检索结果-内蒙古大学图书馆

第十五届全国固体薄膜学术会议

作者：李静杰程新红郑理沈玲燕王谦张栋梁钱茹俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京 101407 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能国家重点实验室上海200050

本文采用SF6和O2两种不同的气体对SiC进行ICP沟槽刻蚀,当O2的流量增加时,O2和F离子会与C生成易挥发的CO,CO2和COF2,进而增加了SiC的刻蚀速率(如图1所示)。

关键词： SiC刻蚀表面粗糙度刻蚀选择比微沟槽效

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FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正

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红外与毫米波学报 2015年第6期34卷 737-743页

作者：张永刚周立顾溢马英杰陈星佑邵秀梅龚海梅方家熊中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对... 详细信息

针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对多种短波红外InGaAs光电探测器进行了测量校正,获得了与实际符合的响应光谱.为验证方案的适用性,还与采用经精确标定的光栅分光测量系统测得的结果进行了比对,确认了其适用性.结果表明,采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得符合实际的响应光谱.

关键词：响应光谱校正光电探测器量子型傅里叶变换红外

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二极管型红外焦平面阵列的噪声分析及结构优化设计（英文）

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红外与毫米波学报 2015年第6期34卷 647-653页

作者：朱慧慧冯飞王跃林李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

二极管非制冷红外焦平面阵列(IRFPA)探测器具有广阔的前景,然而它的性能受噪声源的制约,为了得到高性能的探测器,必须研究噪声源并减小其影响.概述了探测器噪声源,量化并研究了不同噪声对探测器的影响,最后得到了二极管IRFPA的性能极限... 详细信息

二极管非制冷红外焦平面阵列(IRFPA)探测器具有广阔的前景,然而它的性能受噪声源的制约,为了得到高性能的探测器,必须研究噪声源并减小其影响.概述了探测器噪声源,量化并研究了不同噪声对探测器的影响,最后得到了二极管IRFPA的性能极限,此外,计算得到了最优的结构参数.理论研究表明温度起伏噪声对应的最小噪声等效温差(NETD)为2.36mK,此时探测器热导为辐射热导,其值为2.06 nW/K.当单元尺寸为25μm×25μm的探测器的正向偏置电流为33μA,占空比为54%时可得到最优NETD为46.5 mK.

关键词：非制冷红外焦平面阵列二极管噪声等效温差

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DNA功能化纳米金结合基因芯片可视化检测microRNAs

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中国科学：生命科学 2016年第3期46卷 314-320页

作者：王萍赵建龙胡斌程祖乐白亚楠金庆辉刘慧颖毛红菊李三强赵建龙河南科技大学医学院肝脏损伤与修复分子医学重点实验室洛阳471003 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 上海徐汇中心医院生物传感技术临床研究中心上海200040 中国科学院大学北京100049 大连医科大学口腔医学院口腔修复教研室大连116023

开发了一种纳米金探针结合基因芯片用于micro RNAs（mi RNAs）检测的高灵敏度便携式生物传感器.靶标mi RNAs特异性捕获探针固定在芯片上,通过与纳米金探针杂交进行检测,最后利用过氧化氢（H2O2）还原四氯金酸（HAu Cl4）来放大检测信号... 详细信息

开发了一种纳米金探针结合基因芯片用于micro RNAs（mi RNAs）检测的高灵敏度便携式生物传感器.靶标mi RNAs特异性捕获探针固定在芯片上,通过与纳米金探针杂交进行检测,最后利用过氧化氢（H2O2）还原四氯金酸（HAu Cl4）来放大检测信号.利用单个纳米金探针结合基因芯片可以检测到10 pmol/L的靶标mi RNAs,测得mi R-126在胎牛血清中的回收率为81.5%~109.1%.用这种生物传感器检测肺癌组织样本总RNA中的mi R-126,结果与定量PCR结果具有一致性.利用双纳米金探针进一步提高了检测灵敏度,可以检测到1 fmol/L的mi R-125a-5p.整个分析时间不超过1 h,并且实验结果可以用肉眼观察.这个平台可以同时检测肺癌相关mi R-126和mi R-125a-5p,并且具有费用低、快速和便捷的优势,有望用于mi RNAs的超灵敏可视化检测.

