检索结果-内蒙古大学图书馆

材料导报 2012年第14期26卷 22-24,32页

作者：陈达刘林杰薛忠营刘肃贾晓云兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱... 详细信息

利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性。结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜。

关键词：薄膜减压化学气相沉积硅锗负载影响

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氧化物分子束外延技术及其在关联材料电子态研究中的应用

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物理 2012年第4期41卷 211-216页

作者：封东来沈大伟徐海超彭瑞复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

氧化物分子束外延薄膜和异质结生长技术近年来迅速发展,人们已实现以单原子层的精度来精确生长多种复杂量子材料,有力地推动了铜氧化物高温超导电性、二维电子气、氧化物电子学和自旋电子学器件等领域的研究.文章介绍了氧化物分子束外... 详细信息

氧化物分子束外延薄膜和异质结生长技术近年来迅速发展,人们已实现以单原子层的精度来精确生长多种复杂量子材料,有力地推动了铜氧化物高温超导电性、二维电子气、氧化物电子学和自旋电子学器件等领域的研究.文章介绍了氧化物分子束外延的技术关键,并以La1-xSrxMnO3薄膜为例,介绍了钙钛矿结构的氧化物薄膜生长和刻画.特别是文章作者通过建立超高真空下的原位样品传送系统,可把薄膜样品直接传送到角分辨光电子能谱仪中,实现了薄膜的原位电子结构测量.所测得的La1-xSrxMnO3的电子结构与能带计算结果较为相符.而此类立方结构的、不可解理材料的电子结构,过去往往是无法直接测量的.

关键词：氧化物异质结构关联材料氧化物分子束外延角分辨光电子能谱

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薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制

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半导体技术 2012年第4期37卷 254-257页

作者：王中健夏超徐大伟程新红宋朝瑞俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺... 详细信息

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程。为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构。为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9 V,计算开态电阻为50Ω.mm2。

关键词：绝缘体上硅横向扩散金属氧化物半导体击穿电压线性渐变掺杂注氧键合

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N型掺杂应变Ge发光性质

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物理学报 2012年第3期61卷 356-363页

作者：黄诗浩李成陈城钊郑元宇赖虹凯陈松岩厦门大学物理系半导体光子学研究中心厦门361005 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带问的辐... 详细信息

应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带问的辐射复合以及俄歇复合、位错等引起的非辐射复合的竞争,计算了N型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质.结果表明,张应变可有效增强Ge材料直接带隙跃迁发光.在1.5%张应变条件下,N型掺杂Ge的最大内量子效率可以达到74.6%,光增益可以与Ⅲ-V族材料相比拟.

关键词：应变 N型掺杂Ge 量子效率光增益

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不同碱和分散剂对蓝宝石基片研磨的影响

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半导体技术 2012年第4期37卷 267-270页

作者：张泽芳刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506

在LED制造工艺中,金刚石研磨液是一种关键的耗材,用于蓝宝石衬底的研磨和外延片的背减薄,但目前金刚石研磨液均以有机物作为分散介质。采用水为分散介质、多晶金刚石微粉为磨料,在相同研磨条件下,研究了不同种类的碱和分散剂对蓝宝石研... 详细信息

在LED制造工艺中,金刚石研磨液是一种关键的耗材,用于蓝宝石衬底的研磨和外延片的背减薄,但目前金刚石研磨液均以有机物作为分散介质。采用水为分散介质、多晶金刚石微粉为磨料,在相同研磨条件下,研究了不同种类的碱和分散剂对蓝宝石研磨性能的影响。分别采用分析天平称重法和原子力显微镜测试了研磨速率和蓝宝石的表面粗糙度。结果表明,抛光后蓝宝石表面质量和抛光液分散性有严格的依赖关系,而抛光速率和研磨液分散性并不严格相关。最后,采用三乙醇胺为pH值调节剂,Orotan1124为分散剂,获得了相对较高的去除率和较好的表面质量。

关键词：多晶金刚石三乙醇胺分散剂蓝宝石研磨

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基于PCRAM的射频标签模拟前端关键电路设计

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微电子学 2012年第5期42卷 651-654页

作者：王兆敏蔡道林陈后鹏宋志棠傅忠谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学技术大学电子科学与技术系合肥230027

基于相变存储器,对无源超高频电子标签模拟前端四个关键电路进行低功耗设计。整流电路采用9级电荷泵,结合储能电容和过压保护电路,得到了很好的整流效果。上电复位电路在箝位电路的基础上利用简单的缓冲器及异或逻辑,得到性能良好的矩... 详细信息

