检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与激光工程 2008年第S3期37卷 38-41页

作者：张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下... 详细信息

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。

关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延

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InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究

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半导体光电 2008年第1期29卷 60-63页

作者：田招兵张永刚顾溢祝向荣郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进... 详细信息

通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进行了比较和分析。实验结果表明,气态源分子束外延材料具有良好的均匀性;氮化硅钝化器件总体性能上优于聚酰亚胺钝化器件。引线封装实验显示,SiN钝化膜有较好的抗冲击和热稳定性,具有更好的工艺相容性。

关键词： InGaAs 光伏探测器焦平面阵列钝化气态源分子束外延

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光伏型太赫兹量子阱探测器研究进展

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物理 2008年第3期37卷 199-202页

作者：谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

光伏型太赫兹量子阱探测器(PV-THzQWIP)是光伏型量子阱光电探测器(PV-QWIP)在THz波段的扩展,它具有功耗低、暗电流小、噪声水平低以及焦平面阵列(FPAs)热分辨率高等优点,是THz频段技术应用的重要器件之一.文章主要介绍了PV-THzQWIP的工... 详细信息

光伏型太赫兹量子阱探测器(PV-THzQWIP)是光伏型量子阱光电探测器(PV-QWIP)在THz波段的扩展,它具有功耗低、暗电流小、噪声水平低以及焦平面阵列(FPAs)热分辨率高等优点,是THz频段技术应用的重要器件之一.文章主要介绍了PV-THzQWIP的工作原理、特点、理论设计及其研究进展.

关键词：太赫兹波太赫兹量子阱探测器光伏探测热分辨率

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用于视觉修复的柔性神经微电极阵列的电学性能表征

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仪器仪表学报 2008年第12期29卷 2527-2531页

作者：吴义伯徐爱兰惠春任秋实李刚上海交通大学生命科学技术学院上海200240 上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室上海200240 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室上海200050

用于视网膜修复的神经微电极阵列（MEAs）是当前国内外研究的热点问题之一。本文提出了一种以新型材料——聚对二甲苯（Parylene）为基底的柔性神经微电极,采用MEMS技术设计了其微加工工艺,并使用电化学分析手段对制作的柔性微电极性能... 详细信息

用于视网膜修复的神经微电极阵列（MEAs）是当前国内外研究的热点问题之一。本文提出了一种以新型材料——聚对二甲苯（Parylene）为基底的柔性神经微电极,采用MEMS技术设计了其微加工工艺,并使用电化学分析手段对制作的柔性微电极性能进行了表征。结果表明,基于Parylene柔性微电极阵列的阻抗值在中频段呈现高通特性,其阻抗值及相位角分别为2 000--100Ω和-20°,有利于实现植入式视觉假体系统对视神经进行功能性电刺激。

关键词：柔性微电极阵列聚对二甲苯视觉修复微加工工艺电化学方法

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CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器

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半导体技术 2008年第9期33卷 759-761,765页

作者：杨恒昭熊斌李铁王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用xeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器。探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等。作为红外吸收层的氧化硅／氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性... 详细信息

提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用xeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器。探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等。作为红外吸收层的氧化硅／氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性的干法刻蚀从正面刻蚀衬底释放器件。探测器尺寸为2mm×2mm，由20对多晶硅-铝热电偶组成，串联电阻16～18kΩ。释放后的器件特性响应率13-15V／W，探测率（1．85～2．15）×10^7cmHz^1/2／W，时间常数20-25ms。

关键词：热电堆红外探测器干法刻蚀 XeF2气体

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薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术

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Journal of Semiconductors 2008年第7期29卷 1350-1353页

作者：魏星王湘陈猛陈静张苗王曦林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海新傲科技有限公司上海201821

在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度1μm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别... 详细信息

在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度1μm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术.

