检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2013年第22期62卷 345-350页

作者：陈茜王海龙汪辉龚谦宋志棠山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海高等研究院上海201203 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况... 详细信息

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况下,随着N组分的增加,散射率和平均散射率增加;在N组分恒定的情况下,随着In组分的增加,散射率和平均散射率减小;随着温度的增加,在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大,在温度较高时随温度的增加而增加;随着阱宽的增加,散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值,然后再减小,最大值出现在阱宽200 A附近.计算结果对Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义.

关键词：费米黄金规则 Ga1-xInxNyAs1-y GaAs量子阱 LO声子散射率

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一种应用于心磁噪声抑制的选择性平均方法研究*

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物理学报 2013年第9期62卷 464-468页

作者：刘明张树林李华邱阳曾佳张国峰王永良孔祥燕* 谢晓明中国科学技术大学信息学院电子科学技术系合肥 230027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在心磁信号探测中,抑制环境噪声是提取心磁信号的关键.为了提高心磁信号的信噪比,信号平均得到了广泛地使用.然而,由于局部干扰噪声的存在,对整段数据进行平均的传统方法不可避免地会带来心磁信号的失真.本文通过采取模版匹配的方式,提... 详细信息

在心磁信号探测中,抑制环境噪声是提取心磁信号的关键.为了提高心磁信号的信噪比,信号平均得到了广泛地使用.然而,由于局部干扰噪声的存在,对整段数据进行平均的传统方法不可避免地会带来心磁信号的失真.本文通过采取模版匹配的方式,提出了一种选择性平均方法.结果显示,本方法能有效剔除带有低频波动、脉冲毛刺等干扰的数据段,获取高质量的平均心磁信号.

关键词：心磁信号平均噪声抑制信噪比

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一种体域网无线心电监护系统的研制与测试

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现代电子技术 2014年第4期37卷 37-41页

作者：张洹千杜晓薇杨坚卞士平韩雪松李擎金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海 200050 中国科学院上海临床研究中心-生物传感技术临床研究中心上海 200031 中国科学院大学北京100049 上海市徐汇区中心医院上海200031

随着中国老龄化和家庭空巢化的加剧,患有慢性疾病的老人在医院外的健康监护问题变得日益突出。这就需要人们能够设计出有别于传统医疗仪器的新系统,这样的新系统称为体域网系统。论述了体域网无线心电监护系统的设计方案,重点介绍了患... 详细信息

随着中国老龄化和家庭空巢化的加剧,患有慢性疾病的老人在医院外的健康监护问题变得日益突出。这就需要人们能够设计出有别于传统医疗仪器的新系统,这样的新系统称为体域网系统。论述了体域网无线心电监护系统的设计方案,重点介绍了患者系统以及预警系统的构成。患者系统采用便携式心电检测模块来采集患者的心电信号;蓝牙短距无线通信技术用于将实时心电信号传输到智能手机;预警系统能接收患者系统发送的心电信号。最后给出了在医院环境中对系统进行的三项测试结果。

关键词：体域网无线心电监护老龄化智能手机

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外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响

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物理学报 2013年第23期62卷 308-312页

作者：王文娟王海龙龚谦宋志棠汪辉封松林山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海高等研究院上海201203

在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后... 详细信息

在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势;随着In组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小,但电场强度较大时会破坏激子效应.

关键词：激子 InGaAsP InP量子阱结合能电场

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基于纳球光刻图形化GaAs衬底异质生长InP的局域化表面成核层生长研究

基于纳球光刻图形化GaAs衬底异质生长InP的局域化表面成核层生长...

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第十四届全国固体薄膜学术会议

作者：戚永乐张瑞英张震朱健王岩岩孙玉润赵勇明董建荣王庶民中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及相关材料研究部苏州215125 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及相关材料研究部苏州215125 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海市长宁路865号200050 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海市长宁路865号200050

本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,而与MOCVD的生长条件息息相关.通过和渐变缓冲层生长比较... 详细信息

本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,而与MOCVD的生长条件息息相关.通过和渐变缓冲层生长比较,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但是其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.提高Ⅴ/Ⅲ比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度至埃量级,微拉曼光谱测试显示了它的二维生长.该研究有助于后期在基于ART机理的GaAs图形衬底上生长InP体材料.

关键词：磷化铟材料成核层砷化镓衬底异质生长表面形貌纳球光刻技术

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Ge_2Sb_2Te_5的化学机械抛光研究进展

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化学学报 2013年第8期71卷 1111-1117页

作者：何敖东刘波宋志棠冯高明朱南飞任佳栋吴关平封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100083 中芯国际集成电路制造公司上海201203

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为最有可能成为下一代存储器的主流产品,Ge2Sb2Te5(GST)作为一种传统相变材料已经被广泛应用在相变存储器中,而GST的化学机械抛光作为相变存储器生产的关键工艺目前已被采用.本工... 详细信息

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为最有可能成为下一代存储器的主流产品,Ge2Sb2Te5(GST)作为一种传统相变材料已经被广泛应用在相变存储器中,而GST的化学机械抛光作为相变存储器生产的关键工艺目前已被采用.本工作综述了有关GST的化学机械抛光技术研究进展,讨论了GST化学机械抛光过程的影响因素,如下压力、转速、抛光垫、磨料、氧化剂、表面活性剂等,并对目前GST的化学机械抛光机理进行了归纳,进一步展望了GST的化学机械抛光技术的发展前景.

