检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2010年第1期16卷 47-51页

作者：张帅张正选毕大炜陈明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX... 详细信息

介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低。Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质。

关键词： SOI SIMOX Pseudo—MOSFET 隐埋氧化层

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相变存储器中选通二极管的模型与优化

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功能材料与器件学报 2010年第6期16卷 536-541页

作者：李宜瑾凌云宋志棠贾晓玲罗胜钦同济大学电子与信息工程学院上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向... 详细信息

设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V。文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流。

关键词：相变存储器选通二极管数值模拟

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一种FIB刻蚀结合KOH腐蚀的制造纳米梁的新方法

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功能材料与器件学报 2010年第2期16卷 163-168页

作者：成海涛杨恒王跃林中国科学院研究生院北京100864 上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海200050

常规的通过干法刻蚀制作纳米梁的方法会不可避免地在梁上引入晶格损伤层。本文提出一种制造无晶格损伤层纳米梁的新工艺方法。在常规光刻后,辅助利用FIB(聚焦离子束)刻蚀修改硅梁中部上方的SiO2掩模。根据单晶硅的材料和工艺特点,通过KO... 详细信息

常规的通过干法刻蚀制作纳米梁的方法会不可避免地在梁上引入晶格损伤层。本文提出一种制造无晶格损伤层纳米梁的新工艺方法。在常规光刻后,辅助利用FIB(聚焦离子束)刻蚀修改硅梁中部上方的SiO2掩模。根据单晶硅的材料和工艺特点,通过KOH各向异性腐蚀,硅梁两侧壁与硅片表面垂直,并自停止为(111)面。自停止面自校正地沿<112>晶向自硅梁中部向两端扩展,直至硅梁成型。经过冷冻干燥,最终在(110)SOI硅片上制得了宽度为112nm的单晶硅纳米梁。自校正的腐蚀方式提升了工艺稳定性,并且由于结合利用了湿法腐蚀和FIB技术,此工艺方法具有无晶格损伤层、工艺重复性好、加工精度高等优点。

关键词：纳米梁各向异性腐蚀 FIB

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栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 350-352,452页

作者：恩云飞何玉娟罗宏伟潘金辉肖庆中西安电子科技大学微电子学院西安710071 电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室广州510610 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050

采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。

关键词：静电保护绝缘层上硅传输线脉冲测试栅接地n型金属-氧化物-半导体

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超导纳米线单光子探测器件的制备

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低温与超导 2010年第11期38卷 1-4页

作者：杨晓燕尤立星张礼杰黄少铭 Mintu Mondal Sanjeev Kumar John Jesudasan Pratap Raychaudhuri 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 温州大学纳米材料与化学重点实验室温州325027 Tata Institute of Fundamental Research Homi Bhabha Rd.ColabaMumbai 400005India

超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm。超导纳米线是... 详细信息

超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm。超导纳米线是利用电子束曝光(EBL)技术和反应离子刻蚀(RIE)等工艺技术制备的。所制备的SNSPD样品,在温度3.5K下的临界电流约12.9μA;在1310nm波长光波辐照,12.5μA的偏置电流下,探测效率约0.016%。

关键词：超导纳米线单光子探测器电子束曝光反应离子刻蚀探测效率

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气体探测用低功耗微型加热器研究

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测试技术学报 2010年第5期24卷 410-413页

作者：许磊李铁高秀丽王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050

介绍了一种基于MEMS技术的可用于气体探测的低功耗微型加热器.通过结构优化和工艺参数控制实现了一种低功耗和高机械强度加热器的设计与制作.该加热器采用悬膜式结构,中心加热膜区通过4根细长的悬梁与衬底框架相连,铂电阻丝作为加热元... 详细信息

介绍了一种基于MEMS技术的可用于气体探测的低功耗微型加热器.通过结构优化和工艺参数控制实现了一种低功耗和高机械强度加热器的设计与制作.该加热器采用悬膜式结构,中心加热膜区通过4根细长的悬梁与衬底框架相连,铂电阻丝作为加热元件以折线的形式排列在中心膜区上,采用硅各向异性腐蚀液正面释放薄膜,并在薄膜下方形成倒金字塔型的隔热腔体.测试结果表明,加热器在400℃时功耗仅为26 mW,且加热器的升温响应时间小于5 ms,降温响应时间小于2 ms.

关键词： MEMS 低功耗微型加热器铂各向异性腐蚀

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基于温度梯度驱动的液滴传输行为研究

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测试技术学报 2010年第5期24卷 377-380页

作者：高安然李铁刘翔焦继伟王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100049

设计并制作了一种基于温度梯度驱动的液滴传输芯片,以实现对微液滴传输的精确控制.介绍了驱动原理和工艺流程,分析了仿真和实验结果.该芯片利用温度梯度下液滴表面形成的表面张力梯度来传输液滴,采用玻璃作为衬底,Ti为电阻加热器,Au为电... 详细信息

设计并制作了一种基于温度梯度驱动的液滴传输芯片,以实现对微液滴传输的精确控制.介绍了驱动原理和工艺流程,分析了仿真和实验结果.该芯片利用温度梯度下液滴表面形成的表面张力梯度来传输液滴,采用玻璃作为衬底,Ti为电阻加热器,Au为电极,PECVD氧化硅为介质层,碳氟聚合物为疏水层,实现了器件制作.芯片采用开放式结构,制作工艺简单,操作方便.测试结果表明,驱动功率为0.38 W时,去离子水和硅油的传输速率分别达到0.1 mm/s和1 mm/s.

关键词：微液滴温度梯度表面张力梯度电阻加热器开放式结构

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高K栅介质材料的研究现状与前景

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材料导报 2010年第21期24卷 25-29页

作者：余涛吴雪梅诸葛兰剑葛水兵苏州大学物理系苏州215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室苏州215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 苏州大学分析测试中心苏州215006

论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性... 详细信息

论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题。针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用。

关键词：高K栅介质 HfO2 Hf基高K栅介质材料 MOSFET器件

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基于温度梯度驱动的液滴传输行为研究

基于温度梯度驱动的液滴传输行为研究

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中国兵工学会第十五届测试技术学术年会

作者：高安然李铁刘翔焦继伟王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100049 传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

关键词：微液滴温度梯度表面张力梯度电阻加热器开放式结构

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气体探测用低功耗微型加热器研究

气体探测用低功耗微型加热器研究

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中国兵工学会第十五届测试技术学术年会

作者：许磊李铁高秀丽王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050

介绍了一种基于MEMS技术的可用于气体探测的低功耗微型加热器.通过结构优化和工艺参数控制实现了一种低功耗和高机械强度加热器的设计与制作.该加热器采用悬膜式结构,中心加热膜区通过4根细长的悬梁与衬底框架相连,铂电阻丝作为加热元件以折线的形式排列在中心膜区上,采用硅各向异性腐蚀液正面释放薄膜,并在薄膜下方形成倒金字塔型的隔热腔体.测试结果表明,加热器在400C时功耗仅为26 mw,且加热器的升温响应时间小于5 ms,降温响应时间小于2 ms.

关键词： MEMS技术低功耗微型加热器各向异性腐蚀

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