检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2009年第3期58卷 1954-1958页

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/A... 详细信息

设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/Al(Ga)As分布布拉格下反射腔镜,并由电子束蒸发法沉积SiO2/TiO2介质薄膜上反射腔镜形成1.3μmVCSEL结构.讨论并分析了谐振腔模式与量子阱增益峰相对位置对器件性能的影响.

关键词：垂直腔面发射激光器晶片直接键合应变补偿多量子阱

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异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善

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红外与毫米波学报 2009年第6期28卷 405-409页

作者：王凯张永刚顾溢李成李好斯白音李耀耀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶... 详细信息

采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶格可以明显提高材料质量;器件在室温下的暗电流结果显示,直径为300μm的器件在反向偏压为10mV时,没有生长超晶格结构的器件暗电流为0.521μA,而生长超晶格结构的器件暗电流降到0.480μA.同时,在生长InxA l1-xAs组分线性渐变缓冲层之前首先生长一层InP缓冲层也有利于改善材料质量和器件性能.

关键词：数字梯度超晶格 InP缓冲层 InxGa1-xAs 位错

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利用波形比较法进行高量程加速度传感器横向响应的测试研究

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机械强度 2009年第6期31卷 1019-1023页

作者：鲍海飞宋朝辉李昕欣刘民张鲲陆德仁中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

提出一种高量程加速度传感器横向响应的测试方法——波形可识别的比较法,对高量程加速度传感器非敏感方向(横向)的输出特性进行测试研究。实验中采用自由落杆的方法,将已经标定过的传感器和带测试的传感器以背对背的方式进行安装,通过... 详细信息

提出一种高量程加速度传感器横向响应的测试方法——波形可识别的比较法,对高量程加速度传感器非敏感方向(横向)的输出特性进行测试研究。实验中采用自由落杆的方法,将已经标定过的传感器和带测试的传感器以背对背的方式进行安装,通过同时比较监控两通道的输出波形,可以确定器件的横向灵敏度。此方法简单可靠,并容易实施,对测试中产生的误差进行分析。

关键词：高量程微加速度传感器横向响应波形比较法自由落杆微机电系统

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几种微构件材料的表面能及纳观黏附行为研究

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物理学报 2009年第4期58卷 2518-2522页

作者：薛伟郑蓓蓉张淼解国新王权温州大学机电工程学院温州323035 清华大学摩擦学国家重点实验室北京100084 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

对微机电系统(MEMS)中几种常用构件材料的表面能及其主要影响因素进行了探讨,并与材料表面的纳观黏附性能进行了分析比较.用Owens二液法计算出硅基材料的表面能在60—75mJ/m2之间,它们之间总表面能的差异主要归结为表面能极性分量的差异... 详细信息

对微机电系统(MEMS)中几种常用构件材料的表面能及其主要影响因素进行了探讨,并与材料表面的纳观黏附性能进行了分析比较.用Owens二液法计算出硅基材料的表面能在60—75mJ/m2之间,它们之间总表面能的差异主要归结为表面能极性分量的差异,表面粗糙度的存在使表观表面能有所偏高.施加自组装分子膜后的表面能大为降低,粗糙度的存在可以使其表面能进一步减小.纳观黏附力和表面能之间有一定的对应关系.另外,在研究中发现表面粗糙度对纳观黏附行为的影响较小.

关键词： MEMS 表面能纳观黏附粗糙度

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一种电容间隙精确可控的高对称加速度传感器

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固体电子学研究与进展 2009年第1期29卷 143-146页

作者：毛健车录锋林友玲李玉芳周晓峰熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

提出了一种高对称电容式微加速度传感器,该传感器为硅四层键合三明治结构,在完成传感器整体结构制作的同时,实现了圆片级真空封装。利用多次氧化的方法,既精确控制了加速度传感器的初始电容间距,又实现了限位凸点的制作。该加速度传感... 详细信息

提出了一种高对称电容式微加速度传感器,该传感器为硅四层键合三明治结构,在完成传感器整体结构制作的同时,实现了圆片级真空封装。利用多次氧化的方法,既精确控制了加速度传感器的初始电容间距,又实现了限位凸点的制作。该加速度传感器的谐振频率为657Hz,品质因子为198,灵敏度为0.59V/g。

关键词：电容式加速度传感器硅硅键合圆片级真空封装电容间隙控制

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超导纳米线单光子探测器件的单光子响应

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科学通报 2009年第16期54卷 2416-2420页

作者：尤立星申小芳杨晓燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室上海200050

单光子探测技术是量子通信系统中量子密钥分发实现的关键技术之一.超导纳米线单光子探测技术是一种新型的单光子探测技术,相对于传统的半导体单光子探测器件具有高计数率、低暗计数等明显的优势.介绍了基于低温超导NbN超薄薄膜的超导纳... 详细信息

单光子探测技术是量子通信系统中量子密钥分发实现的关键技术之一.超导纳米线单光子探测技术是一种新型的单光子探测技术,相对于传统的半导体单光子探测器件具有高计数率、低暗计数等明显的优势.介绍了基于低温超导NbN超薄薄膜的超导纳米线单光子探测器件以及实验室超导单光子探测系统.对超导纳米线单光子探测器件的单光子响应脉冲特性进行了细致的分析和研究,讨论了测试系统带宽等参数与脉冲波形的关系.并利用电路模拟对超导单光子探测电信号波形进行了分析,模拟结果和实验结果具有很好的一致性.通过这些工作进一步理解超导单光子探测机理,为未来建立量子通信用超导纳米线单光子探测系统打下良好的基础.

