检索结果-内蒙古大学图书馆

微机械热电堆红外探测器由于无需致冷,后续检测电路简单,成本低等优点在许多领域得到了广泛应用。本文提出一种采用CMOS兼容技术及自对准工艺制作的微机械热电堆红外探测器,以减小微机械热电堆红外探测器的工艺复杂度,减小微小释放孔结构的制作难度。和传统的微机械热电堆红外探测器相比,自对准微机械热电堆红外探测器的释放孔大小是由多晶硅热电偶臂之间的间距确定,而不是由光刻工艺确定。为研究自对准微机械热电堆红外探测器性能和热电堆结构之间的关系,本文设计并制作了两种不同结构的自对准微机械热电堆红外探测器。测试结果表明方形热电堆结构可以获得大的输出电压及响应率,圆形热电堆结构则可以获得快的响应和大的探测率。

关键词：微机械热电堆红外探测器自对准 CMOS兼容微机电系统

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相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法

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电子器件 2010年第3期33卷 271-274页

作者：李宜瑾凌云宋志棠龚岳峰罗胜钦贾晓玲同济大学电子与信息工程学院上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵... 详细信息

由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流。依据SM IC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流。

关键词：相变存储器驱动二极管串扰电流 TCAD

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石墨烯复合修饰电极的电化学应用

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化学传感器 2010年第4期30卷 9-13页

作者：陈志华葛玉卿金庆辉柳建设赵建龙东华大学环境科学与工程学院上海201620 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

石墨烯作为一种二维结构的新型材料,其优异性能得到了人们的广泛关注。该文分析了石墨烯和功能化石墨烯的优异性质,总结了石墨烯作为新型传感材料的应用优势,并介绍了石墨烯对于酶电极的电子传导促进和检测优化以及石墨烯与其它有机物... 详细信息

石墨烯作为一种二维结构的新型材料,其优异性能得到了人们的广泛关注。该文分析了石墨烯和功能化石墨烯的优异性质,总结了石墨烯作为新型传感材料的应用优势,并介绍了石墨烯对于酶电极的电子传导促进和检测优化以及石墨烯与其它有机物修饰后的复合电极对各种生物小分子的检测分析,同时对各种基于石墨烯材料的电化学传感器进行了简单介绍。展望了石墨烯修饰电极在生物检测与环境监测等方面的电化学应用前景。

关键词：石墨烯电化学生物检测传感器

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硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

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2010第十五届可靠性学术年会

作者：何玉娟潘金辉罗宏伟恩云飞肖庆中电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所)

本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD（Electrostatic Discharge,静电放电）特性的影响,结果发现硅膜厚度越大,ESD二次击穿电流I越大;其原因可能与硅膜层中的热分布有关。

关键词：静电保护 SOI Medici模拟硅膜厚度

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基于电压偏置SBC器件数值分析和仿真

基于电压偏置SBC器件数值分析和仿真

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第十一届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：王永良王会武张树林董慧邱隆清谢晓明张懿中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 IBN-2 Juelich研究中心 D-52425 Juelich德国

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硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

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2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会

作者：何玉娟潘金辉罗宏伟恩云飞肖庆中电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州 510610 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所)上海 200050 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州 510610

本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD(静电放电)特性的影响，结果发现硅膜厚度越大，ESD二次击穿电流I12越大;其原因可能与硅膜层中的热分布有关。

关键词：静电保护 SOI NMOS器件 Medici模拟硅膜厚度

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太赫兹无线通信系统中的反射器研究

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物理学报 2009年第7期58卷 4618-4623页

作者：张戎黎华曹俊诚封松林信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

采用传输矩阵方法和菲涅尔公式,根据THz频段不同区域内材料折射率的特点,计算模拟了聚合体聚偏氟乙(polyvinylidene fluoride,PVDF)/聚碳酸酯(polycarbonate,PC)一维光子晶体对THz波的反射作用.结果表明这种反射在亚太赫兹频段具有较好... 详细信息

采用传输矩阵方法和菲涅尔公式,根据THz频段不同区域内材料折射率的特点,计算模拟了聚合体聚偏氟乙(polyvinylidene fluoride,PVDF)/聚碳酸酯(polycarbonate,PC)一维光子晶体对THz波的反射作用.结果表明这种反射在亚太赫兹频段具有较好的反射性能和较大的反射带宽.此外,根据计算结果,本文还对THz反射器的理论研究设计进行了讨论.

关键词：太赫兹反射器太赫兹无线通信一维光子晶体

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太赫兹量子级联激光器材料生长及表征

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物理学报 2009年第10期58卷 7083-7087页

作者：常俊黎华韩英军谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很... 详细信息

采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很高的晶体质量.另外,采用蒙特卡罗方法模拟了共振声子THzQCL器件的I-V曲线,分析了在不同偏压下子能级的对齐状况和电子的输运特征.

关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延 X射线衍射

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