检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与激光工程 2009年第1期38卷 14-18页

作者：龚海梅张可锋唐恒敬李雪张永刚缪国庆宋航方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件国防科技创新实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-... 详细信息

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合。焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装。介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础。

关键词：短波近红外 InGaAs 焦平面组件读出电路

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分布反馈量子级联激光器的光栅制备

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功能材料与器件学报 2009年第5期15卷 471-476页

作者：李耀耀徐刚毅张永刚李爱珍魏林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市200050 中国科学院研究生院

利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性... 详细信息

利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性较好,信噪比大于30dB。

关键词：分布反馈激光器全息曝光光栅制备

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新型L形梁压阻微加速度传感器

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半导体技术 2009年第12期34卷 1177-1180页

作者：高廷金熊斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

介绍了一种新型的基于MEMS体硅加工工艺的L形梁压阻微加速度传感器。在加工过程中采用Si—Si直接键合完成底板与传感器支撑框体之间的粘合,使得后续加工工艺更加简单;采用DRIE释放梁结构,从而保证了梁结构的完整性。分析了该传感器的结... 详细信息

介绍了一种新型的基于MEMS体硅加工工艺的L形梁压阻微加速度传感器。在加工过程中采用Si—Si直接键合完成底板与传感器支撑框体之间的粘合,使得后续加工工艺更加简单;采用DRIE释放梁结构,从而保证了梁结构的完整性。分析了该传感器的结构参数和灵敏度,并用ANSYS进行了有限元模拟,同时介绍了其工艺流程,以及封装后的测试结果。芯片尺寸为3.8 mm×3.8 mm×0.82 mm,其中敏感质量块尺寸为2 mm×2 mm×0.4 mm,梁尺寸为2 200μm×100μm×40μm。经初步测试,在采用5 V电源供电时灵敏度为0.5 mV/g左右,3 dB截止频率为520 Hz左右。

关键词：微电子机械系统微加速度传感器压阻 L形梁

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1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究

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半导体技术 2009年第6期34卷 543-545页

作者：唐道远李晓良中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到42... 详细信息

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到420nm/min;湿法腐蚀可有效减小ICP刻蚀引入的晶格损伤。SEM图像表明,ICP刻蚀+湿法腐蚀的台面制作方法,得到的腐蚀台面陡直,波导宽度与设计值更接近,优于选择性湿法腐蚀方法,更适合SLD台面制作。

关键词：应变补偿多量子阱超辐射发光管台面湿法腐蚀感应耦合等离子体

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用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计

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半导体技术 2009年第12期34卷 1162-1165页

作者：李金鹏焦继伟宓彬伟张颖王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理。采用了相关双采... 详细信息

给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理。采用了相关双采样(CDS)技术,较大地减少了电路和MEMS惯性器件的1/f噪声、热噪声,抑制了零漂。采用HHNEC 0.35μmCMOS工艺制造,面积为1 mm×2 mm,与MEMS器件封装在一起,并进行了实际测试,结果表明,该读出电路基本满足要求,并具有较低的噪声。

关键词：低噪声微电子机械系统相关双采样电荷转移惯性器件

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共振声子太赫兹量子级联激光器研究

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中国电子科学研究院学报 2009年第3期4卷 244-248页

作者：黎华韩英军谭智勇张戎郭旭光曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

针对四阱有源区、一阱注入区及三阱有源设计,采用蒙特卡洛模拟方法研究了共振声子太赫兹量子级联激光器的性能差异。采用傅里叶变换光谱仪及远红外探测器测量了四阱共振声子太赫兹量子级联激光器的低温电光特性。详细讨论了提高太赫兹... 详细信息

针对四阱有源区、一阱注入区及三阱有源设计,采用蒙特卡洛模拟方法研究了共振声子太赫兹量子级联激光器的性能差异。采用傅里叶变换光谱仪及远红外探测器测量了四阱共振声子太赫兹量子级联激光器的低温电光特性。详细讨论了提高太赫兹量子级联激光器发射功率的方案。