关键词：量子通信单光子探测超导纳米线单光子探测器件动态电感

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AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用

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半导体光电 2009年第5期30卷 691-695,699页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海空间电源研究所上海200233

应用高掺杂pn结和异质结能带理论,计算了AlInAs/InP异质隧道结的电学特性,发现其性能优于AlInAs和InP同质隧道结,并得出了掺杂浓度与隧道电流的关系曲线。采用气态源分子束外延(GSMBE)设备生长了面电阻率约为10-4Ω.cm2的AlInAs/InP异... 详细信息

应用高掺杂pn结和异质结能带理论,计算了AlInAs/InP异质隧道结的电学特性,发现其性能优于AlInAs和InP同质隧道结,并得出了掺杂浓度与隧道电流的关系曲线。采用气态源分子束外延(GSMBE)设备生长了面电阻率约为10-4Ω.cm2的AlInAs/InP异质隧道结结构,并应用于制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),器件在室温下脉冲激射。

关键词：异质隧道结垂直腔面发射激光器光电特性

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基于阶跃响应的加速度计Q值测试方法研究

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传感技术学报 2009年第10期22卷 1417-1421页

作者：张灵霖车录锋李玉芳王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

随着电容式加速度传感器的广泛使用,对其品质因子、谐振频率等关键参数的器件级测试显得尤为重要。本文提出了一种简单有效的加速度计品质因子测试方法——阶跃响应测试法,详细分析了其测试原理及测试结果,并与传统的静电激励扫频测试... 详细信息

随着电容式加速度传感器的广泛使用,对其品质因子、谐振频率等关键参数的器件级测试显得尤为重要。本文提出了一种简单有效的加速度计品质因子测试方法——阶跃响应测试法,详细分析了其测试原理及测试结果,并与传统的静电激励扫频测试法进行了对比。结果表明:两种测试方法中等效电刚度的不同,造成了测试结果的差异。

关键词： Q值静电激励阶跃响应等效电刚度

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服务于IC产业的MEMS探卡

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微纳电子技术 2009年第12期46卷 705-714页

作者：程融蒋珂玮汪飞李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

圆片级芯片测试在IC制造工艺中已经成为不可或缺的一部分,发挥着重要的作用,而测试探卡在圆片级芯片测试过程中起着关键的信号通路的作用。分析指出由于芯片管脚密度的不断增加以及在高频电路中应用的需要,传统的组装式探卡将不能适应... 详细信息

圆片级芯片测试在IC制造工艺中已经成为不可或缺的一部分,发挥着重要的作用,而测试探卡在圆片级芯片测试过程中起着关键的信号通路的作用。分析指出由于芯片管脚密度的不断增加以及在高频电路中应用的需要,传统的组装式探卡将不能适应未来的测试要求;和传统探卡的组装方法相比,MEMS技术显然更适应当今的IC技术。综述了针对MEMS探卡不同的应用前景所提出的多种技术方案,特别介绍了传感技术国家重点实验室为满足IC圆片级测试的要求,针对管脚线排布型待测器件的新型过孔互连式悬臂梁芯片和针对管脚面排布型待测器件的Ni探针阵列结构的设计和制造。

关键词：圆片级测试芯片测试探卡微机械电子系统过孔互连镍探针阵列

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用于TEM原位拉伸实验的集成单晶硅纳米梁MEMS测试芯片研究

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中国科学（E辑） 2009年第5期39卷 948-953页

作者：金钦华王跃林李铁李昕欣许钫钫上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030 中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家实验室上海200050 中国科学院硅酸盐研究所上海200050

透射电镜内的原位拉伸测试是研究纳米尺度的单晶硅材料的力学性质的一种很有发展前景的研究方法.开展了集成单晶硅纳米梁的微电子机械系统测试芯片的设计、制作,并完成了原位拉伸的测试实验.集成的微电子机械系统芯片由基于静电梳齿结... 详细信息

透射电镜内的原位拉伸测试是研究纳米尺度的单晶硅材料的力学性质的一种很有发展前景的研究方法.开展了集成单晶硅纳米梁的微电子机械系统测试芯片的设计、制作,并完成了原位拉伸的测试实验.集成的微电子机械系统芯片由基于静电梳齿结构的驱动器、测力悬梁、单晶硅纳米梁及电子束透射窗等结构构成.利用SOI硅片和普通硅片采用体硅微加工工艺及硅键合工艺加工完成了芯片制造.通过透射电镜样品杆上的电极与微电子机械系统芯片导通,实现了对静电梳齿结构的驱动,完成了与其相连的单晶硅纳米梁的拉伸观测.对此微电子机械系统芯片的测试实验结果表明,随着驱动电压的增加,单晶硅纳米梁逐渐被拉动,原位拉伸实验得到了该纳米梁的应力-应变关系,对实验结果拟合后得到杨氏模量值为161GPa,在误差范围内与体硅一致.

关键词：微电子机械系统透射电镜单晶硅纳米梁原位拉伸实验

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