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低温插入层对绿光LED的发光影响(英文)
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发光学报 2013年 第6期34卷 744-747页
作者： 宋世巍 柳阳 梁红伟 夏小川 张克雄 杨德超 杜国同 大连理工大学物理与光电工程学院 辽宁大连116024 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 吉林大学电子科学与工程学院 吉林长春130012
利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件... 详细信息
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矩形微流道内三维水力聚焦效应理论计算
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微电子学 2013年 第5期43卷 698-703页
作者： 周林峰 曾静 彭艳 刘梅 上海大学机电工程与自动化学院 上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050
在矩形微流道内二维水力聚焦计算的基础上,对三维对称和非对称水力聚焦进行了详细的理论计算。根据质量守恒定律和泊肃叶速度剖面等式建立数学方程组,详细推导被聚焦样品流的位置和尺寸,绘制它们与各流速比之间的关系曲线,对影响聚焦的... 详细信息
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纳米SiO_2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用
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润滑与密封 2013年 第7期38卷 88-91页
作者： 张泽芳 侯蕾 闫未霞 刘卫丽 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司 上海201506
制备一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电子显微镜、激光粒度仪、颗粒计数仪等对其物性参数进行表征;使用该抛光液对LED蓝宝石衬底进行机械化学抛光,采用轮廓仪、表面缺陷检测设备、原子力显微镜等对抛光后的蓝宝石衬底表面进行表征。结果... 详细信息
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三维相变存储阵列驱动二极管的制备研究
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功能材料与器件学报 2013年 第6期19卷 270-274页
作者： 刘旭焱 宋三年 刘卫丽 宋志棠 南阳师范学院物理与电子工程学院 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室
结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验。在借助低温等离子体活化键合技术获得了良好的键合界面之后,利用智能剥离法成功... 详细信息
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衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响
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发光学报 2013年 第3期34卷 340-344页
作者： 杨德超 梁红伟 邱宇 宋世巍 申人升 柳阳 夏晓川 俞振南 杜国同 吉林大学电子科学与工程学院 吉林长春130023 大连理工大学物理与光电工程学院 辽宁大连116024 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 浙江水晶光电科技股份有限公司 浙江台州318015
利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延... 详细信息
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光子晶体狄拉克点周围的等效哈密顿量
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功能材料与器件学报 2013年 第4期19卷 161-168页
作者： 刘淼 张小刚 林旭林 蒋寻涯 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院大学 复旦大学信息工程学院电光源系 复旦大学先进照明技术教育部工程研究中心
光子晶体Dirac点周围的性质是国际的一个研究热点,我们基于厄米算符本征方程形式的麦克斯韦方程和微扰论,引入破坏空间反演对称性和时间反演对称性的扰动,严格推导出Dirac点被打开后其周围的等效哈密顿量,并指出前人工作的一些基本错误... 详细信息
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色散旋性材料及磁畴的能带结构与本征模式的厄米矩阵求法
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功能材料与器件学报 2013年 第5期19卷 222-226页
作者： 张小刚 李伟 蒋寻涯 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院大学 复旦大学信息科学与技术院光源与照明工程系 复旦大学教育部高级光源研究中心
我们把色散、无损耗旋磁材料体模的能带结构看作厄米本征值问题。进一步计算表明,该本征模式是一组正交完备基,并且可以用于严格计算有损耗时此种色散体系的本征模式。我们也给出了存在畴界时的边界模式通过该厄米矩阵来求解的方法,表... 详细信息
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第三届全国原子分子光物理青年科学家论坛
第三届全国原子分子光物理青年科学家论坛
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第三届全国原子分子光物理青年科学家论坛
作者： 尤立星 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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约瑟夫森结中Nb膜表面阳极氧化层的研究及应用
约瑟夫森结中Nb膜表面阳极氧化层的研究及应用
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第十二届全国超导学术研讨会
作者： 应利良 亢心洁 张国锋 王会武 彭炜 孔祥燕 王镇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
用阳极氧化工艺在Nb/Al-A1Ox/Nb约瑟夫森结四周形成氧化绝缘层是减小结的漏电流的有效手段.本文采用程控恒流阳极氧化法在Nb膜表面形成氧化层,应用阳极氧化电压谱图来分析和监控氧化条件及界面情况.X射线反射(XRR)和透射电子显微镜(TEM...
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InP基HEMT结构材料气态源分子束外延生长研究
InP基HEMT结构材料气态源分子束外延生长研究
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第十届全国分子束外延学术会议
作者： 周书星 滕腾 艾立鹍 徐安怀 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
InP基高电子迁移率晶体管——High Electron Mobility Transistor(HEMT)以其优越的电气性能,在高速、高频领域里具有重要应用前景.本工作所用生长系统为V90型GSMBE系统。衬底是“epi-ready”掺Fe一InP (100)衬底。固态源Ga、In的纯度为7... 详细信息
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