检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2007年第8期28卷 1295-1301页

作者：贾孟军李昕欣宋朝晖王跃林中国科学院研究生院上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

介绍了一种基于机电耦合原理的新型冲击加速度MEMS开关.此开关的阈值开关点可以通过偏置电压的改变进行调节设置,同时具有自锁定功能.文中分析了这种开关的准静态加速度静力学平衡条件和在阶跃冲击加速度输入情况下的响应特性,并通过Cov... 详细信息

介绍了一种基于机电耦合原理的新型冲击加速度MEMS开关.此开关的阈值开关点可以通过偏置电压的改变进行调节设置,同时具有自锁定功能.文中分析了这种开关的准静态加速度静力学平衡条件和在阶跃冲击加速度输入情况下的响应特性,并通过CoventorWare软件模拟,得到悬臂梁型开关在各种加速度输入信号（阶跃、脉冲和半正弦）情况下的瞬态响应过程.开关的实际阈值范围为1000-5000g,响应速度小于60μs.采用MEMS技术制造开关,并通过冲击加速度测试验证了设计结果.

关键词： MEMS 冲击加速度开关开关点电可调节锁定机电耦合

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基于“8悬臂梁-质量块”结构的新颖x轴音叉式硅微机械陀螺

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Journal of Semiconductors 2007年第10期28卷 1630-1635页

作者：段飞焦继伟王育才张颖宓斌玮李金鹏钱清王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院

设计、制作并测试了一种新颖的x轴音叉式微机械陀螺,它以"8悬臂梁-质量块"结构来实现Coriolis力的检测,与常见的单层弹性梁-质量块结构相比,具有更好的模态稳定性;大质量块与薄弹性梁的结构设计有助于获得低机械噪声与高灵敏... 详细信息

设计、制作并测试了一种新颖的x轴音叉式微机械陀螺,它以"8悬臂梁-质量块"结构来实现Coriolis力的检测,与常见的单层弹性梁-质量块结构相比,具有更好的模态稳定性;大质量块与薄弹性梁的结构设计有助于获得低机械噪声与高灵敏度.采用体硅微机械加工工艺在(111)硅晶圆上试制了基于"8悬臂梁-质量块"结构的微陀螺,由于在(111)晶向上硅的湿法腐蚀速率极其缓慢,而用氧化硅填充的限制槽限定侧向腐蚀范围,因此这套工艺能对双层弹性梁的结构尺寸进行精确控制,获得较小的模态失配.在大气环境中,该陀螺具有±200°/s的量程,角速度灵敏度为0.15mV/(°/s),分辨率约为0.1°/s.

关键词：微机械陀螺 x轴音叉式陀螺 “8悬臂梁-质量块”结构限制槽 (111)硅晶圆

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用于化学气体检测的压阻检测式二氧化硅微悬臂梁传感器

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传感技术学报 2007年第10期20卷 2174-2177页

作者：李鹏李昕欣王跃林上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

文中演示了一种高分辨率的压阻检测式二氧化硅微悬臂梁传感器及其制作方法,并利用该传感器实现了对化学气体的检测.通过传感器在线检测以及其它表征手段,验证了该传感器通过单分子自组装方法获得敏感层的可行性.经过Cu2+/巯基十一酸单... 详细信息

文中演示了一种高分辨率的压阻检测式二氧化硅微悬臂梁传感器及其制作方法,并利用该传感器实现了对化学气体的检测.通过传感器在线检测以及其它表征手段,验证了该传感器通过单分子自组装方法获得敏感层的可行性.经过Cu2+/巯基十一酸单分子自组装层修饰的微悬臂梁传感器可以对甲基膦酸二甲酯(DMMP)气体进行快速响应,最小检测浓度可达数ppb(×10-9).

关键词：二氧化硅微悬臂梁压阻传感器

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音叉振动式微机械陀螺输出电容的统计特性分析

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机械工程学报 2007年第8期43卷 114-118页

作者：姜涛王安麟刘广军张颖焦继伟同济大学机械工程学院上海200092 上海交通大学机械与动力工程学院上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

以一种通过体微机械加工技术制备的音叉振动式微机械陀螺为对象,基于随机摄动技术定量计算了微陀螺检测输出电容变异的统计特征,以概率思想表达微陀螺批量加工过程所带来的材料/尺寸随机误差对其性能的影响。所提出的影响因子这一概念... 详细信息

