检索结果-内蒙古大学图书馆

真空科学与技术学报 2015年第1期35卷 109-113页

作者：尤佳毅沈鸿烈吴天如谢晓明南京航空航天大学材料科学与技术学院南京211100 南京航空航天大学纳智能材料器件教育部重点实验室南京210016 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

以聚苯乙烯为固态碳源,抛光铜箔为衬底,通过改变固态碳源的温度探索了固态碳源温度对双温区化学气相沉积法生长石墨烯的影响。样品采用拉曼散射光谱、紫外-可见分光光度计和扫描电子显微镜进行了表征。结果表明,固态碳源温度的变化直接... 详细信息

以聚苯乙烯为固态碳源,抛光铜箔为衬底,通过改变固态碳源的温度探索了固态碳源温度对双温区化学气相沉积法生长石墨烯的影响。样品采用拉曼散射光谱、紫外-可见分光光度计和扫描电子显微镜进行了表征。结果表明,固态碳源温度的变化直接影响了气相碳源浓度,通过控制固态碳源温度,可以控制所得石墨烯的层数。固态碳源动态变温生长能够在生长的起始阶段降低石墨烯形核密度,同时打破晶粒长大时氢气刻蚀速率与石墨烯生长速率的动态平衡,可以有效地提升石墨烯的覆盖率。最终在衬底温度为1000℃条件下使用固态碳源动态变温制备了I2D/IG达到2.91,透过率为97.6%的高质量单层石墨烯薄膜。

关键词：石墨烯固态碳源动态变温化学气相沉积

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图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长

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半导体技术 2015年第6期40卷 448-454页

作者：戚永乐张瑞英张震王岩岩朱健孙玉润赵勇明董建荣王庶民中国科学技术大学纳米学院江苏苏州215123 中国科学院苏州纳米技术-9纳米仿生研究所江苏苏州215123 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生... 详细信息

使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生长条件相关。与渐变缓冲层生长相比,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关。AFM测试结果表明,提高V/III比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度降至纳米量级。微区喇曼光谱测试表明,在适当条件生长下可获得InP成核层的二维生长方式。该研究为进一步基于ART机理在二维图案化GaAs衬底开展InP异质外延研究奠定基础。

关键词：图形化衬底 GaAs/InP异质外延表面形貌粗糙度应力

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心磁图仪及其临床研究

心磁图仪及其临床研究

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第十一届中国科学院“百人学者论坛”学术年会暨第七届江西科学论坛

作者：孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁区长宁路865号200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心(CENSE) 上海市长宁区长宁路865号200050 漫迪医疗仪器(上海)有限公司

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钒基储氢合金的研究进展

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材料导报 2015年第23期29卷 92-97页

作者：李朵娄豫皖杜俊霖蒲朝辉黄铁生李志林吴铸李重河省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心上海200050 上海特种铸造工程技术研究中心上海201605

钒基固溶体储氢合金具有高的储氢密度,并且室温下可以吸放氢,具有良好的动力学性能,因此被认为是最有潜力的车载储氢材料之一。介绍了金属钒吸放氢特性,概述了钒基储氢合金的研究进展,就近年来改善钒基储氢合金性能的方法进行了总结,并... 详细信息

钒基固溶体储氢合金具有高的储氢密度,并且室温下可以吸放氢,具有良好的动力学性能,因此被认为是最有潜力的车载储氢材料之一。介绍了金属钒吸放氢特性,概述了钒基储氢合金的研究进展,就近年来改善钒基储氢合金性能的方法进行了总结,并对钒基储氢合金的稳定性及应用成本等问题进行了探讨。最后,对钒基储氢合金亟待解决的问题及发展方向进行了展望。

关键词：钒基固溶体合金合金化热处理循环稳定性

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大型起重机械在线监测的无线传感器网络节点设计

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传感器与微系统 2015年第9期34卷 76-79页

作者：刘大洋赵伟杨恒中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

从大型起重机械结构健康监测的实际应用出发,结合无线传感器网络分布式、高鲁棒性的特点,设计了一种基于Zig Bee的可对大型起重机械长期在线监测的无线传感器节点系统,并结合Lab VIEW针对节点的通信距离、数据传输可靠性以及功耗等进行... 详细信息

从大型起重机械结构健康监测的实际应用出发,结合无线传感器网络分布式、高鲁棒性的特点,设计了一种基于Zig Bee的可对大型起重机械长期在线监测的无线传感器节点系统,并结合Lab VIEW针对节点的通信距离、数据传输可靠性以及功耗等进行了现场实验,证明了节点能够很好地完成结构健康监测数据的采集与发送,能够满足在实际现场环境中大型起重机械结构健康监测对通信距离和可靠性以及节点功耗的要求。

关键词：起重机械结构健康监测无线传感器网络

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InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器(英文)

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红外与毫米波学报 2014年第3期33卷 213-217页

作者：曹远迎顾溢张永刚李耀耀方祥李爱珍周立李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量... 详细信息

采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量子阱结构具有很高的晶格质量.在100K、130mA连续波工作模式下,激光器的峰值波长达到1.94μm,对应的阈值电流密度为2.58 kA/cm^2.随着温度升高,激光器的激射光谱出现独特的蓝移现象,这是由于激光器结构中相对较高的内部吸收和弱的光学限制引起最大增益函数斜率降低所导致的.