关键词：太赫兹量子级联激光器蒙特卡洛方法功率

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低电压下静电力驱动的数字微流控芯片

低电压下静电力驱动的数字微流控芯片

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中国微米纳米技术学会第十一届学术年会

作者：刘翔皋华敏李铁周萍王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院，北京，100039 传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

微全分析系统(μTAS)或芯片实验室(LOC)具有微型化、自动化、集成化与便携化的特点，近年来发展迅速，在生物检测、医疗诊断等方面显现出良好的应用前景。在这些系统中，精确操控微液体是最关键的部分。数字微流控芯片相对连续微流控芯... 详细信息

微全分析系统(μTAS)或芯片实验室(LOC)具有微型化、自动化、集成化与便携化的特点，近年来发展迅速，在生物检测、医疗诊断等方面显现出良好的应用前景。在这些系统中，精确操控微液体是最关键的部分。数字微流控芯片相对连续微流控芯片而言，没有可动部件，不需要复杂的微泵微阀结构和控制，成为当前研究的热点。本文基于静电力的驱动原理，只需单层控制电极，工艺简单，通过优化结构，采用高介电常数介质层和减少介质层厚度，大大降低了液滴驱动电压。

关键词：微全分析系统数字微流控芯片静电力驱动

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太赫兹半导体量子级联激光器与太赫兹通信

太赫兹半导体量子级联激光器与太赫兹通信

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第十七届全国半导体物理学术会议

作者：曹俊诚李武群黎华谭智勇张戎韩英军郭旭光王长常俊钟旭信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

太赫兹(THz)波也被称为T-射线。从物理学看，THz波介于毫米波与红外光之间，处于电子学向光子学的过渡区;从频域上看，THz波覆盖半导体以及等离子体的各特征能量、有机和生物大分子(如蛋白质和毒品)等的转动和振动能量等;从应用角度看，... 详细信息

太赫兹(THz)波也被称为T-射线。从物理学看，THz波介于毫米波与红外光之间，处于电子学向光子学的过渡区;从频域上看，THz波覆盖半导体以及等离子体的各特征能量、有机和生物大分子(如蛋白质和毒品)等的转动和振动能量等;从应用角度看，THz波的频带宽、测量信噪比高、适合于信息领域的高空间和时间分辨率成像与信号处理、大容量与高保密的数据传输、射电天文探测、大气与环境监测、实时与安全的生物与医学诊断等。本文将报告在THz量子级联激光器(QCL)和THz通信方面的研究进展。

关键词：半导体激光器太赫兹波时间分辨率信号处理

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SOI器件总剂量辐射效应研究进展

SOI器件总剂量辐射效应研究进展

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：俞文杰张正选田浩王茹毕大伟陈明张帅刘张李中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

绝缘体上的硅(Silicon on Insulator,SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构,成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在,使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中总剂量效应的产生机理以及对... 详细信息

绝缘体上的硅(Silicon on Insulator,SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构,成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在,使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中总剂量效应的产生机理以及对器件功能的影响,并从制作工艺、器件结构、偏置状态、尺寸缩小和加固措施等方面来回顾国际上的研究进展。

关键词：栅氧化层全耗尽晶体管部分耗尽总剂量效应总剂量辐射效应 SOI

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太赫兹量子级联激光器及其应用

太赫兹量子级联激光器及其应用

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第八届全国光学前沿问题讨论会

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

太赫兹(THz)波适合于信息领域的高空间和时间分辨率成像与信号处理、大容量与高保密的数据传输、射电天文探测、大气与环境监测、实时与安全的生物与医学诊断等。THz辐射源与探测器是THz频段应用的关键器件。在众多THz辐射的产生方式中... 详细信息

太赫兹(THz)波适合于信息领域的高空间和时间分辨率成像与信号处理、大容量与高保密的数据传输、射电天文探测、大气与环境监测、实时与安全的生物与医学诊断等。THz辐射源与探测器是THz频段应用的关键器件。在众多THz辐射的产生方式中,基于半导体的THz量子级联激光器(QCL)由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点之一。THz量子阱探测器

关键词：太赫兹量子级联激光器量子阱探测器 THz

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