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语言

  • 1,107 篇 中文
检索条件"机构=上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
1107 条 记 录,以下是321-330 订阅
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基于紫外吸收原理的硝酸盐在线监测传感器研制及应用
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环境工程学报 2016年 第4期10卷 2122-2126页
作者: 孙浩 郭慧 赵辉 王勤 戚海燕 金庆辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050 上海市环境保护信息中心 上海200030 上海市松江区环境保护局 上海201600
基于紫外吸收原理,研制了一种新型硝酸盐在线监测传感器。通过对硝酸钾标准溶液的测试,绘制了该传感器的标准曲线,利用传感器对几种实际水体的硝酸盐含量进行了检测,并和国标法进行对比,同时通过加标回收率、稳定性、重复性及最低检出... 详细信息
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基于量子点荧光探针的高灵敏蛋白质检测方法
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华东师范大学学报(自然科学版) 2016年 第2期 144-152页
作者: 吴思敏 贾春平 刘莉芬 郜晚蕾 景奉香 金庆辉 张红锋 赵建龙 华东师范大学生命科学学院 上海200241 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050
通过制备量子点荧光检测探针,构建了一种基于量子点探针和免疫磁珠的蛋白质检测方法,实现了对蛋白肿瘤标志物癌胚抗原(carcinoembryonic antigen,cEA)的高灵敏定量检测.在该检测体系中,若存在有靶标蛋白,其与量子点检测探针以... 详细信息
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一种基于表面张力的硅通孔互连快速填充技术
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半导体技术 2016年 第9期41卷 700-705页
作者: 刘冰杰 顾杰斌 杨恒 上海大学机电工程与自动化学院 上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200000
硅通孔互连(TSV)技术是三维电子封装中主要的电互连技术之一。针对常用的电镀填充方式对于尺寸较大的TSV存在填充速度慢的问题,提出了一种基于表面张力的TSV快速填充技术。该技术利用毛细现象和液桥夹断现象通过喷嘴实现液态金属在TSV... 详细信息
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TiFe基储氢合金的BaZrO_3坩埚熔炼制备及其储氢性能
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重庆大学学报(自然科学版) 2016年 第2期39卷 107-113页
作者: 李重河 周汉 陈光耀 胡仁民 吴铸 李志林 省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室 上海200072 上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室 上海200072 上海大学材料科学与工程学院 上海200072 上海特种铸造工程技术研究中心 上海201605 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
利用自制25kg级BaZrO3坩埚,通过ZG-0.05型真空感应熔炼制备TiFe基储氢合金。熔炼条件为:0.6 MPa氩气保护气氛,精炼时间5~10min,精炼温度1 450℃左右。采用ICP原子发射光谱分析仪分析熔合金的化学成分,利用金相显微镜、扫描电子显微镜... 详细信息
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基于单端QD-SOA波长转换增益恢复特性研究
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激光技术 2016年 第5期40卷 742-745页
作者: 崔乐乐 王海龙 李雯 张国 龚谦 曲阜师范大学物理工程学院 曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
为了对单端量子点半导体光放大器(QD-SOA)全光波长转换器的增益恢复特性进行系统分析,采用分段法和4阶龙格-库塔法,利用单端QD-SOA的交叉增益调制效应的全光波长转换原理分别求解速率方程和光场方程,分析了注入电流、后端面反射率以及... 详细信息
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基于量子点光放大器波长转换的啁啾特性研究
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激光技术 2016年 第2期40卷 292-295页
作者: 陈廷廷 王海龙 刘松 龚谦 曲阜师范大学物理工程学院 曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
信号光的啁啾特性在很大程度上会影响量子点半导体光放大器(QD-SOA)的性能,引起传输信号的走离效应,使误比特率增高。为了改善这一特性,对QD-SOA全光波长转换器的啁啾特性进行了系统分析,基于QD-SOA的交叉增益调制效应的全光波长转换原... 详细信息
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单壁碳纳米管的肺毒性及氧化应激机制
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第二军医大学学报 2016年 第7期37卷 815-820页
作者: 吕高建 汤莹 沈亚峰 雷长海 赵文茹 陈新 杨勇骥 华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室 上海200237 第二军医大学基础部生物物理学教研室 上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
目的研究单壁碳纳米管(single-wall carbon nanotubes,SWCNTs)的肺毒性,并探讨其毒性机制,为安全生产和应用SWCNTs提供实验依据。方法 A549细胞用质量浓度为0、25、50、100、150、200μg/mL的SWCNTs溶液孵育24h,用CCK-8和乳酸脱氢酶(lac... 详细信息
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Sr掺杂的拓扑绝缘体Bi2Se3中超导与微观结构之间的关系研究
Sr掺杂的拓扑绝缘体Bi2Se3中超导与微观结构之间的关系研究
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第十四届全国超导学术研讨会
作者: 王梦 李卓君 张德炯 韩超群 刘文晶 乔山 钱冬 高春雷 徐贲 田鹤 高波 超导电子学卓越创新中心 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 硅材料国家重点实验室电镜中心 浙江大学材料学院杭州310027 人工结构及量子调控重点实验室 上海交通大学物理与天文系上海200240 复旦大学物理系 上海 清华大学 北京
通过掺杂的方法在拓扑绝缘体中诱导出超导,是实现拓扑超导电性和寻找神秘的Majorana 费米子的一种重要可能途径,然而其超导机理目前尚无定论。我们试图通过对掺杂原子的占位分析,从微观机构上提供一个新的理解思路。
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基于MEMS技术的水平轴光纤加速度传感器
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光电子.激光 2015年 第3期26卷 414-421页
作者: 王小伟 钟少龙 徐静 吴亚明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所、传感技术国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学微系统与信息技术学院 上海200050
提出了一种基于微机电系统(MEMS)技术的水平轴光纤加速度传感器,并与Z轴光纤加速度传感器在同一MEMS芯片上制造,形成单一方向出纤的三轴光纤加速度传感器。分析了器件工作原理和器件结构参数与其性能的关系,利用MEMS技术成功制作出了加... 详细信息
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ICP参数和掩膜材料对SiC刻蚀界面的影响
ICP参数和掩膜材料对SiC刻蚀界面的影响
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第十五届全国固体薄膜学术会议
作者: 李静杰 程新红 郑理 沈玲燕 王谦 张栋梁 钱茹 俞跃辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能国家重点实验室上海200050 中国科学院大学 北京 101407 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能国家重点实验室上海200050
本文采用SF6和O2两种不同的气体对SiC进行ICP沟槽刻蚀,当O2的流量增加时,O2和F离子会与C生成易挥发的CO,CO2和COF2,进而增加了SiC的刻蚀速率(如图1示)。
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