关键词： Ge2Sb2Te5 化学机械抛光相变存储器

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石墨烯修饰铂电极传感器测定水中微量重金属镉和铅

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分析化学 2013年第2期41卷 278-282页

作者：唐逢杰张凤金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室中国科学院大学

建立了石墨烯修饰铂电极(G/Pt)共沉积铋膜测定水中微量重金属镉和铅的方法。采用微机电系统(MEMS)工艺制作铂电极,并利用CVD法在铂电极上原位生长石墨烯,制备了石墨烯修饰铂电极,与Ag/AgCl参比电极、铂丝对电极构成三电极体系;采用差分... 详细信息

建立了石墨烯修饰铂电极(G/Pt)共沉积铋膜测定水中微量重金属镉和铅的方法。采用微机电系统(MEMS)工艺制作铂电极,并利用CVD法在铂电极上原位生长石墨烯,制备了石墨烯修饰铂电极,与Ag/AgCl参比电极、铂丝对电极构成三电极体系;采用差分脉冲阳极溶出伏安法对水中微量的镉和铅进行测定。在pH=4.5的醋酸-醋酸钠(HAc-NaAc)底液中,Cd2+和Pb2+分别在#0.72和#0.48 V灵敏地产生溶出峰,线性范围分别为0.05～10 mg/L和0.03～5 mg/L,检出限均为10!g/L。本方法操作简单、安全快速、重现性好,适合于废水、地表水、及生活用水中镉和铅的测定。

关键词：石墨烯修饰铂电极差分脉冲阳极溶出伏安法铋膜重金属离子

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低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯

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人工晶体学报 2013年第12期42卷 2589-2594页

作者：孙雷沈鸿烈李金泽吴天如丁古巧朱云谢晓明南京航空航天大学材料科学与技术学院南京211100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,"表面催化"型金属Cu的... 详细信息

以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,"表面催化"型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;"溶解析出"型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨"块";金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱。

关键词：石墨烯 Cu-In合金化学气相沉积

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硅基石墨烯场效应管关键工艺研究

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功能材料 2013年第B12期44卷 344-349页

作者：张凤方新心成霁唐逢杰金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院与德国于利希研究中心超导与生物电子学联合实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

石墨烯由于其独特的电学特性受到关注,工艺的研究促使石墨烯材料的实际应用。着重于石墨烯场效应管关键工艺(目标衬底的预处理、石墨烯的转移、金属沉积、石墨烯刻蚀与退火)的优化。通过实验发现,衬底上硅醇基的密度以及碳氢化合物分子... 详细信息

石墨烯由于其独特的电学特性受到关注,工艺的研究促使石墨烯材料的实际应用。着重于石墨烯场效应管关键工艺(目标衬底的预处理、石墨烯的转移、金属沉积、石墨烯刻蚀与退火)的优化。通过实验发现,衬底上硅醇基的密度以及碳氢化合物分子的大小对器件的性能有很大的影响;与热蒸发方式相比,溅射会对石墨烯引入更多的缺陷,降低器件性能;金属上石墨烯的接触电阻率为1.1×104Ω·μm,而金属下石墨烯的电阻率为2.4×105Ω·μm;应用射频和微波等离子体系统对石墨烯进行刻蚀,微波等离子体会造成石墨烯上的光刻胶碳化,使得光刻胶很难用丙酮去除;器件制备完成后,样品需要在(H2/Ar)还原性气氛中退火,以除去吸附在石墨烯表面的杂质,提高器件的性能。

关键词：石墨烯溅射热蒸发石墨烯转移等离子体刻蚀

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基于电容检测MEMS磁传感器的设计与制作

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纳米技术与精密工程 2013年第3期11卷 222-230页

作者：龙亮钟少龙吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院大学微系统与信息技术学院上海200050

为实现微型化、低功耗、低成本和高灵敏度的磁传感器,提出了一种基于微型磁扭摆结构的磁传感器,并利用对角度变化非常敏感的差分电容检测技术对磁扭摆的扭转角度进行检测.设计的磁传感器包括微扭摆结构、磁性敏感薄膜和差分检测电容等部... 详细信息

为实现微型化、低功耗、低成本和高灵敏度的磁传感器,提出了一种基于微型磁扭摆结构的磁传感器,并利用对角度变化非常敏感的差分电容检测技术对磁扭摆的扭转角度进行检测.设计的磁传感器包括微扭摆结构、磁性敏感薄膜和差分检测电容等部分.分析了器件的磁敏感原理和电容检测原理,给出了器件的结构参数和综合设计考虑.利用体硅加工工艺成功制作出了磁传感器样品,并进行了实验测试.测试结果表明磁传感器有良好的线性度和重复性,其磁场检测的电容灵敏度可达到0.2 fF/Gauss.根据对磁传感器的热噪声分析,可得到磁传感器最小可分辨的磁场为6.72μT.该磁传感器结构简凑、工艺简单,无需电流激励,大大降低了磁传感器功耗.

关键词：磁传感器电容检测 MEMS 磁性薄膜

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