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第十三届全国超导学术研讨会

作者：王海洪韬孔祥燕张懿中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ) D-52425 Jülich Germany

通过升压变压器连接SQUID与前放的磁通调制方案(FMS)是一种标准的SQUID读出技术。变压器的初级线圈串联一个大电容后并联到SQUID两端,次级线圈连接到前放。一个典型频率在100 kHz调制磁通会在SQUID两端产生一个交流的电压信号V(Φ),该... 详细信息

通过升压变压器连接SQUID与前放的磁通调制方案(FMS)是一种标准的SQUID读出技术。变压器的初级线圈串联一个大电容后并联到SQUID两端,次级线圈连接到前放。一个典型频率在100 kHz调制磁通会在SQUID两端产生一个交流的电压信号V(Φ),该电压信号会被变压器放大。由于电容的隔直作用,习惯上认为恒定的直流偏置电流Ib只流经SQUID,在该技术方案中SQUID工作于电流偏置模式。然而,在FMS中SQUID的工作模式既不是纯粹的电流偏置也不是电压偏置,而是混合偏置。通过分析,并定量比较了FMS与直读方案(DRS)的SQUID电流电压(I-V)特性曲线实验测量数据,我们发现：由于变压器的并联分流作用使得流经SQUID的电流Is≠Ib,且不是恒定的,,使得SQUID在FMS中的V(Φ)信号与DRS相比减小了。更重要的是,变压器的通带效应使得SQUID信号变得接近正弦波,这就降低了SQUID工作点附近的(e)V/(e)Φ。

关键词： DC-SQUID FMS DRS

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新颖Ⅳ族发光材料:张应变Ge量子点

新颖Ⅳ族发光材料:张应变Ge量子点

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：宋禹忻王庶民陈其苗张振普王朋岳丽刘娟娟芦鹏飞李耀耀龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国上海 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University of TechnologyGothenburgSweden 北京邮电大学信息光子学与通信研究院信息光子学与光通信国家重点实验室中国北京

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光致发光谱分析InGa(N)As/GaAs单量子阱界面退火演化

光致发光谱分析InGa(N)As/GaAs单量子阱界面退火演化

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第二十届全国半导体物理学术会议

作者：邵军祁镇朱亮陈熙仁王庶民查访星中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 上海大学物理系上海200444

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基于光纤检测技术的扭转敏感微机电系统加速度传感器

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中国激光 2014年第3期41卷 102-109页

作者：钟少龙龙亮李明吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 中船重工远舟(北京)科技有限公司北京100861

为实现微型化、抗电磁干扰、可长时间工作和可远距离传输的加速度传感器,提出了一种基于微机电系统(MEMS)非对称扭镜结构的光纤加速度计设计方案,并利用对角度变化非常敏感的双光纤准直器对扭镜的扭转角度变化进行检测。MEMS光纤加速度... 详细信息

为实现微型化、抗电磁干扰、可长时间工作和可远距离传输的加速度传感器,提出了一种基于微机电系统(MEMS)非对称扭镜结构的光纤加速度计设计方案,并利用对角度变化非常敏感的双光纤准直器对扭镜的扭转角度变化进行检测。MEMS光纤加速度计由MEMS非对称扭镜结构、驱动电极和双光纤准直器等组成。分析了器件的加速度敏感原理和光纤检测原理,介绍了器件综合设计考虑,并给出了器件的结构参数。利用MEMS加工技术成功制作了MEMS光纤加速度计样品。对加速度计进行了实验测试,加速度计的输出实验值与理论值吻合。测试结果表明,该加速度计量程为±2g,带宽为600 Hz,分辨率优于10-4 g,且具有良好的线性度和重复性。该MEMS光纤加速度计将MEMS敏感结构与光纤检测相结合,兼备了两者的优点,结构紧凑、制作工艺简单。

关键词：传感器微机电系统加速度计光纤传感器光纤检测微加工

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GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究

GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：周书星艾立鹍徐安怀王庶民齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等....

稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等.因为铋元素是Ⅴ族元素中最大最重的元素,当被引入Ⅲ-Ⅴ族化合物中时,会形成最大的自旋轨道耦合,导致价带边上升,剪裁能带.同时研究发现,在不同的生长条件下,掺碳还可分别获得超高浓度的p型或n型InGaAsBi,可用于异质结双极晶体管(HBT)等器件的基区或欧姆接触层.

关键词：

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基于超导接收的低阻覆盖区瞬变电磁勘探

基于超导接收的低阻覆盖区瞬变电磁勘探

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第十三届全国超导学术研讨会

作者：荣亮亮常凯王远蒋坤王永良嵇艳鞠谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京100039 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室吉林大学长春130000 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室

低阻覆盖区探测是瞬变电磁勘探的难点和技术前沿,传统的感应线圈接收受灵敏度和频率特性的制约,低阻覆盖区探测效果有限.基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的传感器具有磁场噪声水平低(fT量级),带宽大,灵敏度不随频率变化以及直接测量磁... 详细信息

低阻覆盖区探测是瞬变电磁勘探的难点和技术前沿,传统的感应线圈接收受灵敏度和频率特性的制约,低阻覆盖区探测效果有限.基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的传感器具有磁场噪声水平低(fT量级),带宽大,灵敏度不随频率变化以及直接测量磁场等特点和优势,适合瞬变电磁(TEM)应用.与传统的空心线圈接收相比,超导接收的晚期信号信噪比高,探测深度显著增大.本文基于欠阻尼低温SQUID和单片低噪声直读电路构建了高摆率、大带宽的超导瞬变电磁接收传感器,磁传感器本底噪声水平7fT/√Hz@1kHz,噪声转折频率20Hz,带宽4MHz,摆率3 nT·μs-1.我们在上海市横沙岛开展了验证实验,上海横沙岛地表电阻率为10欧姆米左右,为典型的低阻覆盖区,我们基于超导接收实现了1400米的有效探测深度,对比线圈700米探测深度,应用优势明显.