基于相变存储器,对无源超高频电子标签模拟前端四个关键电路进行低功耗设计。整流电路采用9级电荷泵,结合储能电容和过压保护电路,得到了很好的整流效果。上电复位电路在箝位电路的基础上利用简单的缓冲器及异或逻辑,得到性能良好的矩形脉冲复位信号PORB,通过PMOS栅交叉耦合,极大地降低了电路静态电流(<1nA)。在基准电源电路中,设计了双极晶体管和MOS晶体管,兼具功耗低和准确性高的优势。稳压电路采用串联稳压结构,电源抑制比达到28.2dB。仿真结果显示,功耗达到nA级,输出直流电压为3V。

关键词：相变存储器电子标签模拟前端低功耗

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InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析

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物理学报 2012年第12期61卷 572-577页

作者：周守利杨万春任宏亮李伽浙江工业大学信息工程学院杭州310023 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 湘潭大学信息工程学院湘潭411105

双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B)异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射-扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E-B和B-C... 详细信息

双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B)异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射-扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E-B和B-C异质结构均为全交错Ⅱ型能带结构的InP/GaSbAs/InP DHBT的性能相比,E-B异质结采用传统Ⅰ型、B-C异质结采用交错Ⅱ型的一类新型能带结构的InAlAs/GaSbAs/InP DHBT虽然在开启电压上更高,但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能.

关键词： InAlAs/GaSbAs InP/GaSbAs Ⅱ型双异质结双极晶体管

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一种制备单分散超小粒径氧化硅颗粒的新方法

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功能材料与器件学报 2012年第1期18卷 30-34页

作者：张磊刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506 中国科学院研究生院北京100049

在氨水催化水解正硅酸乙酯(TEOS)过程中,采用一种新方法制备了单分散的超小粒径氧化硅。加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够有效的减小氧化硅颗粒的粒径大小,氧化硅粒径随着PVP的增加而减小。通过优化工艺参数,制备得到了单分散的、粒径只有1... 详细信息

在氨水催化水解正硅酸乙酯(TEOS)过程中,采用一种新方法制备了单分散的超小粒径氧化硅。加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够有效的减小氧化硅颗粒的粒径大小,氧化硅粒径随着PVP的增加而减小。通过优化工艺参数,制备得到了单分散的、粒径只有11nm的氧化硅颗粒。而且,在相同的反应体系中,所制备的氧化硅颗粒能够作为晶种再次生长,通过滴加不同浓度的TEOS能够得到粒径大小可控的氧化硅颗粒。

关键词：单分散超小粒径氧化硅 PVP TEOS

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壳聚糖修饰氧化铁磁性纳米颗粒的制备和性能研究

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功能材料与器件学报 2012年第2期18卷 147-152页

作者：葛玉卿张宇顾宁中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 东南大学生物科学与医学工程学院生物电子学国家重点实验室江苏省生物材料与器件实验室南京210009

通过共沉淀法制备氧化铁磁性纳米颗粒,用壳聚糖对其表面进行修饰得到样品(CS@MNPs);表征其形貌结构、尺寸、表面基团、表面电荷、磁学性质和在不同介质中的稳定性等。实验结果表明,CS@MNPs具有典型的立方反尖晶石晶体结构;粒径为16.5nm... 详细信息

通过共沉淀法制备氧化铁磁性纳米颗粒,用壳聚糖对其表面进行修饰得到样品(CS@MNPs);表征其形貌结构、尺寸、表面基团、表面电荷、磁学性质和在不同介质中的稳定性等。实验结果表明,CS@MNPs具有典型的立方反尖晶石晶体结构;粒径为16.5nm;在生理(pH值7.4)条件下拥有较高的正电荷(10mV);呈现超顺磁性,对驰豫时间T1、T2,尤其是T2*具有很强的响应;在双蒸馏水和含10%新生牛血清的RPMI 1640培养液中具有良好的稳定性,具有作为磁共振造影剂的潜力。

关键词：氧化铁磁性纳米颗粒壳聚糖表面修饰磁共振造影剂

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石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响

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功能材料与器件学报 2012年第4期18卷 309-313页

作者：吴渊文张燕辉陈志蓥王彬于广辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 大连理工大学物理与光电工程学院大连116024

采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜。利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征。通过对转移到SiO2衬底上石墨烯连续膜的霍... 详细信息

采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜。利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征。通过对转移到SiO2衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著。石墨烯连续膜的晶畴尺寸越大,其方块电阻越小,载流子迁移率越高。

关键词：石墨烯单晶化学气相沉积拉曼电学性质

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