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检索条件"机构=上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
1107 条 记 录,以下是571-580 订阅
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基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器
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光电子.激光 2012年 第9期23卷 1635-1643页
作者: 翟雷应 徐静 吴亚明 刘闯 雷洪波 陶大勇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室 传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100039 中石油吉林石化分公司化肥厂 吉林132021 中石油吉林石化分公司炼油厂 吉林132022
设计并制作出了一种基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器。MEMS静电驱动器采用垂直梳齿驱动技术,驱动硅微反射镜沿其法线方向的垂直平移运动以实现入射光波的光相位调制。MEMS静电微镜驱动器与光纤准直器耦合构成MEMS光纤相位调制器... 详细信息
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表面等离子体激元微盘的优化设计及应用
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光学学报 2012年 第7期32卷 148-153页
作者: 卢启景 吴根柱 陈达如 刘军 刘旭安 周沛 浙江师范大学光学信息研究所 浙江金华321004 浙江师范大学与浙江大学光学联合研究实验室 浙江杭州310058 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
表面等离子体激元(SPP)微腔具有很高的品质因子和极小的模式体积,在光电子器件研究方面具有重要的应用价值。采用有限元法对表面等离子体激元的金属覆盖介质微盘谐振腔进行理论模拟,研究考虑微盘底半径、介质层厚度及金属膜厚度等参数... 详细信息
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基于金硅原电池保护电容加速度计的制作
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传感器与微系统 2012年 第1期31卷 133-136页
作者: 王辉 吴燕红 杨恒 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池... 详细信息
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退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用
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红外与激光工程 2012年 第2期41卷 279-283页
作者: 邓洪海 魏鹏 朱耀明 李淘 夏辉 邵秀梅 李雪 缪国庆 张永刚 龚海梅 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院研究生院 北京100049 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海200083 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火... 详细信息
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基于SCR的SOI ESD保护器件研究
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功能材料与器件学报 2012年 第1期18卷 17-22页
作者: 夏超 王中健 何大伟 徐大伟 张有为 程新红 俞跃辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14c... 详细信息
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微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术
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传感技术学报 2012年 第7期25卷 885-890页
作者: 王家畴 刘洁丹 李昕欣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050 上海交通大学微纳科技研究院 上海200240
介绍了一种新颖的微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术,该技术充分利用(111)硅片的晶向分布和各向异性湿法腐蚀的特性。通过在单晶硅片表面制作一系列微型释放窗口来定义结构的轮廓及尺寸,实现在单晶硅片内部选择性可自停止腐蚀技术,制... 详细信息
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基于碳膜的柔性神经微电极阵列加工
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纳米技术与精密工程 2012年 第2期10卷 184-188页
作者: 朱壮晖 周亮 张华 李刚 金庆辉 赵建龙 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
为了实现长期安全有效的神经电刺激,避免电极腐蚀情况,提出了一种基于热解光刻胶形成碳膜作为导电材料的柔性视网膜神经微电极阵列.首先,通过高温热解图形化的光刻胶形成导电碳膜,然后利用光敏性聚酰亚胺(Durimide 7510)作为基底材料,... 详细信息
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超导纳米线单光子探测器动态电感研究
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低温与超导 2012年 第11期40卷 18-21页
作者: 巫君杰 尤立星 刘登宽 陈思井 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学 北京100190
单光子探测是一种量子极限光信号的检测技术,超导纳米线单光子探测器(Superconducting NanowireSingle-Photon Detector,SNSPD)作为一种新型的单光子探测技术,在量子通信等众多领域有着广阔的应用前景。SNSPD的动态电感直接决定了SNSPD... 详细信息
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微米尺度温差测试结构的研究
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传感器与微系统 2012年 第11期31卷 47-50页
作者: 霍建琴 冯飞 王文荣 戈肖鸿 李铁 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
微米尺度热学性能测试需要在微米尺度内产生稳定的温度场并准确测量温差,对此设计并制作了一种微米尺度温差测试结构。当在测试结构的加热电极施加0.1,0.2,0.3,0.4,0.5V的电压时,测得实验室制作的硅纳米线两端温差分别为7,23,47,78,109... 详细信息
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全方位抗过载的压阻式三轴加速度计
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传感器与微系统 2012年 第11期31卷 87-90页
作者: 王军诚 吴艳红 孙科 杨恒 李昕欣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
针对加速度计在碰撞中过载失效的问题,提出了一种基于SoI的具有抗过载能力的压阻式三轴集成加速度计。加速度计采用三质量块结构,利用深反应离子刻蚀(DRIE)释放出来的间隙实现横向过载保护,同时利用SoI片,在硅〈100〉平面上通过KOH腐蚀... 详细信息
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