检索结果-内蒙古大学图书馆

稀有金属材料与工程 2008年第A04期37卷 377-380页

作者：王会武谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DCSQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DCSQUID器件的磁通电压转换系数的影响,比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁通电... 详细信息

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DCSQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DCSQUID器件的磁通电压转换系数的影响,比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁通电压转换系数随着DCSQUID器件不对称程度的增大有提高。在提高磁通电压转换系数的基础上,讨论DCSQUID读出电路简化为直读式电路的可能性。

关键词：超导量子干涉器磁通电压转换系数非对称结构

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基于埋置式基板的3D-MCM封装结构的研制

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Journal of Semiconductors 2008年第9期29卷 1837-1842页

作者：徐高卫吴燕红周健罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

研制一种用于无线传感网的多芯片组件(3D-MCM).采用层压、开槽等工艺获得埋置式高密度多层有机(FR-4)基板,通过板上芯片(COB)、板上倒装芯片(FCOB)、球栅阵列(BGA)等技术,并通过引线键合、倒装焊等多种互连方式将不同类型的半导体芯片... 详细信息

研制一种用于无线传感网的多芯片组件(3D-MCM).采用层压、开槽等工艺获得埋置式高密度多层有机(FR-4)基板,通过板上芯片(COB)、板上倒装芯片(FCOB)、球栅阵列(BGA)等技术,并通过引线键合、倒装焊等多种互连方式将不同类型的半导体芯片三维封装于一种由叠层模块所形成的立体封装结构中;通过封装表层的植球工艺形成与表面组装技术(SMT)兼容的BGA器件输出端子;利用不同熔点焊球实现了工艺兼容的封装体内各级BGA的垂直互连,形成了融合多种互连方式3D-MCM封装结构.埋置式基板的应用解决了BGA与引线键合芯片同面组装情况下芯片封装面高出焊球高度的关键问题.对封装结构的散热特性进行了数值模拟和测试,结果表明组件具有高的热机械可靠性.电学测试结果表明组件实现了电功能,从而满足了无线传感网小型化、高可靠性和低成本的设计要求.

关键词： 3D-MCM 嵌入式基板多种互连融合焊球熔融兼容性热机械可靠性

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超导单光子探测器件直流特性研究

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低温与超导 2008年第12期36卷 35-37页

作者：申小芳杨晓燕尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器(SNSPD)的计数率可达到GHz,时间抖动小于100ps,因而在未来量子通信系统中有着广阔的应用前景。介绍了NbN超导单光子探测器件的... 详细信息

超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器(SNSPD)的计数率可达到GHz,时间抖动小于100ps,因而在未来量子通信系统中有着广阔的应用前景。介绍了NbN超导单光子探测器件的工作原理和器件超导性能测试系统;测试了超导单光子探测器件的电阻-温度、电流-电压等特性。并对测试结果进行了分析和讨论。

关键词：超导纳米单光子探测电阻-温度特性电流-电压特性

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室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装

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红外与毫米波学报 2008年第3期27卷 176-179页

作者：赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系江苏南京210093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像... 详细信息

应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.

关键词：半导体纳米晶体自组装双功能分子刻蚀

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旋转超导体产生的微弱伦敦磁场的探测

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稀有金属材料与工程 2008年第A04期37卷 420-423页

作者：谢晓明孙越中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

旋转超导体会在其内部产生一均匀磁场,称为伦敦磁场。伦敦磁场的研究具有重要理论和应用价值。本文对微弱伦敦磁场的探测方法进行了初步研究,使用多层超导筒屏蔽外界环境磁场的干扰,采用超导量子干涉器件(SQUID)来读出旋转超导体产生的... 详细信息

旋转超导体会在其内部产生一均匀磁场,称为伦敦磁场。伦敦磁场的研究具有重要理论和应用价值。本文对微弱伦敦磁场的探测方法进行了初步研究,使用多层超导筒屏蔽外界环境磁场的干扰,采用超导量子干涉器件(SQUID)来读出旋转超导体产生的磁场。通过对冻结磁通产生的干扰信号的有效分离,成功地观测到了伦敦磁场信号.通过理论分析,确定了伦敦磁场探测对应屏蔽性能的要求,对提高伦敦磁场探测信噪比的措施进行了讨论。