以一种通过体微机械加工技术制备的音叉振动式微机械陀螺为对象,基于随机摄动技术定量计算了微陀螺检测输出电容变异的统计特征,以概率思想表达微陀螺批量加工过程所带来的材料/尺寸随机误差对其性能的影响。所提出的影响因子这一概念反映了微陀螺参数变异对性能变异的敏感度。在详尽分析微陀螺众多参数的影响因子的基础上获得微陀螺5个最为关键的参数。有限关键参数的获得,不仅能为微陀螺的健壮性设计提供帮助,同时也能为实际微陀螺的加工控制提供量化的参考依据。

关键词：微机械陀螺影响因子随机参数输出电容离差系数统计分析

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CMOS兼容的微机械P/N多晶硅热电堆红外探测器

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功能材料与器件学报 2007年第3期13卷 226-232页

作者：刘义冬李铁王翊王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

提出一种采用正面开口进行湿法腐蚀释放热电堆的结构,通过利用高精度光刻、LPCVD(low-pressure chemical vapor deposition)薄膜生长、IBE(ion beam etching)干法刻蚀、TMAH((CH3)4NOH)腐蚀等微机械加工技术,设计并制作了CMOS兼容的微... 详细信息

提出一种采用正面开口进行湿法腐蚀释放热电堆的结构,通过利用高精度光刻、LPCVD(low-pressure chemical vapor deposition)薄膜生长、IBE(ion beam etching)干法刻蚀、TMAH((CH3)4NOH)腐蚀等微机械加工技术,设计并制作了CMOS兼容的微机械多晶硅热电堆红外探测器。实验得到的器件成品率达到90%以上,响应率为12.5V/W,探测率1×107cmHz1/2/W,为进一步大规模红外面阵研究奠定了基础。

关键词：红外热电堆微电子机械系统

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Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应

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功能材料与器件学报 2007年第3期13卷 233-236页

作者：杨慧张正选张恩霞中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应。试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响... 详细信息

为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应。试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响。研究结果表明,合适的改性工艺能有效提高材料抗总剂量辐照效应的能力,pseudo-MOS方法在大大缩短SOI材料改性周期的基础上,能准确、快捷地对材料的总剂量辐照效应进行表征。

关键词： SIMOX SOI 总剂量辐照效应 Pseudo—MOS

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两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 426-429页

作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料... 详细信息

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.

关键词：异质结双极晶体管 InGaP/GaAs 直流特性

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SiO_2/Si上直流磁控反应溅射制备AlN薄膜

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材料科学与工程学报 2007年第1期25卷 48-51页

作者：范克彬沈伟东王立春熊斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室浙江大学现代光学仪器国家重点实验室浙江杭州310027

利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AlN薄膜的(002)择优取向的影响水平。利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高... 详细信息

利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AlN薄膜的(002)择优取向的影响水平。利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高度择优取向的AlN薄膜的最佳期望条件:衬底温度为250℃,溅射气压为2Pa,N2浓度为75%;并得出了氮气浓度对薄膜的(002)择优取向的影响较大。具有择优取向的AlN薄膜的折射率约为2.06。

关键词：氮化铝薄膜正交设计溅射参数择优取向

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干法刻蚀对InAsP/InGaAsP应变多量子阱发光特性的影响

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 467-470页

作者：曹萌吴惠桢劳燕锋刘成谢正生曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得到了明显的增强.这与干法刻蚀后量子阱覆盖层表面粗糙度变化及量子阱内部微结构变化有关.

关键词：干法刻蚀应变量子阱光致发光谱损伤

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双随机相位加密系统的选择明文攻击

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光学学报 2007年第5期27卷 824-829页

作者：位恒政彭翔张鹏刘海涛封松林天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室天津300072 深圳大学光电子学研究所教育部光电子器件与系统重点实验室深圳518060 中国建设银行总行电子银行部北京100032 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

在光学信息安全领域,双随机相位加密方法最引人注目并得到广泛研究,但由于双随机相位加密系统是基于傅里叶变换的系统,其本质上是一种线性变换系统,明文、密文之间的函数依赖关系比较简单,这就为其安全性留下了很大的隐患。双随机相位... 详细信息

在光学信息安全领域,双随机相位加密方法最引人注目并得到广泛研究,但由于双随机相位加密系统是基于傅里叶变换的系统,其本质上是一种线性变换系统,明文、密文之间的函数依赖关系比较简单,这就为其安全性留下了很大的隐患。双随机相位加密方法可以用光学和数字的方式实现,提出了一种选择明文攻击的方法,利用多个冲击函数作为选择的明文,成功破解了基于数字方法实现的双随机相位加密系统,并给出了恢复密钥的解析式,此方法最大的优点在于解密图像的无损性,并从理论上加以证明,给出了实验结果。

关键词：信息光学光信息安全双随机相位加密选择明文攻击

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