检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器（VCSEL）。激光器谐振腔镜分别由SiO/TiO介质薄膜和GaAs/Al（Ga）As半导体分布布拉格反射镜（DBR）实现,由晶片直接键合方法进行InP基... 详细信息

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器（VCSEL）。激光器谐振腔镜分别由SiO/TiO介质薄膜和GaAs/Al（Ga）As半导体分布布拉格反射镜（DBR）实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源谐振腔与GaAs基DBR材料的融合,经过选择性侧向腐蚀p-InP/n-InAlAs隧道结定义电流限制孔径等器件工艺,最后通过电子束蒸发沉积介质薄膜DBR制作出激光器件。单模VCSEL器件的室温阈值电流为0.75 mA,最高连续工作温度达到100℃;多模器件的最高光功率为1.9 mW。器件结果表明,InAsP/InGaAsP量子阱材料体系可用于高性能长波长VCSEL的研制。

关键词：垂直腔面发射激光器应变补偿多量子阱晶片键合

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波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

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2008年激光探测、制导与对抗技术研讨会

作者：张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下... 详细信息

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。

关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延

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超导单光子探测器件直流特性研究

超导单光子探测器件直流特性研究

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第十届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：申小芳杨晓燕尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器的计数率可达到GHz，时间抖动小于100ps，因而在未来量子通信系统中有着广阔的应用前景。本文介绍了NbN超导单光子探测器件的... 详细信息

超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器的计数率可达到GHz，时间抖动小于100ps，因而在未来量子通信系统中有着广阔的应用前景。本文介绍了NbN超导单光子探测器件的工作原理和器件超导性能测试系统;测试了超导单光子探测器件的电阻-温度、电流-电压等特性。并对测试结果进行了分析和讨论。

关键词：超导单光子探测器电流-电压特性电阻-温度特性测试系统

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波长扩展(λ>1.7μm)InGaAs光电探测器及其应用

波长扩展(λ>1.7μm)InGaAs光电探测器及其应用

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了晶格匹配和波长扩展的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电... 详细信息

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了晶格匹配和波长扩展的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。

关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延晶格匹配

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基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器

基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

本文以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3-μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs,Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合方法进行InP... 详细信息

本文以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3-μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs,Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源谐振腔与GaAs基DBR材料的融合,经过选择性侧向腐蚀p+-InP/n+-InAlAs隧道结定义电流限制孔径等器件工艺,最后通过电子束蒸发法沉积介质薄膜DBR制作出激光器件。单模VCSEL器件的室温阈值电流为0.75 mA,最高连续工作温度达到100℃;多模器件的最高光功率为1.9 mW。器件结果表明。InAsP/InGaAsP量子阱材料体系可用于高性能长波长VCSEL的研制。

关键词：垂直腔面发射激光器应变补偿多量子阱晶片键合 InAsP InGaAsP 布拉格反射镜有源谐振腔

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1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究

1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹春芳劳燕锋吴惠桢曹萌刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验表明,InAlAs的均匀性要优于InP,且考虑到长时间腐蚀中可能出现的塌陷问题,我们选择n++-InP/p++-InAlAs的... 详细信息

实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验表明,InAlAs的均匀性要优于InP,且考虑到长时间腐蚀中可能出现的塌陷问题,我们选择n++-InP/p++-InAlAs的侧向腐蚀隧道结结构。VCSEL结构由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜分布布拉格反射镜(DBR)以及通过晶片直接键合方法制作的GaAs/Al(Ga)As半导体DBR构成。分别制作了器件I和II,器件I在室温脉冲电流注入下激射,阈值电流为13.5mA;器件II在室温连续电流注入下激射,阈值电流为0.51mA。两者在性能上的差异与不同的腔模一增益谱峰值波长差值△λCavity-Gain有关。

关键词：垂直腔面发射激光器选择性湿法腐蚀隧道结结构 InAlAs材料增益谱峰值孔径工艺

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基于低温超导量子干涉仪的低场核磁共振研究

基于低温超导量子干涉仪的低场核磁共振研究

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第十届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：张树林王永良董惠王会武谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