关键词： microRNA 纳米金基因芯片生物传感器可视化检测

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硅基MEMS振荡器的静电反馈技术研究

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电子设计工程 2016年第21期24卷 156-159页

作者：张磊游卫龙杨恒李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100040

硅基MEMS振荡器的频率温度系数高达-30 ppm/℃,是石英晶体振荡器的100倍以上,因此必须进行频率温度补偿。静电反馈是一种低功耗补偿技术,但是静电力小,对于频率较高的振荡器效果不理想。设计了一种具有高Q值的I2BAR结构的高频振荡器,通... 详细信息

硅基MEMS振荡器的频率温度系数高达-30 ppm/℃,是石英晶体振荡器的100倍以上,因此必须进行频率温度补偿。静电反馈是一种低功耗补偿技术,但是静电力小,对于频率较高的振荡器效果不理想。设计了一种具有高Q值的I2BAR结构的高频振荡器,通过优化振荡结构、制作纳米尺度间隙、采用高掺杂衬底来提高静电反馈的作用。建立了器件的机电耦合解析模型,并根据器件的物理结构和尺寸建立了包含寄生效应的等效电学模型,进行PSpice仿真。实验测得振荡器在30 Pa气压下具有48 000的Q值,当电压从1 V增加到25 V,频率变化-1 194 ppm,频率温度特性为-14 ppm/℃,表明通过静电反馈能够补偿85℃范围内温度变化引起的频率偏移。

关键词： MEMS振荡器静电反馈电学模型温度补偿

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多通道超导全张量读出电路系统研制

多通道超导全张量读出电路系统研制

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第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：徐小峰王永良张国峰张树林邱隆清荣亮亮谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

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“万能离子刀”

“万能离子刀”

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第16届全国荷电粒子源粒子束学术会议

作者：欧欣信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

载能离子与固体相互作用的效果是多方面的。其中一个重要现象和作用是通过气体离子与固体的相互作用可以在固体材料表面或内部产生空体积缺陷，如空位、空洞和气泡等。通过有效控制离子束产生的空体积缺陷并实现“Defect induce Effect...

载能离子与固体相互作用的效果是多方面的。其中一个重要现象和作用是通过气体离子与固体的相互作用可以在固体材料表面或内部产生空体积缺陷，如空位、空洞和气泡等。通过有效控制离子束产生的空体积缺陷并实现“Defect induce Effect”，在材料研究的很多领域可以产生重要的应用。如表面纳米图形化、核材料辐照行为、功能氧化物器件调控以及新型微电子衬底材料——绝缘体上的硅以及异质集成材料制备。基于气体离子注入的离子束缺陷工程可以形象的比喻为一把“万能离子刀”。

关键词：

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应用于RSFQ超导数字电路的Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结的制备与表征

应用于RSFQ超导数字电路的Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结的制备与表征

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第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：熊伟应利良中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

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高性感荧光传感材料的设计、性能及应用

高性感荧光传感材料的设计、性能及应用

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中国化学会第30届学术年会-第二十分会：光电功能器件

作者：贺庆国付艳艳徐炜范天驰姚俊俊高宜逊程建功传感技术联合国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

危险化学品如爆炸物、神经毒剂和毒品等影响国家和社会安全,这些危险品的探测要求灵敏、快速和专一性识别以适应现场检测需要。近年来,荧光传感技术尤其由于其灵敏度高、选择性好、响应快等优点受到广泛关注。通过聚集态活化、聚集态发... 详细信息

危险化学品如爆炸物、神经毒剂和毒品等影响国家和社会安全,这些危险品的探测要求灵敏、快速和专一性识别以适应现场检测需要。近年来,荧光传感技术尤其由于其灵敏度高、选择性好、响应快等优点受到广泛关注。通过聚集态活化、聚集态发光调节、精巧的结构设计等合成了系列的高性能痕量危险品荧光传感材料。并以此为基础,制备了基于试纸或纳米基底的高性能传感器件,实现了部分危险化学品的探测应用。

关键词：爆炸物毒品神经毒剂荧光传感

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介质钝化对GaN HEMT性能的影响

介质钝化对GaN HEMT性能的影响

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中国物理学会2016年秋季会议

作者：沈玲燕程新红王中健张栋梁郑理曹铎王谦李静杰俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅介质的氟化石墨烯绝缘栅介质高电子迁移率晶体管(FG-MIS HEMT)。与无氟化石墨烯的普通MIS HEMT 相比,Al2O... 详细信息

本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅介质的氟化石墨烯绝缘栅介质高电子迁移率晶体管(FG-MIS HEMT)。与无氟化石墨烯的普通MIS HEMT 相比,Al2O3/FG/GaN 结构中Al2O3 与GaN 之间有锐利的分界,不存在界面层,且生长的Al2O3 具有致密性高、介电常数大的优点。

关键词： AlGaN/GaN 石墨烯钝化层电流崩塌

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