关键词：旋转超导体伦敦磁场超导屏蔽冻结磁通超导量子干涉器件(SQUID)

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SQUID读出电路的仿真及其调试电路的设计

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稀有金属材料与工程 2008年第A04期37卷 457-460页

作者：王永良王会武谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

超导量子干涉器件(SQUID)配合其读出电路可实现极其微弱磁场的测量,设计低噪声高性能的读出电路是SQUID应用中的一个重要工作。本文介绍了根据电路数学模型进行电路行为仿真的方法,对电路进行模块划分,建立各模块的数学模型,通过仿真分... 详细信息

超导量子干涉器件(SQUID)配合其读出电路可实现极其微弱磁场的测量,设计低噪声高性能的读出电路是SQUID应用中的一个重要工作。本文介绍了根据电路数学模型进行电路行为仿真的方法,对电路进行模块划分,建立各模块的数学模型,通过仿真分析影响电路性能的关键参数,进而指导具体电路的设计实现,同时介绍了一种调试电路的研制,可实现基于交流调制的磁通锁定式读出电路在常温下的调试。

关键词： SQUID 读出电路电路仿真调试电路

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基于Verilog-A的电容式MEMS加速度计模型

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传感技术学报 2008年第6期21卷 942-945页

作者：赵楷熊斌车录锋中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

本文分析了传统MEMS电容式加速度计模型的不足,根据三明治结构电容式加速度计的特点,考虑了寄生电容和热机械噪声的影响,建立了用Verilog-A硬件描述语言实现的模型。该模型与主流集成电路设计环境相兼容,具有很强的可移植性。模拟验证... 详细信息

本文分析了传统MEMS电容式加速度计模型的不足,根据三明治结构电容式加速度计的特点,考虑了寄生电容和热机械噪声的影响,建立了用Verilog-A硬件描述语言实现的模型。该模型与主流集成电路设计环境相兼容,具有很强的可移植性。模拟验证结果表明,该模型如实反映了MEMS电容式加速度计的工作状态,能够为设计单片集成的微弱电容检测电路提供有效的帮助。

关键词： MEMS加速度计 Verilog-A模型寄生电容热机械噪声

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基于塑性变形的自对准垂直位错梳齿结构制作工艺

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功能材料与器件学报 2008年第3期14卷 663-668页

作者：池积光车录锋王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

研究了基于塑性变形工艺的自对准垂直位错梳齿结构制作工艺,主要包括采用非SOI硅片实现可动电极和固定电极的绝缘,通过KOH各向异性腐蚀制作凸台实现可动梳齿和固定梳齿的精确自对准,利用塑性变形使可动梳齿和固定梳齿在垂直方向上产生位... 详细信息

研究了基于塑性变形工艺的自对准垂直位错梳齿结构制作工艺,主要包括采用非SOI硅片实现可动电极和固定电极的绝缘,通过KOH各向异性腐蚀制作凸台实现可动梳齿和固定梳齿的精确自对准,利用塑性变形使可动梳齿和固定梳齿在垂直方向上产生位错,以及结构释放后用硅片做掩膜制作电极引线块。最后利用该工艺成功地制作出一个垂直位错梳状驱动器。

关键词：塑性变形自对准梳齿驱动非平面驱动

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高电子迁移率晶体管太赫兹探测器特性

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功能材料与器件学报 2008年第4期14卷 787-792页

作者：王立敏中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系。结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且... 详细信息

计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系。结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且高度有所上升。这些研究在太赫兹等离子探测器的设计上有着重要的作用。

关键词： HEMT terahertz 导纳响应率

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基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析(英文)

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功能材料与器件学报 2008年第5期14卷 889-894页

作者：梅斌徐刚毅李爱珍李华李耀耀魏林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度... 详细信息

高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料。利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好。

关键词：高分辨X射线衍射 InGaAs InAlAs 错向角摇摆曲线倒空间mapping

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