检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2002年第2期22卷 241-243页

作者：曹俊诚李爱珍封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 200050

采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的... 详细信息

采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的依赖性 ,提出了设计可调谐

关键词： P型量子阱太赫兹振荡器负有效质量自振荡二极管

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新型相变材料Ti_(0.5)Sb_2Te_3刻蚀工艺及其机理研究

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无机材料学报 2013年第12期28卷 1364-1368页

作者：张徐刘波宋三年姚栋宁朱敏饶峰吴良才宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100083

采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26%﹑刻蚀功率为400 W和刻蚀... 详细信息

采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26%﹑刻蚀功率为400 W和刻蚀压力为13.3 Pa时,刻蚀速度达到126 nm/min,TST薄膜刻蚀图形侧壁平整而且垂直度好(接近90°)﹑刻蚀表面平整(RMS为0.82 nm)以及刻蚀的片内均匀性等都非常好。

关键词：新型相变材料干法刻蚀 CF4+Ar气体刻蚀速度

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背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器

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红外与毫米波学报 2013年第3期32卷 214-219页

作者：魏鹏黄松垒李雪邓洪海朱耀明张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器,其中心距为30μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能.结果表明,温度高于220 K时吸收层材料热激活能为0.443 eV,300 K时在... 详细信息

在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器,其中心距为30μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能.结果表明,温度高于220 K时吸收层材料热激活能为0.443 eV,300 K时在所考虑的偏压范围内,暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成.对组件焦平面特性也进行了研究,并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容,在测试温度范围内约为10 fF左右.

关键词： InGaAs 暗电流 R0A 寄生电容

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CMOS兼容自对准微机械热电堆红外探测器

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光学学报 2010年第10期30卷 2817-2820页

作者：徐德辉熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

微机械热电堆红外探测器由于无需致冷,后续检测电路简单,成本低等优点在许多领域得到了广泛应用。提出了一种采用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容技术及自对准工艺制作的微机械热电堆红外探测器,以减小微机械热电堆红外探测器的工艺复杂... 详细信息

微机械热电堆红外探测器由于无需致冷,后续检测电路简单,成本低等优点在许多领域得到了广泛应用。提出了一种采用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容技术及自对准工艺制作的微机械热电堆红外探测器,以减小微机械热电堆红外探测器的工艺复杂度,减小微小释放孔结构的制作难度。和传统的微机械热电堆红外探测器相比,自对准微机械热电堆红外探测器的释放孔大小是由多晶硅热电偶臂之间的间距确定,而不是由光刻工艺确定。为研究自对准微机械热电堆红外探测器性能和热电堆结构之间的关系,设计并制作了两种不同结构的自对准微机械热电堆红外探测器。测试结果表明方形热电堆结构可以获得大的输出电压及响应率,圆形热电堆结构则可以获得快的响应和大的探测率。

关键词：探测器微机械热电堆红外探测器自对准 CMOS兼容微机电系统

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以介孔二氧化硅为固定相的高性能微色谱柱

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分析化学 2019年第6期47卷 832-837页

作者：杨雪蕾赵斌冯飞周海梅杨恒李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院大学材料与光电研究中心

基于微机电系统(Micro-electro-mechanical system, MEMS)技术设计制造了一种含有椭圆微柱阵列的半填充微色谱柱,此微色谱柱内壁以孔径约2 nm、具有大比表面积的介孔二氧化硅(Mesoporous silica,MS)薄膜为固定相。在相同进样量下,采用... 详细信息

基于微机电系统(Micro-electro-mechanical system, MEMS)技术设计制造了一种含有椭圆微柱阵列的半填充微色谱柱,此微色谱柱内壁以孔径约2 nm、具有大比表面积的介孔二氧化硅(Mesoporous silica,MS)薄膜为固定相。在相同进样量下,采用程序升温模式进行测试,以介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱,可实现烷烃(C5～C10)的基线分离,其中戊烷与溶剂(杂质)峰分离度达3.6,与以二甲基硅油(Polydimethylsiloxane,PDMS)为固定相的微色谱柱相比,辛烷理论塔板数提高了46%,可达14458 plates,壬烷的峰面积提高了349.8%。

关键词：介孔二氧化硅半填充微色谱柱微机电系统

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准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO_2薄膜结构和电学性能的研究

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中国激光 2003年第4期30卷 345-348页

作者：章宁琳宋志棠邢溯万青林成鲁中国科学院上海微系统和信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ... 详细信息

采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ;讨论了薄膜结晶性能与其电学I V特性之间的关系。

关键词：准分子脉冲激光沉积法 ZrO2薄膜衬底温度结晶结构电学性能

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机械合金化合成高临界场Sm_(0.85)Nd_(0.15)FeAsO_(0.85)F_(0.15)超导体(英文)

