微电流集合视为少量的等效电流源，再通过源重构方法去提取等效电流源特征信息，对研究心脏电生理活动和心脏疾病预测有重要意义。基于传统单分量心磁的电流源重构，只能得到二维电流源，丢失了电流的垂...

心脏电流源重构是将细胞电活动的微电流集合视为少量的等效电流源，再通过源重构方法去提取等效电流源特征信息，对研究心脏电生理活动和心脏疾病预测有重要意义。基于传统单分量心磁的电流源重构，只能得到二维电流源，丢失了电流的垂直分量信息。

关键词：

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InP基HEMT材料优化生长及其特性研究

InP基HEMT材料优化生长及其特性研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：艾立鹍周书星徐安怀李家恺齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率... 详细信息

InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率比GaAs高40％,在相同功耗工作时,温度更低,有较大的输出功率.由于InP基HEMT非常优越的高频、低噪声性能,近年来已成为HEMT器件的主流.InP基HEMT是毫米波和太赫兹器件与电路重要的三端器件.器件结构材料中界面明显清晰，平整度非常高。InP基HEMT结构材料的SIMS深度分布测试结果反映了III族元素In、Al和Ga、V族As和P元素以及掺杂剂Si元素的分布。

关键词：高电子迁移率晶体管磷化铟基材料生长工艺热导率

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不同屏蔽室环境中的基于弱阻尼SQUID梯度计的仿真及优化

不同屏蔽室环境中的基于弱阻尼SQUID梯度计的仿真及优化

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第十四届全国超导学术研讨会