关键词：数字合金量子阱分子束外延

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全息光刻和二次显影法制备柱形二维光子晶体(英文)

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红外与毫米波学报 2014年第1期33卷 45-49页

作者：曹远迎张永刚李耀耀顾溢李爱珍李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用全息光刻和二次显影的方法制备了柱形二维光子晶体.在此过程中,二维点状的周期结构首先在正性光刻胶上直接形成,然后经由Si3N4硬掩模转移到衬底材料上.利用二次显影的方法,曝光强度最强和曝光强度中等区域的光刻胶能够被同时充分显... 详细信息

采用全息光刻和二次显影的方法制备了柱形二维光子晶体.在此过程中,二维点状的周期结构首先在正性光刻胶上直接形成,然后经由Si3N4硬掩模转移到衬底材料上.利用二次显影的方法,曝光强度最强和曝光强度中等区域的光刻胶能够被同时充分显影,而曝光强度最弱区域的光刻胶则可以完全被保留下来.通过调节入射角,可以方便地调节二维结构的周期.利用此方法,在相对较大的面积上制备了不同周期的二维结构,二维结构具有很好的均匀性和重复性.文章对有关的工艺参数进行了详细讨论.

关键词：全息光刻二维光子晶体柱形二次显影

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SQUID矢量磁强计正交性矫正方法研究

SQUID矢量磁强计正交性矫正方法研究

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第十三届全国超导学术研讨会

作者：李华张树林张朝祥王永良孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

准确获取环境场三分量信息，对微弱磁信号检测具有比较重要的意义，矢量正交性是其中的关键问题.本文采用3个SQUID磁强计构成三分量矢量磁强计，并分别采用了两种方法对其正交性进行了矫正研究.第一，借助商用磁通门计(Bartington Mag 0... 详细信息

准确获取环境场三分量信息，对微弱磁信号检测具有比较重要的意义，矢量正交性是其中的关键问题.本文采用3个SQUID磁强计构成三分量矢量磁强计，并分别采用了两种方法对其正交性进行了矫正研究.第一，借助商用磁通门计(Bartington Mag 03MSL70)的正交性(＜0.1°)来矫正矢量磁强计的正交性.利用三维Helmholtz线圈分别产生单频(1Hz)均匀场，分别记录两者在各均匀场下的幅值响应，基于均匀场下两者幅值响应等价计算得到正交性矫正系数矩阵，以此矫正矢量磁强计正交性.第二，采用数值计算的方法优化矢量磁强计的正交性.利用Helmholtz线圈产生方向及幅值固定的单频均匀场，分别获取矢量磁强计在均匀场下不同方向及角度的多点幅值响应，根据矢量模的不变性建立目标函数，优化了矢量磁强计的正交性.前者简单易行，但矫正精度受商用磁通门计正交性限制;后者精度较高，但实验及计算繁杂.

关键词： SQUID 三分量矢量磁强计正交性

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气态源MBE外延生长室温连续激射Ge基InAs/GaAs量子点激光器

气态源MBE外延生长室温连续激射Ge基InAs/GaAs量子点激光器

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：王朋龚谦曹春芳王亚楠李耀耀王庶民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University o

Ⅲ-Ⅴ族直接带隙化合物半导体具有非常优越的光学性能，将其与Si衬底集成是实现IC电路光互联的理想途径[1].Ge由于其与Si材料的无限互溶以及与Ⅲ-Ⅴ族GaAs化合物半导体材料的匹配条件，成为Si基光电集成的有效过渡衬底[2].利用GeSi缓冲...

Ⅲ-Ⅴ族直接带隙化合物半导体具有非常优越的光学性能，将其与Si衬底集成是实现IC电路光互联的理想途径[1].Ge由于其与Si材料的无限互溶以及与Ⅲ-Ⅴ族GaAs化合物半导体材料的匹配条件，成为Si基光电集成的有效过渡衬底[2].利用GeSi缓冲层将较为成熟的GaAs基InAs量子点激光器结构与Si衬底结合是实现Si基通信波段激光器的有效途径[3-4].Ge衬底上外延生长GaAs是本工作的关键点.伦敦大学学院和加州大学利用固态源分子束外延(SS-MBE)技术在Ge-on-Si衬底上实现了InAs量子点激光器的室温连续激射[3-4].而在相关方向气态源分子束外延(GS-MBE)技术的研究工作还比较欠缺.

关键词：

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InPBi材料的气态源分子束外延生长性质

InPBi材料的气态源分子束外延生长性质

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：潘文武王庶民吴晓燕王朋中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University o

稀Bi半导体材料具有大的带隙收缩效率和强的自旋轨道分裂能,这些性质使它在光通讯和中红外光电子器件中具有极大的应用潜力而备受关注[1-3].近期,我们通过气态源分子束外延(GSMBE)方法,首次实现了高质量InPBi晶体薄膜的生长,并且观察到...

稀Bi半导体材料具有大的带隙收缩效率和强的自旋轨道分裂能,这些性质使它在光通讯和中红外光电子器件中具有极大的应用潜力而备受关注[1-3].近期,我们通过气态源分子束外延(GSMBE)方法,首次实现了高质量InPBi晶体薄膜的生长,并且观察到了1.4-2.7μm的室温光致发光[4,5].本文系统地研究了气态源分子束外延中PH3压和生长速度对InPBi材料中Bi组分及表面形貌的影响.高分辨X射线衍射(XRD)表征结果如图1所示,我们发现Bi组分与PH3压大小无关,这与GaAsBi等传统的稀Bi半导体材料的生长特性有很大不同.生长高质量的InPBi需要合适的PH3压,过高的PH3压会恶化材料质量和表面形貌,这主要是因为在低温生长条件下,P的反位缺陷数目随PH3压的增加而增加.此外,通过改变生长速度,我们实现了Bi组分的调控,如图2所示,Bi组分与生长速度的倒数成正比.在较低的生长速度下,可以生长得到表面平整,Bi组分高达3.7％的InPBi材料.

关键词：

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