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检索条件"机构=上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
1107 条 记 录,以下是301-310 订阅
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隧道结在多结太阳电池中的应用
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稀有金属 2004年 第3期28卷 526-529页
作者: 朱诚 张永刚 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。结果表明 :随着掺杂浓度... 详细信息
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四阱耦合InGa As/InAl As/InP量子级联激光器材料的结构特性研究
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稀有金属 2004年 第3期28卷 572-573页
作者: 李华 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失... 详细信息
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THz量子级联激光器的材料生长和器件制作
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功能材料 2007年 第A01期38卷 11-12页
作者: 韩英军 黎华 谭智勇 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用分子束外延的方法,生长了GaAs/Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构,并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9-150K的范围内,测量了器件的I-V曲线。
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大孔径光电导天线产生的太赫兹脉冲时间特性研究
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稀有金属 2004年 第3期28卷 588-589页
作者: 张同意 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
在电流涌流模型中考虑了电场屏蔽效应、有限载流子寿命和有限弛豫时间的影响 ,得到了大孔径光电导天线表面辐射场和辐射远场的解析表达式 ,讨论了辐射场对载流子寿命、弛豫时间、激励光脉冲通量和脉冲宽度的依赖关系。
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一种用于核酸绝对定量检测的高鲁棒性液滴式数字PCR芯片
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高等学校化学学报 2020年 第8期41卷 1760-1767页
作者: 彭伙 高则航 廖承悦 王晓冬 周洪波 赵建龙 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学 北京100049 上海科技大学信息科学与技术学院 上海201210 北京旌微医学工程研究院有限公司 北京100176
为满足液滴式数字聚合酶链式反应(PCR)技术对扩增反应过程中稳定保存液滴以及反应后高效检测的核心需求,构建了一种具有过滤气泡和增强荧光信号功能的液滴式数字聚合酶链式反应芯片.该芯片可在10 min内产生20多万个半径约为21μm的液滴... 详细信息
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0.13μm抗辐射SOICMOS标准单元库建库流程研究与实现
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固体电子学研究与进展 2014年 第3期34卷 273-279页
作者: 吕灵娟 刘汝萍 林敏 杨根庆 邹世昌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049
基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单... 详细信息
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基于Verilog-A的电容式MEMS加速度计模型
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传感技术学报 2008年 第6期21卷 942-945页
作者: 赵楷 熊斌 车录锋 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
本文分析了传统MEMS电容式加速度计模型的不足,根据三明治结构电容式加速度计的特点,考虑了寄生电容和热机械噪声的影响,建立了用Verilog-A硬件描述语言实现的模型。该模型与主流集成电路设计环境相兼容,具有很强的可移植性。模拟验证... 详细信息
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应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究
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Journal of Semiconductors 2006年 第z1期27卷 407-410页
作者: 刘玉菲 刘文平 李四华 吴亚明 罗乐 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 微系统技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过500kPa He气保压2h,BCB... 详细信息
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AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用
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半导体光电 2009年 第5期30卷 691-695,699页
作者: 刘成 曹春芳 劳燕锋 曹萌 吴惠桢 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 上海空间电源研究所 上海200233
应用高掺杂pn结和异质结能带理论,计算了AlInAs/InP异质隧道结的电学特性,发现其性能优于AlInAs和InP同质隧道结,并得出了掺杂浓度与隧道电流的关系曲线。采用气态源分子束外延(GSMBE)设备生长了面电阻率约为10-4Ω.cm2的AlInAs/InP异... 详细信息
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原子层沉积与磁控溅射法制备TiO2薄膜性能对比研究
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人工晶体学报 2016年 第6期45卷 1555-1559,1566页
作者: 陈燕 佘秋明 吴爱林 宋新山 宋志棠 姚栋宁 吴良才 东华大学环境科学与工程学院 上海201620 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
分别采用原子层沉积(ALD)和磁控溅射法(MS)在Si和石英衬底上制备TiO_2薄膜,并进行退火处理。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和紫外分光光度计对这两种方法制备薄膜的晶型结构、表面形貌和光学特性进行... 详细信息
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