检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 138-141,148页

作者：艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)... 详细信息

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。

关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延磷化铟阶梯缓变集电区

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波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化

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半导体光电 2008年第6期29卷 851-854,972页

作者：田招兵顾溢张晓钧张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提... 详细信息

通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提出了两种改良的背照射InGaAs探测器结构,并对其光响应特性进行了模拟计算,还基于模拟结果对器件结构参数进行了优化设计。

关键词： InGaAs 波长扩展光伏探测器量子效率

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InP／空气隙结构的制作与特性

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光电子．激光 2008年第9期19卷 1188-1191页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海空间电源研究所上海200233

研究了采用不同溶液制作InP/空气隙的侧向腐蚀工艺,对腐蚀速率、晶向选择性、表面形貌进行了分析;研究了粘附释放工艺;在上述基础上制作完成了InP/空气隙结构,并采用微拉曼光谱来分析其应力分布情况,证实了制作工艺的可靠性。

关键词： InP/空气隙侧向腐蚀微拉曼光谱

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一种圆片级硅三层键合的三明治加速度传感器

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传感技术学报 2008年第2期21卷 230-232页

作者：徐玮鹤林友玲车录锋李玉芳熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线... 详细信息

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线。传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.26mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.42mm。对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器灵敏度约4.15pF/g,品质因子为56,谐振频率为774Hz。

关键词：电容式加速度传感器硅硅键合圆片级真空封装

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基于PI衬底的柔性MEMS电容式触觉力传感器设计与制作

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传感技术学报 2008年第2期21卷 280-283页

作者：肖素艳车录锋李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

论述了一种可应用于机器人或医学修补技术的触觉传感器及其在旋涂的柔性聚酰亚胺衬底的新制作方法。该传感器是由多层无机和有机薄膜组成的柔性薄膜结构。结合传感器结构特点及各结构层材料的加工性能,进行工艺优化整合。尤其首次在载... 详细信息

论述了一种可应用于机器人或医学修补技术的触觉传感器及其在旋涂的柔性聚酰亚胺衬底的新制作方法。该传感器是由多层无机和有机薄膜组成的柔性薄膜结构。结合传感器结构特点及各结构层材料的加工性能,进行工艺优化整合。尤其首次在载体硅片与PI衬底之间引进PDMS分离层,使得柔性器件的分离工艺大大简化。最后得到一种简单、低廉且与常规MEMS技术兼容的工艺。所制的传感器结构轻薄,可挠性好,且能贴附在任意形状的物体表面同时实现法向力和切向力的测量。

关键词：柔性MEMS 触觉传感器聚酰亚胺(PI) 聚二甲基硅氧烷(PDMS)

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MEMS悬臂梁式芯片测试探卡

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传感技术学报 2008年第3期21卷 420-423页

作者：汪飞李昕欣郭南翔封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

针对集成电路圆片级测试需要,利用MEMS技术设计制作了一种悬臂梁式芯片测试探卡。每个悬臂梁在设计时可以承受25mN的探测力,同时使探针针尖产生20μm以上的位移。通过独特的双面金属覆盖设计,电学测试信号可以成功地从位于硅悬臂梁下方... 详细信息

针对集成电路圆片级测试需要,利用MEMS技术设计制作了一种悬臂梁式芯片测试探卡。每个悬臂梁在设计时可以承受25mN的探测力,同时使探针针尖产生20μm以上的位移。通过独特的双面金属覆盖设计,电学测试信号可以成功地从位于硅悬臂梁下方的探针针尖,引到位于玻璃上层的封装焊盘,并进而与自动测试仪器连接。由于采用了二次台阶的结构设计,相邻探针之间可以实现金属自隔断。初步测试表明,探针针尖到引线的电阻值在0.8Ω以下,而相邻探针之间的绝缘电阻则高达500GΩ。硅悬臂梁的弹性系数为1126.8Nm-1,与设计值相吻合。

关键词：微机械探卡芯片测试悬臂梁接触电阻

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MEMS加速度计信号光电检测与电容检测的噪声分析

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传感技术学报 2008年第5期21卷 785-790页

作者：曾凡林钟少龙徐静吴亚明中国科学院上海微系统信息技术研究所:传感技术国家重点联合实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

在高精度MEMS扭摆式加速度计电容检测和光电检测实现原理的基础上,分析了该加速度计热机械噪声和电学噪声特性。该加速度计结构在品质因数Q=1和Q=85时,热机械噪声分别为2.4μgn/Hz和0.28μgn/Hz。对于电学噪声,电容检测的电学噪声为3.27... 详细信息

在高精度MEMS扭摆式加速度计电容检测和光电检测实现原理的基础上,分析了该加速度计热机械噪声和电学噪声特性。该加速度计结构在品质因数Q=1和Q=85时,热机械噪声分别为2.4μgn/Hz和0.28μgn/Hz。对于电学噪声,电容检测的电学噪声为3.27μgn/Hz,光电检测在只考虑电学噪声时能分辨的最小加速度可达0.05μgn。对比得出对于扭摆式加速度计结构,光电检测具有比电容检测更小的系统总噪声。

关键词：电容检测光电检测热机械噪声电学噪声

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键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器

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Journal of Semiconductors 2008年第11期29卷 2286-2291页

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌刘成谢正生龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定... 详细信息

设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定义电流限制孔径和沉积介质薄膜DBR等关键器件工艺,研制出InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器,其阈值电流为13.5mA,单模激射波长为1288.6nm.

关键词：垂直腔面发射激光器晶片直接键合隧道结

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离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响

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Journal of Semiconductors 2008年第4期29卷 765-769页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结... 详细信息

采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.

关键词：电致发光器件结构电流限制孔径离子注入

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外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性

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Journal of Semiconductors 2008年第7期29卷 1357-1359页

作者：王立敏曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.... 详细信息

外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.因此通过改变磁场能够对HEMT的振荡响应实现有效调谐.

关键词：高电子迁移率晶体管太赫兹场磁场响应率

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