检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2003年第10期24卷 1099-1102页

作者：章宁琳宋志棠沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空... 详细信息

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2 等杂质 .扩展电阻法 (SRP)和剖面透射电镜 (XTEM)都表征出 6 0 0℃退火样品清晰的ZrO2 /topSi/BO/Sisub的结构 ,其中ZrO2 /topSi界面陡直 ,没有界面产物生成 .选区电子衍射显示薄膜在 6 0 0℃快速退火后仍基本呈非晶态 .研究了上述MOSOS结构的高频C V性能 ,得到ZrO2 薄膜的等效氧化物厚度EOT =9 3nm ,相对介电常数ε≈ 2 1,平带电位VFB=- 2 4 5 1eV .

关键词：超高真空电子束蒸发法全耗尽SOI MOSFET 高k栅介质 ZrO2

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多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 189-193页

作者：谢欣云刘卫丽门传玲林青沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .

关键词：绝缘埋层氮化硅薄膜 SOI结构多孔硅外延转移

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高Q值音叉式微陀螺静电自激驱动研究

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传感器与微系统 2007年第10期26卷 38-40页

作者：王俊杰车录锋李玉芳熊斌谢铮王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为了提高检测精度,对研制的具有滑膜阻尼的音叉式微机械陀螺采用静电自激驱动方式,它能够使驱动振动自动稳定在驱动模态的固有频率上,并保持恒定的驱动振动速度幅度。分析了静电自激驱动电路工作原理,采用自动增益控制(AGC)设计制作了... 详细信息

为了提高检测精度,对研制的具有滑膜阻尼的音叉式微机械陀螺采用静电自激驱动方式,它能够使驱动振动自动稳定在驱动模态的固有频率上,并保持恒定的驱动振动速度幅度。分析了静电自激驱动电路工作原理,采用自动增益控制(AGC)设计制作了相应的检测电路,实现了Q值为325、谐振频率为2.04 kHz微陀螺的闭环恒幅自激振动。

关键词：微机械陀螺自激振动自动增益控制

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室温低阈值分布反馈量子级联激光器

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 489-491页

作者：徐刚毅李耀耀李爱珍魏林张永刚李华中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL),提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得了合适的光耦合系数和低的波导损耗.利用这种方法研制出波长为7.7μm的分布反馈量子级联激光器.激光器可以在大的温... 详细信息

报道了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL),提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得了合适的光耦合系数和低的波导损耗.利用这种方法研制出波长为7.7μm的分布反馈量子级联激光器.激光器可以在大的温度范围内(155～320K)实现单模激射,边模抑制比约***-QCL在室温脉冲工作时阈值电流密度为970A/cm2,峰值输出功率达到75mW.该激光器还可以在连续模式下工作,最高工作温度为130K.

关键词：中红外分布反馈量子级联激光器

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InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 516-518页

作者：徐安怀邹璐陈晓杰齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格... 详细信息

本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为 4× 10 - 4量级 ,典型的InP发射区掺杂浓度 ( 4× 10 1 7cm- 3)时 ,电子迁移率为 80 0cm2 ·V- 1 ·s- 1 ,具有较好的电学特性 ,可以满足器件制作的要求。

关键词：分子束外延异质结双极晶体管 InGaAs InP

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一种高灵敏度硅微机械陀螺的设计与制造

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传感器技术 2004年第12期23卷 82-85页

作者：陈雪萌宋朝晖李欣昕王跃林张鲲焦继伟杨恒中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

设计与制造了一种高灵敏度的硅微机械陀螺。陀螺用静电来驱动,用连接成惠斯顿电桥的压阻式力敏电阻应变计来检测。主梁、微梁质量块结构实现了高灵敏度。比较硬的主梁提供了一定的机械强度,并且提供了高共振频率。微梁很细,检测时微梁... 详细信息