关键词：瞬变电磁低温SQUID磁传感器摆率衰减曲线

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缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究

缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：艾立鹛徐安怀周书星齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电离几率高,导击穿电压较低,输出电导较高,影响了器件的功率特性...

InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电离几率高,导击穿电压较低,输出电导较高,影响了器件的功率特性.因此,采用较宽禁带的InP作为集电区的InP/InGaAs/InP双异质结HBT(DHBT)就受到了广泛的重视.本文设计采用了一个基区缓变的结构,基区InGaAs材料由发射极至集电极采用Ga的组份线性增加,这样在基区就形成了一个缓变能带结构而产生加速电场,利用电场作用使电子在基区加速渡过,有利于提高器件性能.

关键词：

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分子束外延生长的GaSbBi薄膜的扫描隧道显微镜表征

分子束外延生长的GaSbBi薄膜的扫描隧道显微镜表征

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：齐鑫宋禹忻邵军王庶民查访星上海大学理学院物理系与微结构实验室上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院上海技术物理研究所与红外物理国家重点实验室上海200083

新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表征.发现未经腐蚀的样品表面电子态存在较大空间不均匀性，表...

新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表征.发现未经腐蚀的样品表面电子态存在较大空间不均匀性，表观带隙在0.35eV ～ 0.64eV之间变化.经化学腐蚀处理，获得较好空间一致性的带隙测量结果且符合生长参数对带隙的预期.

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基于动态遮挡阈值的多视角多目标协作追踪

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计算机研究与发展 2014年第4期51卷 813-823页

作者：周良毅王智王营冠工业控制技术国家重点实验室(浙江大学) 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所无线传感网与通信重点实验室上海200050

多移动目标相互运动过程中产生的相互遮挡造成目标间的复杂空间关系,为视觉传感器网络的多目标信息融合、协同处理和协作追踪带来困难,提出动态遮挡阈值的多视角多目标协作追踪的多视角多目标协同追踪算法.为克服多视觉传感器中的信息... 详细信息

多移动目标相互运动过程中产生的相互遮挡造成目标间的复杂空间关系,为视觉传感器网络的多目标信息融合、协同处理和协作追踪带来困难,提出动态遮挡阈值的多视角多目标协作追踪的多视角多目标协同追踪算法.为克服多视觉传感器中的信息融合及目标一致性表征问题,在基于贝叶斯理论的多视角移动追踪中引入遮挡变量,来描述多目标间的空间关系;通过分析不同视角包含的目标信息量及其对于融合的贡献,给出了遮挡阈值的动态表达式;通过动态调整和比较遮挡阈值来判断目标间的遮挡状态,改进了目标遮挡的判决标准和公共平面中的目标融合特征;并通过结合改进粒子滤波得到基于遮挡变量的多视角目标协作追踪算法,保证了追踪系统的稳定性.实验结果表明,引入遮挡变量以及动态遮挡阈值有效解决了传统追踪算法中的目标不一致性、尺寸变化等难题,提高了目标追踪精度,在目标被遮挡的情况下仍然能够保持良好的追踪效果.

关键词：多视角协作追踪多移动目标特征融合遮挡变量动态阈值颜色直方图粒子滤波

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添加Mn和Co对V_(80)Ti_8Cr_(12)合金储氢性能的影响

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功能材料与器件学报 2015年第5期21卷 145-149页

作者：李朵娄豫皖杜俊霖蒲朝辉黄铁生李志林吴铸李重河中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心上海200050 省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海200072 上海特种铸造工程技术研究中心上海201605

研究了添加Mn和Co对V_(80)Ti_(8-x-y)Cr_(12)Mn_xCo_y(x=0,1,2,3;y=0,0.1,0.2,0.4,0.8,1.0)合金组织结构和储氢性能的影响。结果表明:所有的合金均为bcc单相结构。Mn的添加减小了合金bcc相的晶格常数,平台压升高,平台斜率因子减小,残余... 详细信息

研究了添加Mn和Co对V_(80)Ti_(8-x-y)Cr_(12)Mn_xCo_y(x=0,1,2,3;y=0,0.1,0.2,0.4,0.8,1.0)合金组织结构和储氢性能的影响。结果表明:所有的合金均为bcc单相结构。Mn的添加减小了合金bcc相的晶格常数,平台压升高,平台斜率因子减小,残余氢量减少,然而合金的吸放氢量均有所降低。在V_(80)Ti_7Cr_(12)Mn_1基础上添加Co,随着Co含量的增加,合金的平台压升高,斜率因子减小,吸氢量和有效放氢量均先增加后降低,但有效放氢量均能保持在2.2%以上。当Co含量为0.2at%时,得到合金V_(80)Ti_(6.8)Cr_(12)Mn_1Co_(0.2)在273K吸氢量达到最大为3.81%(质量分数),313K有效放氢量为2.45%,平台压为0.68Mpa。对V_(80)Ti_(6.8)Cr_(12)Mn_1Co_(0.2)合金进行短期循环性能测试得到合金具有良好的循环稳定性,随着循环次数的增加合金的吸氢量变化缓慢,15次循环后的有效放氢量为2.38%。

关键词：钒基储氢合金吸放氢性能放氢平台压,循环性能

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