关键词：薄膜厚埋层SOI材料注氧键合技术剖面透射电镜

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基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究

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传感器与微系统 2008年第12期27卷 118-120页

作者：陆荣陆松涛杨恒中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法。根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。在(111)型硅片上利用原电池钝... 详细信息

提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法。根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。在(111)型硅片上利用原电池钝化效应一次性腐蚀出与衬底绝缘,由约4μm厚的金电极支撑,厚度约为235 nm的亚微米梁结构,具有制作简单、成品率高、成本低等特点,应用前景广阔。

关键词：亚微米梁自停止腐蚀电化学腐蚀原电池

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单壁碳纳米管拉伸试验的分子动力学模拟

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中国科学（E辑） 2008年第3期38卷 411-420页

作者：付称心陈云飞焦继伟东南大学成贤学院机械工程系南京210096 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海201800

采用Brenner势函数描述碳纳米管中碳原子间的相互作用,通过分子动力学方法对几种单壁碳纳米管进行轴向拉伸试验研究,得出其Young模量为4.2 TPa,强度极限为1.40～1.77 TPa.在对碳管拉伸过程中,发现只要应变不达到断裂极限,卸载时的应力-... 详细信息

采用Brenner势函数描述碳纳米管中碳原子间的相互作用,通过分子动力学方法对几种单壁碳纳米管进行轴向拉伸试验研究,得出其Young模量为4.2 TPa,强度极限为1.40～1.77 TPa.在对碳管拉伸过程中,发现只要应变不达到断裂极限,卸载时的应力-应变沿加载曲线返回,表明在碳纳米管的拉伸过程中没有塑性应变;对碳纳米管的拉伸断裂过程进行了仿真,从能量和结构变化方面对碳纳米管断裂机理进行了分析.

关键词：碳纳米管分子动力学 Young模量碳烯

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电子束蒸发玻璃薄膜中间层的阳极键合研究

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真空科学与技术学报 2008年第2期28卷 143-147页

作者：沈伟东吴亚明章岳光刘旭顾培夫浙江大学现代光学仪器国家重点实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

介绍了一种用电子束蒸发Schott 8329玻璃薄膜作为中间层,实现硅-硅以及硅-SOI阳极键合的方法。调整蒸发时的工艺并且450℃退火,沉积了粗糙度9.62 nm、初始应力139 MPa、喷点较少的薄膜,从而获得了>95%的键合面积。键合电压20 V,温度... 详细信息

介绍了一种用电子束蒸发Schott 8329玻璃薄膜作为中间层,实现硅-硅以及硅-SOI阳极键合的方法。调整蒸发时的工艺并且450℃退火,沉积了粗糙度9.62 nm、初始应力139 MPa、喷点较少的薄膜,从而获得了>95%的键合面积。键合电压20 V,温度300℃~500℃下硅-硅的键合强度可达1.47 J/m2,同时分析了键合电流特性。400℃,40V下键合了Si和SIMOXSOI硅片,用TMAH溶液进行基底减薄,获得了厚介质层薄顶层硅结构,这为一些MEMS器件的制作奠定了基础。

关键词：微机电系统阳极键合玻璃薄膜电子束蒸发键合强度

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超导梯度计及其对环境噪声的抑制能力

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功能材料与器件学报 2008年第6期14卷 971-976页

作者：陈亮蒋式勤谢晓明同济大学电子与信息工程学院上海200092 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

研究了超导磁传感器的交流标定方法,并在此基础上研究了不同软件梯度计的实现方案及其对环境干扰磁场的抑制能力。采用多个频率、多个强度的参考磁场对传感器进行标定得到的结果一致性良好。合成的一阶软件梯度计经过实验验证具有很好... 详细信息

研究了超导磁传感器的交流标定方法,并在此基础上研究了不同软件梯度计的实现方案及其对环境干扰磁场的抑制能力。采用多个频率、多个强度的参考磁场对传感器进行标定得到的结果一致性良好。合成的一阶软件梯度计经过实验验证具有很好的微弱磁信号检测能力,在城市实验室噪声环境下成功实现了约50pT微弱磁场信号的探测。还对标定精度以及实验中观察到的不同软件梯度计方案结果之间的差别进行了讨论。

关键词： SQUID 磁强计硬件梯度计软件梯度计环境噪声抑制

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