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无机材料学报 2012年第4期27卷 439-444页

作者：方爱华谢晓明黄富强江绵恒中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院能量转换材料重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过采用机械合金化方法制备的高活性的粉体,可以高度可重复性地制备高质量的铁基超导材料Sm0.85Nd0.15FeAsO0.85F0.15.样品具有高临界温度Tc(约51 K)和高临界场Hc2(达到377 T).由WHH公式确定的Hc2显著高于常规固相方法制备样品的典型值... 详细信息

通过采用机械合金化方法制备的高活性的粉体,可以高度可重复性地制备高质量的铁基超导材料Sm0.85Nd0.15FeAsO0.85F0.15.样品具有高临界温度Tc(约51 K)和高临界场Hc2(达到377 T).由WHH公式确定的Hc2显著高于常规固相方法制备样品的典型值(<200 T).高的临界磁场Hc2与样品微结构有很大关系.机械合金化处理的原始粉体包含大量的晶格畸变缺陷,在快速升温和低温退火制备的小晶粒陶瓷样品中这些缺陷会部分残留,因此形成有效的磁通钉扎,从而提高样品的临界场.

关键词：铁基超导体高临界场机械合金化低温烧结

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基于MEMS微镜的可调光学衰减器

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光电子．激光 2012年第12期23卷 2287-2291页

作者：刘英明徐静钟少龙翟雷应吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

设计并制作了一种基于微光机电系统(MEMS)微镜的可调光衰减器(VOA)。其中微镜的谐振频率为11.26kHz,采用垂直梳齿驱动器驱动。微镜采用体硅微加工工艺在绝缘体上硅(SOI)片上制作。采用制作的微镜和双光纤准直器装配成VOA,衰减器在扭转... 详细信息

设计并制作了一种基于微光机电系统(MEMS)微镜的可调光衰减器(VOA)。其中微镜的谐振频率为11.26kHz,采用垂直梳齿驱动器驱动。微镜采用体硅微加工工艺在绝缘体上硅(SOI)片上制作。采用制作的微镜和双光纤准直器装配成VOA,衰减器在扭转角度为0.3°时驱动电压只有4.4V,开启和关断时的响应时间分别为1.67ms和2.74ms,插入损耗为0.6dB,最大衰减值为40dB。

关键词：可调光衰减器(VOA) 微光机电系统(MEMS) 微镜垂直梳齿驱动器

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总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响

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物理学报 2013年第7期62卷 311-316页

作者：宁冰旭胡志远张正选毕大炜黄辉祥戴若凡张彦伟邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应.另外,本文首次发现,对于工作在线性区的窄沟道器件,辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI)陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散射,从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低.最后,对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行了三维器件仿真模拟,仿真结果与实验结果符合得很好.

关键词：总剂量效应(TID) 浅沟槽隔离(STI) 氧化层陷阱正电荷 SOI MOSFET

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机器学习在紫外法测定硝酸盐氮浓度中的应用

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光谱学与光谱分析 2017年第4期37卷 1179-1182页

作者：刘思乡范卫华郭慧赵辉金庆辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

紫外分光光度法(UV法)由于较传统化学方法具有效率高操作简便、无二次污染且可现场原位测试等优点,近些年来被广泛应用到水质参数的测试中。硝酸盐氮是工业废水中的主要污染物之一。基于UV法测量水体中硝酸盐氮浓度的标准方法是分别测... 详细信息

紫外分光光度法(UV法)由于较传统化学方法具有效率高操作简便、无二次污染且可现场原位测试等优点,近些年来被广泛应用到水质参数的测试中。硝酸盐氮是工业废水中的主要污染物之一。基于UV法测量水体中硝酸盐氮浓度的标准方法是分别测量水样在220nm和275nm处的吸光度,然后用275nm处的吸光度对220nm处的吸光度进行校正,进而绘制出校正后的吸光度与硝酸盐氮浓度的标准曲线。然而,当硝酸盐氮浓度升高时,标准法所采用的朗伯比尔定律的线性关系以及不同物质吸光度叠加的线性不能很好地满足,在实际的实验测试中也发现,很难建立硝酸盐氮在220nm处的吸收模型。为了克服单波长或双波长方法的缺陷,将硝酸盐氮吸收峰范围的各个波长的吸光特性引入到模型的建立之中。同时,为了降低模型的复杂度,在建立模型之前先对吸光度数据进行主成分分析,将输入数据的维度数从107压缩到4,然后对压缩后的数据使用局部加权线性回归法建模,该吸收模型对于训练样本和测试样本都有较好的预测结果,且能够适应高浓度时吸光度与浓度的非线性关系,测量上限可达几百mg·L^(-1)。另外,此方法的原理和流程也适用于其他水质参数吸收模型的建立。

关键词：紫外分光光度法硝酸盐氮主成分分析局部加权线性回归

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