设计与制造了一种高灵敏度的硅微机械陀螺。陀螺用静电来驱动,用连接成惠斯顿电桥的压阻式力敏电阻应变计来检测。主梁、微梁质量块结构实现了高灵敏度。比较硬的主梁提供了一定的机械强度,并且提供了高共振频率。微梁很细,检测时微梁沿轴向直拉直压。力敏电阻应变计就扩散在微梁上,质量块很小的挠动就能在微梁上产生很大的应力,输出很大的信号。5V条件下,陀螺检测部分的理论灵敏度达到27.45mV/gn。压阻式四端器件用来监测驱动振幅,可以反馈补偿压阻的温度系数。检测模态的Q值达260使陀螺能在大气下工作。陀螺利用普通的n型硅片制造,为了刻蚀高深宽比的结构,使用了深反应离子刻蚀(DRIE)工艺。

关键词：陀螺压阻深反应离子刻蚀

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超导纳米线单光子探测器件的单光子响应

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科学通报 2009年第16期54卷 2416-2420页

作者：尤立星申小芳杨晓燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室上海200050

单光子探测技术是量子通信系统中量子密钥分发实现的关键技术之一.超导纳米线单光子探测技术是一种新型的单光子探测技术,相对于传统的半导体单光子探测器件具有高计数率、低暗计数等明显的优势.介绍了基于低温超导NbN超薄薄膜的超导纳... 详细信息

单光子探测技术是量子通信系统中量子密钥分发实现的关键技术之一.超导纳米线单光子探测技术是一种新型的单光子探测技术,相对于传统的半导体单光子探测器件具有高计数率、低暗计数等明显的优势.介绍了基于低温超导NbN超薄薄膜的超导纳米线单光子探测器件以及实验室超导单光子探测系统.对超导纳米线单光子探测器件的单光子响应脉冲特性进行了细致的分析和研究,讨论了测试系统带宽等参数与脉冲波形的关系.并利用电路模拟对超导单光子探测电信号波形进行了分析,模拟结果和实验结果具有很好的一致性.通过这些工作进一步理解超导单光子探测机理,为未来建立量子通信用超导纳米线单光子探测系统打下良好的基础.

关键词：量子通信单光子探测超导纳米线单光子探测器件动态电感

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含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 238-240页

作者：于广辉雷本亮孟胜王新中林朝通齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能... 详细信息

研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.

关键词：氮化镓氢化物气相外延低温氮化铝插入层

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SQUID读出电路的仿真及其调试电路的设计

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稀有金属材料与工程 2008年第A04期37卷 457-460页

作者：王永良王会武谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

超导量子干涉器件(SQUID)配合其读出电路可实现极其微弱磁场的测量,设计低噪声高性能的读出电路是SQUID应用中的一个重要工作。本文介绍了根据电路数学模型进行电路行为仿真的方法,对电路进行模块划分,建立各模块的数学模型,通过仿真分... 详细信息

超导量子干涉器件(SQUID)配合其读出电路可实现极其微弱磁场的测量,设计低噪声高性能的读出电路是SQUID应用中的一个重要工作。本文介绍了根据电路数学模型进行电路行为仿真的方法,对电路进行模块划分,建立各模块的数学模型,通过仿真分析影响电路性能的关键参数,进而指导具体电路的设计实现,同时介绍了一种调试电路的研制,可实现基于交流调制的磁通锁定式读出电路在常温下的调试。

关键词： SQUID 读出电路电路仿真调试电路

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隧道结在多结太阳电池中的应用

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稀有金属 2004年第3期28卷 526-529页

作者：朱诚张永刚李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。结果表明 :随着掺杂浓度... 详细信息

主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。结果表明 :随着掺杂浓度的提高 ,峰值电流密度逐渐增大 ;对于GaInP/GaAs太阳电池 ,隧道结采用GaInP材料比采用GaAs材料性能要好的多。

关键词：隧道结隧穿电流串接太阳电池 I-V特性

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