使用低温超导DC SQUID二阶梯度计，以地球磁场的水平分量作为测量场，成功实现了10毫升水样品的质子核磁共振信号的探测，单次测量即获得了较好的信噪比。比较系统地研究了预极化时间、交流脉冲频率和作用时间、环境磁场的均匀性等因素... 详细信息

使用低温超导DC SQUID二阶梯度计，以地球磁场的水平分量作为测量场，成功实现了10毫升水样品的质子核磁共振信号的探测，单次测量即获得了较好的信噪比。比较系统地研究了预极化时间、交流脉冲频率和作用时间、环境磁场的均匀性等因素对核磁共振信号强度的影响。获得了质子的纵向弛豫时间T1大约为2.54s，分析了磁场不均匀性对横向弛豫时间T2的影响，为进一步开展基于SQUID的低场核磁共振研究和应用奠定了良好的基础。

关键词：低温超导量子干涉仪低场核磁共振信噪比二阶梯度计地球磁场

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合金靶溅射与共溅射制备的Si2Sb2Te5性能区别

合金靶溅射与共溅射制备的Si2Sb2Te5性能区别

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2008年上海纳米科技与产业发展研讨会

作者：顾怡峰宋志棠张挺刘波封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研... 详细信息

分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研究,前者的结晶态为Si2Te3和Sb2Te3两者的混合态,而后者的结晶态在不同退火温度下并不稳定.另外,用SEM对前者退火后的Si2Sb2Te5薄膜进行观察,发现当退火温度达到300℃和350℃时样品表面出现了破损现象.

关键词： Si2Sb2Te5 phase-change material crystallization temperature structure

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无磁屏蔽环境下低温超导心磁图仪研究

无磁屏蔽环境下低温超导心磁图仪研究

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第十届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：王会武张树林王永良孙越蒋士勤谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 同济大学上海 200092

利用低温直流超导量子干涉器(DC SQUID)为传感器，设计并建造了人体心磁测量系统。为了有效抑制在测量心磁过程中环境磁场噪声对心磁系统和测量结果的影响，在系统中使用了超导硬件梯度计和电子梯度计技术，并且对此系统进行了有效的高... 详细信息

利用低温直流超导量子干涉器(DC SQUID)为传感器，设计并建造了人体心磁测量系统。为了有效抑制在测量心磁过程中环境磁场噪声对心磁系统和测量结果的影响，在系统中使用了超导硬件梯度计和电子梯度计技术，并且对此系统进行了有效的高频磁场屏蔽处理，使得系统能够成功地在城市中心无磁屏蔽室和在实验室复杂的电磁环境下稳定工作并采集了人体心磁信号。依顺序在二维平面内调整无磁床的位置，得到了在人体前胸平面上6×6正方格子上各点的心磁信号，利用同时记录的心电信号作为时间基准，把心磁信号作平均处理后，得到不同时刻的心磁分布图。

关键词：心磁图直流低温超导量子干涉器件心磁信号测量无磁屏蔽环境梯度计

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反向原子转移自由基法制备SiO2／PMMA复合粒子

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大连工业大学学报 2008年第1期27卷 54-57页

作者：郭爽颜培力马铁成大连工业大学化工与材料学院辽宁大连116034 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

采用反向原子转移自由基法,制备了SiO2/PMMA复合粒子。用硅烷偶联剂γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷对纳米SiO2进行表面改性,通过亲水亲油性实验,确定了硅烷偶联剂的最佳用量(质量分数为10%)。通过红外光谱和热重分析,证明聚甲基丙... 详细信息

采用反向原子转移自由基法,制备了SiO2/PMMA复合粒子。用硅烷偶联剂γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷对纳米SiO2进行表面改性,通过亲水亲油性实验,确定了硅烷偶联剂的最佳用量(质量分数为10%)。通过红外光谱和热重分析,证明聚甲基丙烯酸甲酯是通过化学键合接枝到纳米SiO2粒子表面。用透射电镜观察了纳米SiO2和复合粒子在乙醇中的分散情况,表明复合粒子的分散效果更好。

关键词： SiO2/PMMA复合粒子纳米SiO2 硅烷偶联剂

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